Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS / Aissa Belarni (2014) 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS : micro-commutateurs pour les signaux hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Aissa Belarni, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Patrick Pons, Directeur de thèse Editeur : Bab Ezzouar : [s.n.] Année de publication : 2014 Importance : 142 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 2014 Bibliogr. f. 124 - 132. - Annexes f. 133 - 142 Langues : Français (fre) Mots-clés : Chargement des diélectriques Structures MEMS Signaux hyperfréquences Micro-commutateurs Microscopie à force atomique Index. décimale : D002814 Résumé : Les travaux présentés dans cette thèse s'inscrivent dans cette problématique de fiabilité. Nous détaillerons plus spécifiquement celle qui porte sur l'étude du phénomène de charges déposées dans les couches minces diélectriques en utilisant une pointe de microscope à force atomique. Dans le premier chapitre de ce mémoire, nous présenteront une bibliographie des MEMS-RF. Nous exposerons leurs principes de fonctionnement et les généralités théoriques qui les décrivent. Nous donnerons également un état de l'art des MEMS-RF. Nous parlerons aussi des phénomènes qui limitent la fiabilité de ces composants, notamment les modes de défaillance mécaniques et électriques. Nous aborderons ensuite la technique de dépôt par PECVD et les principales techniques de caractérisation physico-chimiques FTIR et RBS. Nous présenterons enfin le banc de test réalisé au LAAS dédié aux mesures de courant transitoire sur les capacités MIM. Le deuxième chapitre est une description détaillée du mode dynamique et la modélisation du comportement de l'oscillateur au voisinage de la surface. Nous présenterons les différentes parties qui composent le microscope. Le troisième chapitre introduit les principales techniques de la microscopie à force atomiques couplée au mode détection de phase, et au mode Kelvin. Ce couplage permettra à travers le sondage des forces électrostatiques d'étudier l'injection est le transport des charges dans les couches minces diélectriques. L'accent est mis sur la nécessité d'optimiser les paramètres de mesure. Enfin, dans le quatrième chapitre seront présentés les résultats de mesure de chargement sur le nitrure de silicium obtenu par PEVCD et sur l'oxyde de silicium basse température (LTO). Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS : micro-commutateurs pour les signaux hyperfréquences [texte imprimé] / Aissa Belarni, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Patrick Pons, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 2014 . - 142 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 2014 Bibliogr. f. 124 - 132. - Annexes f. 133 - 142 Langues : Français (fre) Mots-clés : Chargement des diélectriques Structures MEMS Signaux hyperfréquences Micro-commutateurs Microscopie à force atomique Index. décimale : D002814 Résumé : Les travaux présentés dans cette thèse s'inscrivent dans cette problématique de fiabilité. Nous détaillerons plus spécifiquement celle qui porte sur l'étude du phénomène de charges déposées dans les couches minces diélectriques en utilisant une pointe de microscope à force atomique. Dans le premier chapitre de ce mémoire, nous présenteront une bibliographie des MEMS-RF. Nous exposerons leurs principes de fonctionnement et les généralités théoriques qui les décrivent. Nous donnerons également un état de l'art des MEMS-RF. Nous parlerons aussi des phénomènes qui limitent la fiabilité de ces composants, notamment les modes de défaillance mécaniques et électriques. Nous aborderons ensuite la technique de dépôt par PECVD et les principales techniques de caractérisation physico-chimiques FTIR et RBS. Nous présenterons enfin le banc de test réalisé au LAAS dédié aux mesures de courant transitoire sur les capacités MIM. Le deuxième chapitre est une description détaillée du mode dynamique et la modélisation du comportement de l'oscillateur au voisinage de la surface. Nous présenterons les différentes parties qui composent le microscope. Le troisième chapitre introduit les principales techniques de la microscopie à force atomiques couplée au mode détection de phase, et au mode Kelvin. Ce couplage permettra à travers le sondage des forces électrostatiques d'étudier l'injection est le transport des charges dans les couches minces diélectriques. L'accent est mis sur la nécessité d'optimiser les paramètres de mesure. Enfin, dans le quatrième chapitre seront présentés les résultats de mesure de chargement sur le nitrure de silicium obtenu par PEVCD et sur l'oxyde de silicium basse température (LTO).

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D002814	D002814	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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