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Auteur Gilles Dambrine
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Affiner la rechercheComposants à semiconducteurs pour hyperfréquences / Gilles Dambrine in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p.
Titre : Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 22 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteurs; Hyperfréquences; Transistors; Dipöle; Diodes; Génération de puissance Résumé : Cet article a pour but de présenter les différents composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences. Ces composants peuvent être divisés en quatre groupes.
1) Les composants discrets non linéaires (diodes Schottky, PIN et varactors) qui permettent de traiter les signaux hyperfréquences en modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase (détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs).
2) Les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence : ce sont principalement les diodes à avalanche et temps de transit et les diodes à effet Gunn.
3) Les composants discrets tripôles (transistors à effet de champ ou transistors bipolaires) qui permettent non seulement l'amplification faible bruit ou l'amplification de puissance des signaux mais également la génération de puissance hyperfréquence (oscillateurs).
4) Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une fonction complète.
Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants seront précisés et un état de l'art des performances obtenues à ce jour tant pour des composants de laboratoire que pour des composants commerciaux sera donné en termes de fréquences limites, puissance, rendement, gain, facteur de bruit, etc.
REFERENCE : E 2 810 Date : Novembre 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences [texte imprimé] / Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur . - 2007 . - 22 p.
bibliogr.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p.
Mots-clés : Semiconducteurs; Hyperfréquences; Transistors; Dipöle; Diodes; Génération de puissance Résumé : Cet article a pour but de présenter les différents composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences. Ces composants peuvent être divisés en quatre groupes.
1) Les composants discrets non linéaires (diodes Schottky, PIN et varactors) qui permettent de traiter les signaux hyperfréquences en modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase (détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs).
2) Les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence : ce sont principalement les diodes à avalanche et temps de transit et les diodes à effet Gunn.
3) Les composants discrets tripôles (transistors à effet de champ ou transistors bipolaires) qui permettent non seulement l'amplification faible bruit ou l'amplification de puissance des signaux mais également la génération de puissance hyperfréquence (oscillateurs).
4) Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une fonction complète.
Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants seront précisés et un état de l'art des performances obtenues à ce jour tant pour des composants de laboratoire que pour des composants commerciaux sera donné en termes de fréquences limites, puissance, rendement, gain, facteur de bruit, etc.
REFERENCE : E 2 810 Date : Novembre 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences / Gilles Dambrine
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Titre : Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences : réf. internet E 2810 Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2007 Importance : p. 273 - 298 Note générale : Bibliogr. p. 297 - 298 Langues : Français (fre) Mots-clés : semiconducteurs -- hyperfréquences Note de contenu : Sommaire :
1. Matériaux pour composants hyperfréquences
2. Dipôles (DIODES)
3. Tripôles (transistors)
4. Circuits intégrés hyperfréquences
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Technologies des dispositifs actifs / Guillaume Bernard
Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences : réf. internet E 2810 [texte imprimé] / Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2007 . - p. 273 - 298.
Bibliogr. p. 297 - 298
Langues : Français (fre)
Mots-clés : semiconducteurs -- hyperfréquences Note de contenu : Sommaire :
1. Matériaux pour composants hyperfréquences
2. Dipôles (DIODES)
3. Tripôles (transistors)
4. Circuits intégrés hyperfréquencesExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Hyperfréquences / Guillaume Bernard
Titre : MMIC : composants : composants passifs et circuits de polarisation : réf. internet E 1427 Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Dambrine, Auteur ; Didier Belot, Auteur ; Pascal Chevalier, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2015 Importance : p. 157 - 171 Note générale : Bibliogr. p.171 .- MMIC : Monolithic Microwave Integrated Circuit ou Circuit Intégré Monolithique Hyperfréquence Langues : Français (fre) Mots-clés : Microélectronique -- technologie silicium Note de contenu : Sommaire :
1. Composants passifs et leurs modèles
2. Polarisation des composants actifs
3. Conclusion
4. Glossaire
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Hyperfréquences / Guillaume Bernard
MMIC : composants : composants passifs et circuits de polarisation : réf. internet E 1427 [texte imprimé] / Gilles Dambrine, Auteur ; Didier Belot, Auteur ; Pascal Chevalier, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2015 . - p. 157 - 171.
Bibliogr. p.171 .- MMIC : Monolithic Microwave Integrated Circuit ou Circuit Intégré Monolithique Hyperfréquence
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Microélectronique -- technologie silicium Note de contenu : Sommaire :
1. Composants passifs et leurs modèles
2. Polarisation des composants actifs
3. Conclusion
4. GlossaireExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Hyperfréquences / Guillaume Bernard
Titre : MMIC : composants : transistors, technologies et modélisation : réf. E 1426 Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Dambrine, Auteur ; Didier Belot, Auteur ; Pascal Chevalier, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2015 Importance : p. 139 - 155 Note générale : Bibliogr. p.155 .- MMIC : Monolithic Microwave Integrated Circuit ou Circuit Intégré Monolithique Hyperfréquence Langues : Français (fre) Mots-clés : Microélectronique -- technologie silicium Note de contenu : Sommaire :
1. Différents types de composants actifs
2. Modélisation électrique des transistors hautes fréquences
3. Conclusion
4. Glossaire
in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Hyperfréquences / Guillaume Bernard
MMIC : composants : transistors, technologies et modélisation : réf. E 1426 [texte imprimé] / Gilles Dambrine, Auteur ; Didier Belot, Auteur ; Pascal Chevalier, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2015 . - p. 139 - 155.
Bibliogr. p.155 .- MMIC : Monolithic Microwave Integrated Circuit ou Circuit Intégré Monolithique Hyperfréquence
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Microélectronique -- technologie silicium Note de contenu : Sommaire :
1. Différents types de composants actifs
2. Modélisation électrique des transistors hautes fréquences
3. Conclusion
4. GlossaireExemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité aucun exemplaire
