Les Inscriptions à la Bibliothèque sont ouvertes en
ligne via le site: https://biblio.enp.edu.dz
Les Réinscriptions se font à :
• La Bibliothèque Annexe pour les étudiants en
2ème Année CPST
• La Bibliothèque Centrale pour les étudiants en Spécialités
A partir de cette page vous pouvez :
Retourner au premier écran avec les recherches... |
Détail de l'auteur
Auteur Tayeb Mohammed Brahim
Documents disponibles écrits par cet auteur
Affiner la rechercheEffet du substrat semi-isolant (GAAS) sur le comportement des transitors MESFET à l'arseniure de gallium / Zebbar Née Rezgui, Nacéra
Titre : Effet du substrat semi-isolant (GAAS) sur le comportement des transitors MESFET à l'arseniure de gallium Type de document : texte imprimé Auteurs : Zebbar Née Rezgui, Nacéra, Auteur ; Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne Année de publication : 1988 Importance : 100 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1988
Annexe f. 101 - 114 . Bibliogr. f. 115 - 118Langues : Français (fre) Mots-clés : Substrat ; Substrat semi-isolant ; MESFET ; Arséniure -- gallium Index. décimale : M002188 Résumé : L'étude que nous avons menée sera présentée en quatre parties:
- Dans une première partie nous exposons le problème de "l'effet de substrat" et sa relation avec la présence d'une zone de charge d'espace au niveau de l'interface couche conductrice/substrat semi-isolant.
- Dans une deuxième partie seront présentés les échantillons utilisés ainsi que leur caractérisation électrique.
- La troisième partie consistera en l'étude expérimentale du phénomène "effet de substrat".
- Dans une quatrième partie, nous essayerons d'expliquer les résultats expérimentaux et de donner un modèle expliquant l'origine de cet effet.Effet du substrat semi-isolant (GAAS) sur le comportement des transitors MESFET à l'arseniure de gallium [texte imprimé] / Zebbar Née Rezgui, Nacéra, Auteur ; Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse . - Alger : Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne, 1988 . - 100 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1988
Annexe f. 101 - 114 . Bibliogr. f. 115 - 118
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Substrat ; Substrat semi-isolant ; MESFET ; Arséniure -- gallium Index. décimale : M002188 Résumé : L'étude que nous avons menée sera présentée en quatre parties:
- Dans une première partie nous exposons le problème de "l'effet de substrat" et sa relation avec la présence d'une zone de charge d'espace au niveau de l'interface couche conductrice/substrat semi-isolant.
- Dans une deuxième partie seront présentés les échantillons utilisés ainsi que leur caractérisation électrique.
- La troisième partie consistera en l'étude expérimentale du phénomène "effet de substrat".
- Dans une quatrième partie, nous essayerons d'expliquer les résultats expérimentaux et de donner un modèle expliquant l'origine de cet effet.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M002188 M002188 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
REZGUI.Nacera.pdfURL
Titre : Etude des niveaux d'énergie profonds dans l'iodure mercurique : application à la détection nucléaire Type de document : texte imprimé Auteurs : Tayeb Mohammed Brahim, Auteur ; Y. Marfaing, Directeur de thèse Editeur : Université de Paris-Sud Année de publication : 1982 Importance : 160 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Physique : Paris, Université de Paris-Sud : 1982
Bibliogr. [13] fLangues : Français (fre) Mots-clés : Niveaux -- énergie profonds
Iodure -- mercurique
Détection -- nucléaire
Photoconductivité
PolarisationIndex. décimale : D003082 Résumé : Depuis l'avènement des détecteurs à semiconducteur, la spectrométrie nucléaire a fait un bond en avant.
Avant l'introduction des matériaux semiconducteurs, l'utilisation des scintillateurs NaI activés au thallium comme détecteurs de rayonnements ϒ était très répandue.
Ces scintillateurs de par leur grand volume possèdent une bonne efficacité dans le domaine 0,1 à 5 MeV.
