| Titre : |
Conception, modélisation et réalisation d'un capteur de pression capacitif microélectronique |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Nasr Eddine Ben Moussa, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse |
| Editeur : |
Université Paul Sabatier de Toulouse |
| Année de publication : |
1985 |
| Importance : |
126 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985
Annexe f. 129 - 145 . - Bibliogr. f. 149 - 158 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Microélectronique Capteur Pressure Capacitif Micro-usinage Silicium Modélisation Technologie -- pression capacitif microélectronique |
| Index. décimale : |
D002385 |
| Résumé : |
La réponse de membranes fines de silicium totalement encastrées à leur périphérie soumises à l'action d'une pression uniforme est modélisée en suivant une méthode semi analytique.
Connaissant la déflexion en tout point, le comportement de condensateurs variables constitués par l'association d'une armature plane rigide et de membranes de ce type ayant une géométrie carrée ou rectangulaire est analysé en termes de linéarité, de sensibilité et de limitations intrinsèques.
Pour valider le modèle, une structure d'étude est réalisée à partir des techniques de la microélectronique, de la gravure anisotrope du silicium et de la soudure thermoélectrique sur substrat de verre.
L'étude de sa réponse confirme en grande partie les conclusions théoriques. |
Conception, modélisation et réalisation d'un capteur de pression capacitif microélectronique [texte imprimé] / Nasr Eddine Ben Moussa, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse . - Université Paul Sabatier de Toulouse, 1985 . - 126 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985
Annexe f. 129 - 145 . - Bibliogr. f. 149 - 158 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Microélectronique Capteur Pressure Capacitif Micro-usinage Silicium Modélisation Technologie -- pression capacitif microélectronique |
| Index. décimale : |
D002385 |
| Résumé : |
La réponse de membranes fines de silicium totalement encastrées à leur périphérie soumises à l'action d'une pression uniforme est modélisée en suivant une méthode semi analytique.
Connaissant la déflexion en tout point, le comportement de condensateurs variables constitués par l'association d'une armature plane rigide et de membranes de ce type ayant une géométrie carrée ou rectangulaire est analysé en termes de linéarité, de sensibilité et de limitations intrinsèques.
Pour valider le modèle, une structure d'étude est réalisée à partir des techniques de la microélectronique, de la gravure anisotrope du silicium et de la soudure thermoélectrique sur substrat de verre.
L'étude de sa réponse confirme en grande partie les conclusions théoriques. |
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