Caractérisation du canal - Corps Humain - pour HBC (Human Body Communication) / Rayane Bouzeghoub (2018) 

Public ISBD Titre : Caractérisation du canal - Corps Humain - pour HBC (Human Body Communication) Type de document : texte imprimé Auteurs : Rayane Bouzeghoub, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2018 Importance : 102 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2018 Bibliogr. f. 98 - 101 . Annexe f. 102 Langues : Français (fre) Mots-clés : Caractérisation Canal HBC BAN Couplage capacitif Couplage galvanique Index. décimale : PN00918 Résumé : La technologie Human Body Communication (HBC) est un moyen sûr de transmission d’informations entre les appareils électroniques portables. L’HBC utilise la surface et l’intérieur du corps humain comme moyen de transmission du signal, c’est-à-dire, il sert de support physique prometteur pour le Body Area Network (BAN). Il offre une méthode innovante pour le transfert de données dont la transmission nécessite peu d'interférences et une liaison de données fiable. L’HBC possede de nombreux avantages, tels qu’une faible consommation d'énergie, une configuration de courte durée, ce qui convient parfaitement au domaine de la santé. Par conséquent, le déploiement du système HBC assurant de bonnes performances de communication est nécessaire. À cet égard, différentes études sont menées sur les questions importantes liées à la transmission de données HBC tels que les caractéristiques du canal, le modèle de propagation du signal, la performance de communication et les considérations expérimentales. Caractérisation du canal - Corps Humain - pour HBC (Human Body Communication) [texte imprimé] / Rayane Bouzeghoub, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2018 . - 102 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2018 Bibliogr. f. 98 - 101 . Annexe f. 102 Langues : Français (fre) Mots-clés : Caractérisation Canal HBC BAN Couplage capacitif Couplage galvanique Index. décimale : PN00918 Résumé : La technologie Human Body Communication (HBC) est un moyen sûr de transmission d’informations entre les appareils électroniques portables. L’HBC utilise la surface et l’intérieur du corps humain comme moyen de transmission du signal, c’est-à-dire, il sert de support physique prometteur pour le Body Area Network (BAN). Il offre une méthode innovante pour le transfert de données dont la transmission nécessite peu d'interférences et une liaison de données fiable. L’HBC possede de nombreux avantages, tels qu’une faible consommation d'énergie, une configuration de courte durée, ce qui convient parfaitement au domaine de la santé. Par conséquent, le déploiement du système HBC assurant de bonnes performances de communication est nécessaire. À cet égard, différentes études sont menées sur les questions importantes liées à la transmission de données HBC tels que les caractéristiques du canal, le modèle de propagation du signal, la performance de communication et les considérations expérimentales.

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Conception, simulation et optimisation des performances d’antenne hélicoïdale d’émissionen bande de fréquence S pour les applications spatiales / Awris Chihani (2020) 