Ils fonctionnent à température ambiante.
Cependant leur résolution est faible.
Notre intervention se situe dans le cadre des efforts de compréhension des phénomènes de piégeage.
Nous allons, dans une première partie, présenter la structure, les méthodes de croissance et les propriétés générales du matériau données par différents auteurs.
Puis nous présenterons les méthodes expérimentales d'étude utilisées et les résultats expérimentaux concernant aussi bien les propriétés intrinsèques du matériau que les défauts qui s'y trouvent.
Ces résultats nous amèneront à présenter un modèle de niveaux permis dans la bande interdite.
Des phénomènes de polarisation seront mis en évidence dans tous les cristaux quelle que soit leur origine et un essai d'explication sera présenté.Etude des niveaux d'énergie profonds dans l'iodure mercurique : application à la détection nucléaire [texte imprimé] / Tayeb Mohammed Brahim, Auteur ; Y. Marfaing, Directeur de thèse . - [S.l.] : Université de Paris-Sud, 1982 . - 160 f. : ill. ; 27 cm.
Thèse de Doctorat : Physique : Paris, Université de Paris-Sud : 1982
Bibliogr. [13] f
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Niveaux -- énergie profonds
Iodure -- mercurique
Détection -- nucléaire
Photoconductivité
PolarisationIndex. décimale : D003082 Résumé : Depuis l'avènement des détecteurs à semiconducteur, la spectrométrie nucléaire a fait un bond en avant.
Avant l'introduction des matériaux semiconducteurs, l'utilisation des scintillateurs NaI activés au thallium comme détecteurs de rayonnements ϒ était très répandue.
Ces scintillateurs de par leur grand volume possèdent une bonne efficacité dans le domaine 0,1 à 5 MeV.
Ils fonctionnent à température ambiante.
Cependant leur résolution est faible.
Notre intervention se situe dans le cadre des efforts de compréhension des phénomènes de piégeage.
Nous allons, dans une première partie, présenter la structure, les méthodes de croissance et les propriétés générales du matériau données par différents auteurs.
Puis nous présenterons les méthodes expérimentales d'étude utilisées et les résultats expérimentaux concernant aussi bien les propriétés intrinsèques du matériau que les défauts qui s'y trouvent.
Ces résultats nous amèneront à présenter un modèle de niveaux permis dans la bande interdite.
Des phénomènes de polarisation seront mis en évidence dans tous les cristaux quelle que soit leur origine et un essai d'explication sera présenté.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire D003082 D003082 Papier Bibliothèque centrale Thèse de Doctorat Disponible Documents numériques
MOHAMMED-BRAHIM.Tayeb.pdfURL Etude et réalisation de plusieurs niveaux de métallisation à basse température (<600°C) / Feriel Sihem Hamdi
Titre : Etude et réalisation de plusieurs niveaux de métallisation à basse température (<600°C) : application à la réalisation d'un capteur de position intégré avec son électronique de conditionnement Type de document : texte imprimé Auteurs : Feriel Sihem Hamdi, Auteur ; Haddadi, Mourad, Directeur de thèse ; Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2009 Importance : 106 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Accompagnement : 1 CD-ROM. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Supérieure Polytechnique: 2009
Bibliogr. 108 - 112 . - Annexes f. 113 - 119Langues : Français (fre) Mots-clés : Double métallisation
Fabrication de microsystème
TFT (transistor couches minces)
Air gap
Capteur de positionIndex. décimale : PN00609 Résumé : La multiplicité des niveaux de métallisation est indispensable pour l’association, en microélectronique, des différentes parties d’un microsystème complexe.
Le but de ce projet est l’étude et la réalisation de deux niveaux de métallisation pour connecter un capteur de position et son électronique de conditionnement, tous deux faits en technologie basse température.
En changeant le matériau de métallisation ou le procédé de dépôt de la couche d’inter-metal, quatre conditions ont été proposées et testées.
