| Titre : |
Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Ahmed Chikouche, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse |
| Editeur : |
Université Paul Sabatier de Toulouse |
| Année de publication : |
1984 |
| Importance : |
152 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1984
Annexe f. 155 - 164 . - Bibliogr. f. 167 - 175 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Matériaux -- composants Cellules solaires Technologie matériau GaAs/GaAlAs Silicium |
| Index. décimale : |
D002184 |
| Résumé : |
Cette étude a pour but de présenter les paramètres de conception des dispositifs photovoltaïques au Ga1-x AlxAs-GaAs et au Si à jonction diffusée.
Concernant le Si, nous présentons la méthodologie mise en œuvre pour le suivi de la dégradation de la durée de vie, τn, au cours des différentes opérations de fabrication du composant.
Les dégradations mesurées sont reliées aux conditions expérimentales et aux caractéristiques électriques.
Dans le cas du GaAs, nous fabriquons la structure pGa1-x AlxAs (Zn)-pGaAs (Zn)-nGaAs (Sn) par E.P.L. suivant le procédé >.
Les couches supérieures déposées par cette technique montrent des surfaces régulières et sans rupture de croissance.
Les caractéristiques électriques montrent des hétérojonctions de bonne qualité.
Nous obtenons des rendements de conversion de l'ordre de 20 % sous un éclairement de 1,4 W/cm².
Nous dégageons les règles de conception et de fabrication qui permettent l'élaboration des cellules à haut rendement. |
Physique et technologie des composants photovoltaiques au silicium et au Ga1-x Alx As-GaAs à haut rendement [texte imprimé] / Ahmed Chikouche, Auteur ; Daniel Estève, Directeur de thèse . - Université Paul Sabatier de Toulouse, 1984 . - 152 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1984
Annexe f. 155 - 164 . - Bibliogr. f. 167 - 175 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Matériaux -- composants Cellules solaires Technologie matériau GaAs/GaAlAs Silicium |
| Index. décimale : |
D002184 |
| Résumé : |
Cette étude a pour but de présenter les paramètres de conception des dispositifs photovoltaïques au Ga1-x AlxAs-GaAs et au Si à jonction diffusée.
Concernant le Si, nous présentons la méthodologie mise en œuvre pour le suivi de la dégradation de la durée de vie, τn, au cours des différentes opérations de fabrication du composant.
Les dégradations mesurées sont reliées aux conditions expérimentales et aux caractéristiques électriques.
Dans le cas du GaAs, nous fabriquons la structure pGa1-x AlxAs (Zn)-pGaAs (Zn)-nGaAs (Sn) par E.P.L. suivant le procédé >.
Les couches supérieures déposées par cette technique montrent des surfaces régulières et sans rupture de croissance.
Les caractéristiques électriques montrent des hétérojonctions de bonne qualité.
Nous obtenons des rendements de conversion de l'ordre de 20 % sous un éclairement de 1,4 W/cm².
Nous dégageons les règles de conception et de fabrication qui permettent l'élaboration des cellules à haut rendement. |
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