Caractérisation et cinétique de développement de la zone déformée plastiquement qui apparait en tête de fissure dans une éprouvette monocristalline de silicium sollicitée en mode I / Michot, Gérard (1982) 

Public ISBD Titre : Caractérisation et cinétique de développement de la zone déformée plastiquement qui apparait en tête de fissure dans une éprouvette monocristalline de silicium sollicitée en mode I : influence sur la ténacité du matériau Type de document : texte imprimé Auteurs : Michot, Gérard, Auteur ; G. Champier, Directeur de thèse Editeur : Institut National Polytechnique de Lorraine Année de publication : 1982 Importance : 211 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de Doctorat: Physique: Lorraine, Institut National Polytechnique de Lorraine: 1982 Bibliogr. f. 174 - 179 . - Annexes f. 182 - 211 Langues : Français (fre) Mots-clés : Fissure Eprouvette monocristalline Silicium sollicitée en mode I Ténacité du matériau Zone plastique Origine des dislocations Index. décimale : D002682 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier en détail la configuration de dislocations développées à partir de l'extrémité d'une fissure dans une éprouvette monocristalline de silicium soumise à une charge constante et leur influence sur la ténacité du matériau. Ce travail se décompose en trois parties: d'abord un bref exposé sur les techniques expérimentales utilisées, ensuite une partie consacrée à la caractérisation de la zone plastique, enfin une partie analyse et discussion des résultats expérimentaux. Dans la première partie sont décrits les dispositifs utilisés pour la fissuration des éprouvettes, pour l'application de la charge à haute température, ainsi que les techniques d'observation de la zone plastique (topographie aux rayon X, figures d'attaque). La seconde partie rassemble les résultats permettant de caractériser la zone plastique: positions des plans de glissement par rapport au front de fissure, détermination des vecteurs de Burgers des dislocations, croissance de la zone plastique au cours du temps et répartition des dislocations au sein de la zone plastique. A partir de la valeur de la scission résolue dans le plan de glissement calculée, l'origine des dislocations et l'existence de certains systèmes de glissement majoritaires seront discutés. L'interprétation des courbes de croissance de la zone plastique en fonction du temps sera effectuée, alors que l'influence de la zone plastique sur la ténacité du matériau sera précisée. Enfin nous développerons un modèle pour rendre compte de l'extension de la zone plastique en fonction des conditions de chargement imposées. Caractérisation et cinétique de développement de la zone déformée plastiquement qui apparait en tête de fissure dans une éprouvette monocristalline de silicium sollicitée en mode I : influence sur la ténacité du matériau [texte imprimé] / Michot, Gérard, Auteur ; G. Champier, Directeur de thèse . - Institut National Polytechnique de Lorraine, 1982 . - 211 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de Doctorat: Physique: Lorraine, Institut National Polytechnique de Lorraine: 1982 Bibliogr. f. 174 - 179 . - Annexes f. 182 - 211 Langues : Français (fre) Mots-clés : Fissure Eprouvette monocristalline Silicium sollicitée en mode I Ténacité du matériau Zone plastique Origine des dislocations Index. décimale : D002682 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier en détail la configuration de dislocations développées à partir de l'extrémité d'une fissure dans une éprouvette monocristalline de silicium soumise à une charge constante et leur influence sur la ténacité du matériau. Ce travail se décompose en trois parties: d'abord un bref exposé sur les techniques expérimentales utilisées, ensuite une partie consacrée à la caractérisation de la zone plastique, enfin une partie analyse et discussion des résultats expérimentaux. Dans la première partie sont décrits les dispositifs utilisés pour la fissuration des éprouvettes, pour l'application de la charge à haute température, ainsi que les techniques d'observation de la zone plastique (topographie aux rayon X, figures d'attaque). La seconde partie rassemble les résultats permettant de caractériser la zone plastique: positions des plans de glissement par rapport au front de fissure, détermination des vecteurs de Burgers des dislocations, croissance de la zone plastique au cours du temps et répartition des dislocations au sein de la zone plastique. A partir de la valeur de la scission résolue dans le plan de glissement calculée, l'origine des dislocations et l'existence de certains systèmes de glissement majoritaires seront discutés. L'interprétation des courbes de croissance de la zone plastique en fonction du temps sera effectuée, alors que l'influence de la zone plastique sur la ténacité du matériau sera précisée. Enfin nous développerons un modèle pour rendre compte de l'extension de la zone plastique en fonction des conditions de chargement imposées.