Durant cette étude, il a été notamment possible de réaliser des ponts suspendus qui tiennent mécaniquement sur plusieurs millimètres de longueur.
Ce même chapitre introduit les différents axes de recherche du Groupe Microélectronique de l’IETR, puis explique le principe de fonctionnement des diverses machines et manipulations en salle blanche.
Enfin, un historique des dispositifs créés en polycristallin clôture ce premier chapitre.
Le second chapitre est plus axé sur le microsystème en lui-même.
Après une brève explication du fonctionnement des TFTs en général, et du TFT Hall en particulier, le microsystème et ses différentes parties sont présentés.
Enfin, les différentes étapes du procédé de fabrication jusqu’au premier niveau de métallisation sont détaillées.
Le troisième chapitre est consacré à la double métallisation.
Après avoir cerné le problème rencontré par E. Jaques [1] et les résultats des solutions alors testées, nous résumons les procédés proposés dans la littérature.
Nous présentons ensuite les nouvelles conditions qui ont été testées durant le stage au sein de l’IETR et les raisons de ces choix.
Le dernier chapitre contient les caractéristiques ou résultats des tests des différentes conditions.
Mais avant d’illustrer ces résultats et de les interpréter, ce chapitre introduit les paramètres essentiels et les courbes typiques d’un poly-Si TFT.Etude et réalisation de plusieurs niveaux de métallisation à basse température (<600°C) : application à la réalisation d'un capteur de position intégré avec son électronique de conditionnement [texte imprimé] / Feriel Sihem Hamdi, Auteur ; Haddadi, Mourad, Directeur de thèse ; Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2009 . - 106 f. : ill. ; 30 cm. + 1 CD-ROM.
Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Supérieure Polytechnique: 2009
Bibliogr. 108 - 112 . - Annexes f. 113 - 119
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Double métallisation
Fabrication de microsystème
TFT (transistor couches minces)
Air gap
Capteur de positionIndex. décimale : PN00609 Résumé : La multiplicité des niveaux de métallisation est indispensable pour l’association, en microélectronique, des différentes parties d’un microsystème complexe.
Le but de ce projet est l’étude et la réalisation de deux niveaux de métallisation pour connecter un capteur de position et son électronique de conditionnement, tous deux faits en technologie basse température.
En changeant le matériau de métallisation ou le procédé de dépôt de la couche d’inter-metal, quatre conditions ont été proposées et testées.
Durant cette étude, il a été notamment possible de réaliser des ponts suspendus qui tiennent mécaniquement sur plusieurs millimètres de longueur.
Ce même chapitre introduit les différents axes de recherche du Groupe Microélectronique de l’IETR, puis explique le principe de fonctionnement des diverses machines et manipulations en salle blanche.
Enfin, un historique des dispositifs créés en polycristallin clôture ce premier chapitre.
Le second chapitre est plus axé sur le microsystème en lui-même.
Après une brève explication du fonctionnement des TFTs en général, et du TFT Hall en particulier, le microsystème et ses différentes parties sont présentés.
Enfin, les différentes étapes du procédé de fabrication jusqu’au premier niveau de métallisation sont détaillées.
Le troisième chapitre est consacré à la double métallisation.
Après avoir cerné le problème rencontré par E. Jaques [1] et les résultats des solutions alors testées, nous résumons les procédés proposés dans la littérature.
Nous présentons ensuite les nouvelles conditions qui ont été testées durant le stage au sein de l’IETR et les raisons de ces choix.
Le dernier chapitre contient les caractéristiques ou résultats des tests des différentes conditions.
Mais avant d’illustrer ces résultats et de les interpréter, ce chapitre introduit les paramètres essentiels et les courbes typiques d’un poly-Si TFT.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire PN00609 PN00609 Papier + ressource électronique Bibliothèque centrale Projet Fin d'Etudes Disponible Electronique Consultation sur place/Téléchargeable Documents numériques
HAMDI.Feriel Sihem.pdfURL