Public ISBD Titre : Conception, simulation et optimisation des performances d’antenne hélicoïdale d’émissionen bande de fréquence S pour les applications spatiales Type de document : document électronique Auteurs : Awris Chihani, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Essedik Iftene, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2020 Importance : 1 fichier PDF (10 M) Présentation : ill. Note générale : Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 Bibliogr. f. 118 - 121 Langues : Français (fre) Mots-clés : Antenne hélicoïdalemonofilaire Antenne hélicoïdalequadri-filaire Liaisons TT&C basseorbite Bande de fréquence S Index. décimale : PN00520 Résumé : Ce projet de fin d’étude a été proposé au niveau du Centre de Développement des Satellites entité opérationnelle de l’Agence spatiale Algérienne. Le but de ce travail est de concevoir, simuler et optimiser une antenne hélicoïdale d’émission en bande de fréquence S destinée aux les applications spatiales pour une liaison TT&C d’un satellite à basse orbite. Le travail de simulation a été effectué par le biais du logiciel CST Studio. Nous avons procédé à la simulation des performances liées au rayonnement : Gain, angle d’ouverture à demi puissance, rapport axial et niveau des lobes secondaires. Ceci pour le cas d’une antenne hélicoïdale monofilaire et d’une antenne hélicoïdale quadri-filaire, en variant les dimensions de l’antenne (nombre de spires, diamètre et longueur axiale) et les caractéristiques du plan de masse. En se basant sur les résultats de simulation, sur le cahier des charges et sur les conditions requises liées à l’application à laquelle sera destinées cette antenne, nous avons opté pour l’antenne quadri-filaire. La conception du circuit d’alimentation a également été effectuée. L’antenne hélicoïdale quadri-filaire ainsi que son circuit d’alimentation ont été dimensionné en accord avec le cahier des charges établi ainsi que les contraintes liées à l’application. Leurs dimensions ont été optimisées par algorithme génétique. Conception, simulation et optimisation des performances d’antenne hélicoïdale d’émissionen bande de fréquence S pour les applications spatiales [document électronique] / Awris Chihani, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Essedik Iftene, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2020 . - 1 fichier PDF (10 M) : ill. Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 Bibliogr. f. 118 - 121 Langues : Français (fre) Mots-clés : Antenne hélicoïdalemonofilaire Antenne hélicoïdalequadri-filaire Liaisons TT&C basseorbite Bande de fréquence S Index. décimale : PN00520 Résumé : Ce projet de fin d’étude a été proposé au niveau du Centre de Développement des Satellites entité opérationnelle de l’Agence spatiale Algérienne. Le but de ce travail est de concevoir, simuler et optimiser une antenne hélicoïdale d’émission en bande de fréquence S destinée aux les applications spatiales pour une liaison TT&C d’un satellite à basse orbite. Le travail de simulation a été effectué par le biais du logiciel CST Studio. Nous avons procédé à la simulation des performances liées au rayonnement : Gain, angle d’ouverture à demi puissance, rapport axial et niveau des lobes secondaires. Ceci pour le cas d’une antenne hélicoïdale monofilaire et d’une antenne hélicoïdale quadri-filaire, en variant les dimensions de l’antenne (nombre de spires, diamètre et longueur axiale) et les caractéristiques du plan de masse. En se basant sur les résultats de simulation, sur le cahier des charges et sur les conditions requises liées à l’application à laquelle sera destinées cette antenne, nous avons opté pour l’antenne quadri-filaire. La conception du circuit d’alimentation a également été effectuée. L’antenne hélicoïdale quadri-filaire ainsi que son circuit d’alimentation ont été dimensionné en accord avec le cahier des charges établi ainsi que les contraintes liées à l’application. Leurs dimensions ont été optimisées par algorithme génétique.

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Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS / Aissa Belarni (2014) 

