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Formation d'interfaces métal-semiconducteur / Zineddine Imam 

Public ISBD Titre : Formation d'interfaces métal-semiconducteur : étude à l'équilibre : Pb/Ge (111) : étude cinétique: métaux nobles : Si (100) Type de document : texte imprimé Auteurs : Zineddine Imam, Auteur ; G. Le Lay, Directeur de thèse Editeur : Faculté des Sciences et Techniques St Jérôme Année de publication : 1985 Importance : 81 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Marseille, Faculté des Sciences et Techniques St Jérôme : 1985 Annexe f. 82 - 89 . Bibliogr. [6] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Spectroscopie  Auger Diffraction  --  électrons  lents Couches  bidimensionnelles Équilibre  thermodynamique Équation  --  Fowler Isothermes  d'adsorption Index. décimale : D004885 Résumé : Pour ce qui concerne la première partie de cette thèse, nous avons pu tracer un réseau de véritables isothermes d'adsorption (Pb/Ge (111)) à l'aide de la spectroscopie Auger. Nous avons pu ensuite ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d'interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt que nous avons pu comparer avec les valeurs déduites indirectement de mesure de cinétique de désorption réalisées antérieurement au laboratoire. La seconde partie présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal noble-silicium (100). La majorité des expériences a porté sur l'interface or-silicium. Nous avons pu établir que, par rapport à l'interface Ag/Si (100) parfaitement abrupte et non réactive, l'interface Au/Si (100) se comporte fort différemment, notamment à température ambiante où croit un composé mixte or-silicium amorphe. Enfin, le cuivre interagit très fortement et cette hiérarchisation de la réactivité suit celle mieux connue sur substrat d'orientation (111), mais avec un caractère plus marqué toutefois. Formation d'interfaces métal-semiconducteur : étude à l'équilibre : Pb/Ge (111) : étude cinétique: métaux nobles : Si (100) [texte imprimé] / Zineddine Imam, Auteur ; G. Le Lay, Directeur de thèse . - [S.l.] : Faculté des Sciences et Techniques St Jérôme, 1985 . - 81 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Marseille, Faculté des Sciences et Techniques St Jérôme : 1985 Annexe f. 82 - 89 . Bibliogr. [6] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Spectroscopie  Auger Diffraction  --  électrons  lents Couches  bidimensionnelles Équilibre  thermodynamique Équation  --  Fowler Isothermes  d'adsorption Index. décimale : D004885 Résumé : Pour ce qui concerne la première partie de cette thèse, nous avons pu tracer un réseau de véritables isothermes d'adsorption (Pb/Ge (111)) à l'aide de la spectroscopie Auger. Nous avons pu ensuite ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d'interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt que nous avons pu comparer avec les valeurs déduites indirectement de mesure de cinétique de désorption réalisées antérieurement au laboratoire. La seconde partie présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal noble-silicium (100). La majorité des expériences a porté sur l'interface or-silicium. Nous avons pu établir que, par rapport à l'interface Ag/Si (100) parfaitement abrupte et non réactive, l'interface Au/Si (100) se comporte fort différemment, notamment à température ambiante où croit un composé mixte or-silicium amorphe. Enfin, le cuivre interagit très fortement et cette hiérarchisation de la réactivité suit celle mieux connue sur substrat d'orientation (111), mais avec un caractère plus marqué toutefois.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D004885	D004885	Papier	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible

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