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Etude par topographie aux rayons X de la relaxation des contraintes en tête des fissures dans les cristaux de silicium / Kheireddine El Badaoui (1976) 

Public ISBD Titre : Etude par topographie aux rayons X de la relaxation des contraintes en tête des fissures dans les cristaux de silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Kheireddine El Badaoui, Auteur ; G. Champier, Directeur de thèse Editeur : Université de Nancy I Année de publication : 1976 Importance : 43 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Docteur-Ingénieur : Civil des Mines : Nancy, Université de Nancy I : 1976 Bibliogr. f. 44 - 45 . - Annexe [60] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Topographie -- rayons X Relaxation contraintes Cristaux silicium Index. décimale : D001076 Résumé : Dans le présent travail, nous nous sommes attachés à déterminer l'origine et le mode d'action des contraintes qui produisent les bandes de lignes de dislocations que l'on observe par topographie aux rayons X dans les tranches de silicium (001) après le premier traitement d'épitaxie. Les travaux antérieurs ont pris en compte directement les contraintes dues au gradient de température; ils rendent bien compte de l'allure générale des bandes de dislocations observées mais ils sont insuffisants quant à l'évaluation de la contrainte nécessaire pour créer des dislocations et quant à la présence ou l'absence de bandes de dislocations dans les différentes zones de la tranche. Nous montrerons que la concentration des contraintes qui se produit en tête des microfissures périphériques peut permettre de comprendre le rôle des contraintes dues au gradient de température. Dans le chapitre suivant nous décrivons les techniques expérimentales utilisées dans ce travail. Les résultats expérimentaux relatifs aux tranches de silicium sont rassemblés au troisième chapitre; ceux relatifs à la relaxation en tête de fissure sont rassemblés au quatrième chapitre. Dans le cinquième chapitre nous appliquons les formules de la mécanique linéaire de la rupture à chacun de nos deux cas; nous comparons alors les résultats observés et les prévisions; nous discutons les écarts éventuels et nous tentons de rendre compte des mécanismes qui interviennent dans la relaxation des contraintes. Etude par topographie aux rayons X de la relaxation des contraintes en tête des fissures dans les cristaux de silicium [texte imprimé] / Kheireddine El Badaoui, Auteur ; G. Champier, Directeur de thèse . - Université de Nancy I, 1976 . - 43 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Docteur-Ingénieur : Civil des Mines : Nancy, Université de Nancy I : 1976 Bibliogr. f. 44 - 45 . - Annexe [60] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Topographie -- rayons X Relaxation contraintes Cristaux silicium Index. décimale : D001076 Résumé : Dans le présent travail, nous nous sommes attachés à déterminer l'origine et le mode d'action des contraintes qui produisent les bandes de lignes de dislocations que l'on observe par topographie aux rayons X dans les tranches de silicium (001) après le premier traitement d'épitaxie. Les travaux antérieurs ont pris en compte directement les contraintes dues au gradient de température; ils rendent bien compte de l'allure générale des bandes de dislocations observées mais ils sont insuffisants quant à l'évaluation de la contrainte nécessaire pour créer des dislocations et quant à la présence ou l'absence de bandes de dislocations dans les différentes zones de la tranche. Nous montrerons que la concentration des contraintes qui se produit en tête des microfissures périphériques peut permettre de comprendre le rôle des contraintes dues au gradient de température. Dans le chapitre suivant nous décrivons les techniques expérimentales utilisées dans ce travail. Les résultats expérimentaux relatifs aux tranches de silicium sont rassemblés au troisième chapitre; ceux relatifs à la relaxation en tête de fissure sont rassemblés au quatrième chapitre. Dans le cinquième chapitre nous appliquons les formules de la mécanique linéaire de la rupture à chacun de nos deux cas; nous comparons alors les résultats observés et les prévisions; nous discutons les écarts éventuels et nous tentons de rendre compte des mécanismes qui interviennent dans la relaxation des contraintes.

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D001076	D001076	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Autre	Consultation sur place/Téléchargeable

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