Public ISBD Titre : Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS : micro-commutateurs pour les signaux hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Aissa Belarni, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Patrick Pons, Directeur de thèse Editeur : Bab Ezzouar : [s.n.] Année de publication : 2014 Importance : 142 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 2014 Bibliogr. f. 124 - 132. - Annexes f. 133 - 142 Langues : Français (fre) Mots-clés : Chargement des diélectriques Structures MEMS Signaux hyperfréquences Micro-commutateurs Microscopie à force atomique Index. décimale : D002814 Résumé : Les travaux présentés dans cette thèse s'inscrivent dans cette problématique de fiabilité. Nous détaillerons plus spécifiquement celle qui porte sur l'étude du phénomène de charges déposées dans les couches minces diélectriques en utilisant une pointe de microscope à force atomique. Dans le premier chapitre de ce mémoire, nous présenteront une bibliographie des MEMS-RF. Nous exposerons leurs principes de fonctionnement et les généralités théoriques qui les décrivent. Nous donnerons également un état de l'art des MEMS-RF. Nous parlerons aussi des phénomènes qui limitent la fiabilité de ces composants, notamment les modes de défaillance mécaniques et électriques. Nous aborderons ensuite la technique de dépôt par PECVD et les principales techniques de caractérisation physico-chimiques FTIR et RBS. Nous présenterons enfin le banc de test réalisé au LAAS dédié aux mesures de courant transitoire sur les capacités MIM. Le deuxième chapitre est une description détaillée du mode dynamique et la modélisation du comportement de l'oscillateur au voisinage de la surface. Nous présenterons les différentes parties qui composent le microscope. Le troisième chapitre introduit les principales techniques de la microscopie à force atomiques couplée au mode détection de phase, et au mode Kelvin. Ce couplage permettra à travers le sondage des forces électrostatiques d'étudier l'injection est le transport des charges dans les couches minces diélectriques. L'accent est mis sur la nécessité d'optimiser les paramètres de mesure. Enfin, dans le quatrième chapitre seront présentés les résultats de mesure de chargement sur le nitrure de silicium obtenu par PEVCD et sur l'oxyde de silicium basse température (LTO). Contribution à l'étude du chargement des diélectriques dans les structures MEMS : micro-commutateurs pour les signaux hyperfréquences [texte imprimé] / Aissa Belarni, Auteur ; Rachida Touhami, Directeur de thèse ; Patrick Pons, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 2014 . - 142 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM. Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 2014 Bibliogr. f. 124 - 132. - Annexes f. 133 - 142 Langues : Français (fre) Mots-clés : Chargement des diélectriques Structures MEMS Signaux hyperfréquences Micro-commutateurs Microscopie à force atomique Index. décimale : D002814 Résumé : Les travaux présentés dans cette thèse s'inscrivent dans cette problématique de fiabilité. Nous détaillerons plus spécifiquement celle qui porte sur l'étude du phénomène de charges déposées dans les couches minces diélectriques en utilisant une pointe de microscope à force atomique. Dans le premier chapitre de ce mémoire, nous présenteront une bibliographie des MEMS-RF. Nous exposerons leurs principes de fonctionnement et les généralités théoriques qui les décrivent. Nous donnerons également un état de l'art des MEMS-RF. Nous parlerons aussi des phénomènes qui limitent la fiabilité de ces composants, notamment les modes de défaillance mécaniques et électriques. Nous aborderons ensuite la technique de dépôt par PECVD et les principales techniques de caractérisation physico-chimiques FTIR et RBS. Nous présenterons enfin le banc de test réalisé au LAAS dédié aux mesures de courant transitoire sur les capacités MIM. Le deuxième chapitre est une description détaillée du mode dynamique et la modélisation du comportement de l'oscillateur au voisinage de la surface. Nous présenterons les différentes parties qui composent le microscope. Le troisième chapitre introduit les principales techniques de la microscopie à force atomiques couplée au mode détection de phase, et au mode Kelvin. Ce couplage permettra à travers le sondage des forces électrostatiques d'étudier l'injection est le transport des charges dans les couches minces diélectriques. L'accent est mis sur la nécessité d'optimiser les paramètres de mesure. Enfin, dans le quatrième chapitre seront présentés les résultats de mesure de chargement sur le nitrure de silicium obtenu par PEVCD et sur l'oxyde de silicium basse température (LTO).

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Etude et réalisation d'un programme d'analyse des circuits intégrés à M.O.S. / Mahdi, Rachida (1985) 

Public ISBD Titre : Etude et réalisation d'un programme d'analyse des circuits intégrés à M.O.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Mahdi, Rachida, Auteur ; Karakhanian, Edouard, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1985 Importance : 95 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985 Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor MOS Modèle numérique Circuits intégrale Index. décimale : PN03985 Résumé : Le programme présenté dans cette étude est un outil d'aide pour la conception des circuits digitaux à MOS. Le premier chapitre introduit les différents modèles existants du transistor MOS, les effets physiques dont il faut tenir compte afin d'établir le modèle et les approches permettant d'élaborer un programme. Le deuxième chapitre introduit le modèle numérique, linéaire du transistor MOS. Le troisième chapitre introduit l'algorithme, l'organigramme et le programme. Enfin une vérification du programme d'analyse est présentée au chapitre quatre. Etude et réalisation d'un programme d'analyse des circuits intégrés à M.O.S. [texte imprimé] / Mahdi, Rachida, Auteur ; Karakhanian, Edouard, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1985 . - 95 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985 Bibliogr. [2] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor MOS Modèle numérique Circuits intégrale Index. décimale : PN03985 Résumé : Le programme présenté dans cette étude est un outil d'aide pour la conception des circuits digitaux à MOS. Le premier chapitre introduit les différents modèles existants du transistor MOS, les effets physiques dont il faut tenir compte afin d'établir le modèle et les approches permettant d'élaborer un programme. Le deuxième chapitre introduit le modèle numérique, linéaire du transistor MOS. Le troisième chapitre introduit l'algorithme, l'organigramme et le programme. Enfin une vérification du programme d'analyse est présentée au chapitre quatre.

