Titre : |
Défauts de structure responsables de la photoconductivité excitonique et de la biréfringence dans Cu₂O |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Nadira Oudjehane, Auteur ; A. Coret, Directeur de thèse |
Editeur : |
Université Louis Pasteur de Strasbourg |
Année de publication : |
1982 |
Importance : |
180 f. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
27 cm. |
Note générale : |
Thèse de Doctorat : Physique de l’État Solide : Strasbourg, Université Louis Pasteur de Strasbourg : 1982
Annexe f. 181 - 188 . - Bibliogr. [5] f |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Défauts de structure
Photoconductivité excitonique
Biréfringence |
Index. décimale : |
D001982 |
Résumé : |
Un travail récent a montré que la photoconductivité qui a pour origine la dissociation des excitons en porteurs libres donne des informations importantes sur les défauts de structure dans les cristaux de Cu₂O: cette création de porteurs libres s'opère par la dissociation d'un exciton dans le champ électrique issu de dislocations chargées.
La photoconductivité de cristaux ayant subit une déformation plastique a montré que les zones de photocourant excitonique maximum correspondant à des zones fortement biréfringentes.
Ce travail comportera cinq chapitres.
Le premier chapitre sera l'objet d'un rappel des propriétés de la transition excitonique vers l'état lSj dans des cristaux Cu₂O en l'absence de toute perturbation et en présence de perturbations électriques et mécaniques.
Le deuxième chapitre portera sur des rappels théoriques concernant la dynamique de la déformation plastique et sur les résultats de la déformation plastique dans les cristaux de Cu₂O que nous avons utilisés, réalisés dans le laboratoire de Philibert à Bellevue, tels que: le type du système de glissement engendré par la déformation plastique, le type de la dislocation majoritaire, la désorientation entre cellules introduites, ... le chapitre trois rendra compte des résultats expérimentaux des mesures de réponse de photoconductivité excitonique locale dans les cristaux déformés, des mesures de conductivité des cristaux non recuits et de l'interprétation de ces résultats.
Le quatrième chapitre portera sur le calcul de la perturbation électrique introduite par une dislocation isolée ou par un arrangement de dislocations.
Enfin le cinquième chapitre concernera l'étude de la biréfringence.
Nous verrons d'abord comment caractériser cette biréfringence.
Un calcul de la piézo-biréfringence introduite par une dislocation, par un joint de grain ou par un empilement permettra de déterminer le défaut responsable de la biréfringence (empilement). |
Défauts de structure responsables de la photoconductivité excitonique et de la biréfringence dans Cu₂O [texte imprimé] / Nadira Oudjehane, Auteur ; A. Coret, Directeur de thèse . - Université Louis Pasteur de Strasbourg, 1982 . - 180 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Physique de l’État Solide : Strasbourg, Université Louis Pasteur de Strasbourg : 1982
Annexe f. 181 - 188 . - Bibliogr. [5] f Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Défauts de structure
Photoconductivité excitonique
Biréfringence |
Index. décimale : |
D001982 |
Résumé : |
Un travail récent a montré que la photoconductivité qui a pour origine la dissociation des excitons en porteurs libres donne des informations importantes sur les défauts de structure dans les cristaux de Cu₂O: cette création de porteurs libres s'opère par la dissociation d'un exciton dans le champ électrique issu de dislocations chargées.
La photoconductivité de cristaux ayant subit une déformation plastique a montré que les zones de photocourant excitonique maximum correspondant à des zones fortement biréfringentes.
Ce travail comportera cinq chapitres.
Le premier chapitre sera l'objet d'un rappel des propriétés de la transition excitonique vers l'état lSj dans des cristaux Cu₂O en l'absence de toute perturbation et en présence de perturbations électriques et mécaniques.
Le deuxième chapitre portera sur des rappels théoriques concernant la dynamique de la déformation plastique et sur les résultats de la déformation plastique dans les cristaux de Cu₂O que nous avons utilisés, réalisés dans le laboratoire de Philibert à Bellevue, tels que: le type du système de glissement engendré par la déformation plastique, le type de la dislocation majoritaire, la désorientation entre cellules introduites, ... le chapitre trois rendra compte des résultats expérimentaux des mesures de réponse de photoconductivité excitonique locale dans les cristaux déformés, des mesures de conductivité des cristaux non recuits et de l'interprétation de ces résultats.
Le quatrième chapitre portera sur le calcul de la perturbation électrique introduite par une dislocation isolée ou par un arrangement de dislocations.
Enfin le cinquième chapitre concernera l'étude de la biréfringence.
Nous verrons d'abord comment caractériser cette biréfringence.
Un calcul de la piézo-biréfringence introduite par une dislocation, par un joint de grain ou par un empilement permettra de déterminer le défaut responsable de la biréfringence (empilement). |
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