| Titre : |
Etude par faisceaux d'ions de l'hydrogène implanté dans le magnésium |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Ahmed Chafik Chami, Auteur ; E. Ligeon, Directeur de thèse |
| Editeur : |
Université Scientifique & Médicale de Grenoble |
| Année de publication : |
1977 |
| Importance : |
45 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Instrumentation Physique : Grenoble, Université Scientifique & Médicale de Grenoble : 1977
Annexe [50] f . - Bibliogr. [3] f |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Faisceaux -- ions
Hydrogène
Magnésium
Bombardement ionique
Ions
Implantation |
| Index. décimale : |
D001277 |
| Résumé : |
L'étude du comportement de l'hydrogène dans les métaux est depuis plusieurs années une source importante de recherches, notamment dans le domaine de la métallurgie où les effets de fragilisation à "froid" ou a "chaud" sont importants dans les alliages utilisés industriellement.
ceci a donné lieu à de très nombreuses études concernant en particulier la solubilité, la perméabilité, le comportement en surface, la formation d'hydrures et de bulles internes.
Nous avons utilisé ces deux techniques nucléaires pour faire l'analyse de la diffusion de l'hydrogène dans le Magnésium en mesurant à diverses températures à la fois les profils d'hydrogène implanté et la localisation dans le réseau cristallin.
Notre étude repose sur le fait que les défauts ponctuels d'irradiation ont déjà été largement étudiés jusqu'à présent et sont relativement bien connu dans le cas du Magnésium.
Nous avons donc cherché à relier la migration et la localisation de l'Hydrogène implanté à celles des défauts d'irradiation.
Les comparaisons ont été faites en faisant varier la température (recuit, température d'implantation).
Nous avons, pour toutes les expériences, changé les échantillons par implantation ionique; ce mode de chargement est intéressant pour les raisons suivante:
- IL est avant tout un moyen de dopage très "souple" (contrôle de la dose, de la profondeur, possibilité de sursaturation).
- Il est utilisé comme moyen de production de défauts ponctuels qui se trouvent dans ce cas sous forme isolée (lacunes, interstitiels) pour l'étude de l'interaction hydrogène-défauts d'irradiation.
- Il permet de garder l'Hydrogène à l'état dispersé à basse température, ce qui est difficile à réaliser par d'autres méthodes de chargement.
Par ailleurs l'utilisation de monocristaux de bonne pureté permet de minimiser les interférences entre l'hydrogène et des défauts plus complexes (pour nos méthodes d'analyse) tels que réseau de dislocation, joints de grain, etc.... |
Etude par faisceaux d'ions de l'hydrogène implanté dans le magnésium [texte imprimé] / Ahmed Chafik Chami, Auteur ; E. Ligeon, Directeur de thèse . - Université Scientifique & Médicale de Grenoble, 1977 . - 45 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Instrumentation Physique : Grenoble, Université Scientifique & Médicale de Grenoble : 1977
Annexe [50] f . - Bibliogr. [3] f Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Faisceaux -- ions
Hydrogène
Magnésium
Bombardement ionique
Ions
Implantation |
| Index. décimale : |
D001277 |
| Résumé : |
L'étude du comportement de l'hydrogène dans les métaux est depuis plusieurs années une source importante de recherches, notamment dans le domaine de la métallurgie où les effets de fragilisation à "froid" ou a "chaud" sont importants dans les alliages utilisés industriellement.
ceci a donné lieu à de très nombreuses études concernant en particulier la solubilité, la perméabilité, le comportement en surface, la formation d'hydrures et de bulles internes.
Nous avons utilisé ces deux techniques nucléaires pour faire l'analyse de la diffusion de l'hydrogène dans le Magnésium en mesurant à diverses températures à la fois les profils d'hydrogène implanté et la localisation dans le réseau cristallin.
Notre étude repose sur le fait que les défauts ponctuels d'irradiation ont déjà été largement étudiés jusqu'à présent et sont relativement bien connu dans le cas du Magnésium.
Nous avons donc cherché à relier la migration et la localisation de l'Hydrogène implanté à celles des défauts d'irradiation.
Les comparaisons ont été faites en faisant varier la température (recuit, température d'implantation).
Nous avons, pour toutes les expériences, changé les échantillons par implantation ionique; ce mode de chargement est intéressant pour les raisons suivante:
- IL est avant tout un moyen de dopage très "souple" (contrôle de la dose, de la profondeur, possibilité de sursaturation).
- Il est utilisé comme moyen de production de défauts ponctuels qui se trouvent dans ce cas sous forme isolée (lacunes, interstitiels) pour l'étude de l'interaction hydrogène-défauts d'irradiation.
- Il permet de garder l'Hydrogène à l'état dispersé à basse température, ce qui est difficile à réaliser par d'autres méthodes de chargement.
Par ailleurs l'utilisation de monocristaux de bonne pureté permet de minimiser les interférences entre l'hydrogène et des défauts plus complexes (pour nos méthodes d'analyse) tels que réseau de dislocation, joints de grain, etc.... |
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