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PN03985	PN03985	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Projet Fin d'Etudes	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. / Rachida Touhami Née Mahdi (1989) 

Public ISBD Titre : Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Rachida Touhami Née Mahdi, Auteur ; Meraghni, A., Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1989 Importance : 113 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1989 Annexe f. 114-117. Bibliogr. f. 118-120 Langues : Français (fre) Mots-clés : Programme d'analyse transitoire  Circuits intégrés à M.O.S  Modélisation du transistor  MOS Programme  PATMOS Index. décimale : M000489 Résumé : Ceci nous mène à établir notre plan de travail comme suit: Dans un premier chapitre; nous présenterons la conception du modèle numérique du transistor M.O.S qui comprend deux approximations (transistor simple, transistor avec Cgs et Cgd) ainsi qu'une étude sur les modèles mathématiques et physiques. Au deuxième chapitre, le choix de l'algorithme d'analyse résulte d'un compromis entre la convergence, le temps de calcul et l'espace mémoire. Nous étudierons principalement les méthodes d'analyse, de formulation et d'intégration pour l'élaboration d'un programme universel avec temps de réponse et espace mémoire optimaux. Au troisième chapitre; les méthodes de formulation des équations par la théorie des graphes et la variable d'état, présentent des contraintes pour l'élaboration d'un logiciel universel. Nous avons jugé utile d'élaborer un algorithme de formulation automatique des équations d'analyse pour le transistor M.O.S. simple, le transistor avec capacité entre électrodes. Une étude numérique sur les méthodes de résolution des équations linéaires nous a permis l'amélioration de ce programme. Au quatrième chapitre; l'optimisation a été faite à partir: - De l'élaboration des logiciels de conversion topologie / données de description. - Du choix d'un calcul automatique du pas d'intégration, permettant de diminuer le temps d'exécution du PATMOS. Les vérifications expérimentales nous ont permis d'évaluer la précision avec laquelle le circuit intégré est simulé. Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. [texte imprimé] / Rachida Touhami Née Mahdi, Auteur ; Meraghni, A., Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1989 . - 113 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1989 Annexe f. 114-117. Bibliogr. f. 118-120 Langues : Français (fre) Mots-clés : Programme d'analyse transitoire  Circuits intégrés à M.O.S  Modélisation du transistor  MOS Programme  PATMOS Index. décimale : M000489 Résumé : Ceci nous mène à établir notre plan de travail comme suit: Dans un premier chapitre; nous présenterons la conception du modèle numérique du transistor M.O.S qui comprend deux approximations (transistor simple, transistor avec Cgs et Cgd) ainsi qu'une étude sur les modèles mathématiques et physiques. Au deuxième chapitre, le choix de l'algorithme d'analyse résulte d'un compromis entre la convergence, le temps de calcul et l'espace mémoire. Nous étudierons principalement les méthodes d'analyse, de formulation et d'intégration pour l'élaboration d'un programme universel avec temps de réponse et espace mémoire optimaux. Au troisième chapitre; les méthodes de formulation des équations par la théorie des graphes et la variable d'état, présentent des contraintes pour l'élaboration d'un logiciel universel. Nous avons jugé utile d'élaborer un algorithme de formulation automatique des équations d'analyse pour le transistor M.O.S. simple, le transistor avec capacité entre électrodes. Une étude numérique sur les méthodes de résolution des équations linéaires nous a permis l'amélioration de ce programme. Au quatrième chapitre; l'optimisation a été faite à partir: - De l'élaboration des logiciels de conversion topologie / données de description. - Du choix d'un calcul automatique du pas d'intégration, permettant de diminuer le temps d'exécution du PATMOS. Les vérifications expérimentales nous ont permis d'évaluer la précision avec laquelle le circuit intégré est simulé.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M000489	M000489	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Mémoire de Magister	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V / Rachida Touhami Née Mahdi (2001) 

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Réalisation d’un système de collecte de données mobile (système) à base de lecteur RFID UHF / Abderrahim Boughagha (2018) 

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