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Analyse des dispersions fréquentielles de la transconductance ou de la capacité d'entrée et étude du bruit en excés dans un TEC GaAs en liaison avec les propriétés électriques de la surface entre contacts / Zahia Hadjoub 

Public ISBD Titre : Analyse des dispersions fréquentielles de la transconductance ou de la capacité d'entrée et étude du bruit en excés dans un TEC GaAs en liaison avec les propriétés électriques de la surface entre contacts Type de document : texte imprimé Auteurs : Zahia Hadjoub, Auteur ; J. Graffeuil, Directeur de thèse Editeur : Université Paul Sabatier de Toulouse Année de publication : 1985 Importance : 113 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985 Annexe f. 117 - 132 . Bibliogr. f. 135 - 145 Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET  ;  GaAs  ;  Interface  diélectrique  ;  GaAs  ;  Pièges  ;  Dispersion  fréquentielle  ;  Capacité  d'entrée  ;  Transconductance  ;  Courant  --  fuite  --  grille  ;  Bruit  --  excès Index. décimale : D003985 Résumé : Les travaux de recherche effectués ont porté tout d'abord sur la modélisation des variations fréquentielles de la capacité d'entrée et de la transconductance d'un TEC GaAs. Le modèle permet non seulement de rendre compte des observations expérimentales mais aussi d'identifier les caractéristiques de la surface libre entre contacts. Des états de surface de densité de 10¹² à 10¹⁴ cm⁻² eV⁻¹, distribués sur une profondeur S comprise entre 50 et 150 Å sont déterminés. Une étude détaillée du bruit en excès (BF) en fonction de la fréquence et des conditions de polarisation sur des composants différant essentiellement par la couche de protection est présentée. Enfin, une corrélation entre le bruit en 1/f et le courant de fuite de grille est établie. Analyse des dispersions fréquentielles de la transconductance ou de la capacité d'entrée et étude du bruit en excés dans un TEC GaAs en liaison avec les propriétés électriques de la surface entre contacts [texte imprimé] / Zahia Hadjoub, Auteur ; J. Graffeuil, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université Paul Sabatier de Toulouse, 1985 . - 113 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1985 Annexe f. 117 - 132 . Bibliogr. f. 135 - 145 Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET  ;  GaAs  ;  Interface  diélectrique  ;  GaAs  ;  Pièges  ;  Dispersion  fréquentielle  ;  Capacité  d'entrée  ;  Transconductance  ;  Courant  --  fuite  --  grille  ;  Bruit  --  excès Index. décimale : D003985 Résumé : Les travaux de recherche effectués ont porté tout d'abord sur la modélisation des variations fréquentielles de la capacité d'entrée et de la transconductance d'un TEC GaAs. Le modèle permet non seulement de rendre compte des observations expérimentales mais aussi d'identifier les caractéristiques de la surface libre entre contacts. Des états de surface de densité de 10¹² à 10¹⁴ cm⁻² eV⁻¹, distribués sur une profondeur S comprise entre 50 et 150 Å sont déterminés. Une étude détaillée du bruit en excès (BF) en fonction de la fréquence et des conditions de polarisation sur des composants différant essentiellement par la couche de protection est présentée. Enfin, une corrélation entre le bruit en 1/f et le courant de fuite de grille est établie.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D003985	D003985	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

Documents numériques

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