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Réalisation et étude de silicium microcristallin préparé à basse température / Noureddine Ababou 

Public ISBD Titre : Réalisation et étude de silicium microcristallin préparé à basse température Type de document : texte imprimé Auteurs : Noureddine Ababou, Auteur ; H. Hamdi, Directeur de thèse Editeur : Institut National Polytechnique de Grenoble Année de publication : 1983 Importance : 145 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de Doctorat: Electronique: Grenoble, Institut National Polytechnique de Grenoble, 1983 Bibliogr.: [6] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium  microcristallin  ;  Glow-discharge  ;  Cristallisation  ;  Diffraction  X Index. décimale : D001283 Résumé : Nous avons préparé des couches minces de silicium microcristallin par "glow-discharge", jusqu'à 300°C en jouant sur les paramètres de préparation flux et puissance HF. Nous avons alors étudié l'influence des paramètres de préparation sur la physicochimie et les propriétés électroniques du matériau. Les mesures de diffraction X ont donné, pour les films microcristallins, un diamètre constant autour de 100 A°, indépendamment de l'hydrogène incorporé (évalué par réaction nucléaire) ou de la fraction cristalline (évaluée par diffusion Raman). La cristallisation s'accompagne d'une perte d'hydrogène, la concentration d'hydrogène diminuant avec la température de dépôt. Il y a, dans le microcristal, une partie des sites de l'hydrogène existant dans l'amorphe avec seulement un léger décalage en fréquence de vibration IR. On a montré au niveau électronique que l'absorption optique et la conductivité électrique avaient les mêmes profils pour les échantillons microcristallins que pour les échantillons amorphes, quand les couches étaient préparées au-dessous de 400°C. L'ensemble des résultats est interprété par l'existence d'hétérogénéités à moyennes distances dans l'amorphe (ilots peu hydrogénés dans un tissu plus désordonné et plus hydrogéné) et dans le microcristal (cristallite ordonnée et joint de grain désordonné et hydrogéné). Réalisation et étude de silicium microcristallin préparé à basse température [texte imprimé] / Noureddine Ababou, Auteur ; H. Hamdi, Directeur de thèse . - [S.l.] : Institut National Polytechnique de Grenoble, 1983 . - 145 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de Doctorat: Electronique: Grenoble, Institut National Polytechnique de Grenoble, 1983 Bibliogr.: [6] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium  microcristallin  ;  Glow-discharge  ;  Cristallisation  ;  Diffraction  X Index. décimale : D001283 Résumé : Nous avons préparé des couches minces de silicium microcristallin par "glow-discharge", jusqu'à 300°C en jouant sur les paramètres de préparation flux et puissance HF. Nous avons alors étudié l'influence des paramètres de préparation sur la physicochimie et les propriétés électroniques du matériau. Les mesures de diffraction X ont donné, pour les films microcristallins, un diamètre constant autour de 100 A°, indépendamment de l'hydrogène incorporé (évalué par réaction nucléaire) ou de la fraction cristalline (évaluée par diffusion Raman). La cristallisation s'accompagne d'une perte d'hydrogène, la concentration d'hydrogène diminuant avec la température de dépôt. Il y a, dans le microcristal, une partie des sites de l'hydrogène existant dans l'amorphe avec seulement un léger décalage en fréquence de vibration IR. On a montré au niveau électronique que l'absorption optique et la conductivité électrique avaient les mêmes profils pour les échantillons microcristallins que pour les échantillons amorphes, quand les couches étaient préparées au-dessous de 400°C. L'ensemble des résultats est interprété par l'existence d'hétérogénéités à moyennes distances dans l'amorphe (ilots peu hydrogénés dans un tissu plus désordonné et plus hydrogéné) et dans le microcristal (cristallite ordonnée et joint de grain désordonné et hydrogéné).

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D001283	D001283	Papier	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible

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