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Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement

Ahmed Chikouche, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse | Université Paul Sabatier de Toulouse | 1984

Cette étude a pour but de présenter les paramètres de conception des dispositifs photovoltaïques au Ga1-x AlxAs-GaAs et au Si à jonction diffusée. Concernant le Si, nous présentons la méthodologie mise en œuvre pour le suivi de la dégradation d[...]

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