| Titre : |
Etude des défauts électriques dans le silicium recuit par laser |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
M. Kechouane, Auteur ; D. Bois, Directeur de thèse |
| Editeur : |
Université Scientifique & Médicale de Grenoble |
| Année de publication : |
1983 |
| Importance : |
109 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat: Physique : Grenoble, Université Scientifique & Médicale de Grenoble : 1983
Bibliogr. [2] f |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Défauts électriques Silicium recuit Recuit laser continu Spectroscopie Traitement Phase solide |
| Index. décimale : |
D001883 |
| Résumé : |
Nous avons utilisé une technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs, introduits par le recuit laser dans le silicium vierge et implanté.
Dans ce travail, nous donnons la première mise en évidence directe de défauts ponctuels induits par le traitement laser en phase solide.
Dans le silicium dopé phosphore, deux ventres profonds à Ec - 0.22 eV et à Ec - 0.45 eV, sont observés.
Nous avons identifié le centre E(0.45) au complexe lacune-phosphore (P-V), et le centre E(0.22) au chrome interstitiel (Cri).
Le taux d'introduction de ces défauts, que nous avons déterminé, permet d'expliquer la dégradation de la qualité électrique de jonctions implantées recuites laser CW.
L'effet de la vitesse de balayage sur l'introduction de ces deux défauts, est aussi analysé.
Nous avons ainsi démontré que la production du défaut E(0.45), peut être expliqué par un modèle simple de diffusion lacunaire.
La localisation spatiale et la concentration moyenne de ces deux défauts, peuvent être aussi contrôlées par un choix judicieux de la vitesse de balayage.
Dans le silicium dopé bore, trois défauts principaux à Ev + 0.10 eV, Ev + 0.28 eV et à Ev + 0.44 eV, sont observés.
Ces défauts ont été respectivement attribués aux paires d'ions fer-bore (FeiBs) et chrome-bore (CriBs), et au fer interstitiel (Fei).
Nous démontrons que les défauts résiduels Ev + 0.10 eV et Ev + 0.44 eV, observés dans les jonctions implantées recuites par laser CW, sont identiques à ceux introduits par le faisceau laser dans le matériau vierge. |
Etude des défauts électriques dans le silicium recuit par laser [texte imprimé] / M. Kechouane, Auteur ; D. Bois, Directeur de thèse . - Université Scientifique & Médicale de Grenoble, 1983 . - 109 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat: Physique : Grenoble, Université Scientifique & Médicale de Grenoble : 1983
Bibliogr. [2] f Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Défauts électriques Silicium recuit Recuit laser continu Spectroscopie Traitement Phase solide |
| Index. décimale : |
D001883 |
| Résumé : |
Nous avons utilisé une technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs, introduits par le recuit laser dans le silicium vierge et implanté.
Dans ce travail, nous donnons la première mise en évidence directe de défauts ponctuels induits par le traitement laser en phase solide.
Dans le silicium dopé phosphore, deux ventres profonds à Ec - 0.22 eV et à Ec - 0.45 eV, sont observés.
Nous avons identifié le centre E(0.45) au complexe lacune-phosphore (P-V), et le centre E(0.22) au chrome interstitiel (Cri).
Le taux d'introduction de ces défauts, que nous avons déterminé, permet d'expliquer la dégradation de la qualité électrique de jonctions implantées recuites laser CW.
L'effet de la vitesse de balayage sur l'introduction de ces deux défauts, est aussi analysé.
Nous avons ainsi démontré que la production du défaut E(0.45), peut être expliqué par un modèle simple de diffusion lacunaire.
La localisation spatiale et la concentration moyenne de ces deux défauts, peuvent être aussi contrôlées par un choix judicieux de la vitesse de balayage.
Dans le silicium dopé bore, trois défauts principaux à Ev + 0.10 eV, Ev + 0.28 eV et à Ev + 0.44 eV, sont observés.
Ces défauts ont été respectivement attribués aux paires d'ions fer-bore (FeiBs) et chrome-bore (CriBs), et au fer interstitiel (Fei).
Nous démontrons que les défauts résiduels Ev + 0.10 eV et Ev + 0.44 eV, observés dans les jonctions implantées recuites par laser CW, sont identiques à ceux introduits par le faisceau laser dans le matériau vierge. |
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