| Titre : |
Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique : etude d'un recuit thermique |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Aoucher, Moussa, Auteur ; Benmalek, M., Directeur de thèse |
| Editeur : |
Bab Ezzouar : [s.n.] |
| Année de publication : |
1984 |
| Importance : |
114 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Magister : Énergie Solaire : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984
Annexe f. 117 - 125 . Bibliogr. f. 129 - 135 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Conversion -- photovoltaïque
Amorphe tétracoordinés
Semiconducteur |
| Index. décimale : |
M005385 |
| Résumé : |
Notre contribution porte sur l'étude de l'évolution induite par les effets du recuit thermique.
L'étude est menée sur des couches de silicium amorphe obtenues par évaporation au canon à électrons.
Pour caractériser cette évolution, nous avons choisi deux propriétés électroniques: les variations de l'absorption optique en fonction de l'énergie de photon et de la conductivité électrique en fonction de la température.
Ces deux propriétés font intervenir les états localisés qui dépendent de la préparation.
Dans la première partie de ce travail, nous rappelons les modèles d'arrangements atomiques proposés pour les semiconducteurs amorphes tétracoordinés et le concept fondamental de la structure électronique.
Nous pouvons alors décrire les processus d'absorption optique et les processus de transports des porteurs.
La seconde partie décrit la préparation des couches amorphes en insistant sur les techniques de caractérisations et la procédure du recuit thermique.
Dans la troisième partie nous reportons les résultats expérimentaux, leurs interprétations et leurs discussions.
Dans cette partie une analyse de la variation irréversible de la conductivité au cours du recuit isotherme est proposée. |
Propriétés électroniques du silicium amorphe préparé par bombardement électronique : etude d'un recuit thermique [texte imprimé] / Aoucher, Moussa, Auteur ; Benmalek, M., Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1984 . - 114 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Énergie Solaire : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984
Annexe f. 117 - 125 . Bibliogr. f. 129 - 135 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Conversion -- photovoltaïque
Amorphe tétracoordinés
Semiconducteur |
| Index. décimale : |
M005385 |
| Résumé : |
Notre contribution porte sur l'étude de l'évolution induite par les effets du recuit thermique.
L'étude est menée sur des couches de silicium amorphe obtenues par évaporation au canon à électrons.
Pour caractériser cette évolution, nous avons choisi deux propriétés électroniques: les variations de l'absorption optique en fonction de l'énergie de photon et de la conductivité électrique en fonction de la température.
Ces deux propriétés font intervenir les états localisés qui dépendent de la préparation.
Dans la première partie de ce travail, nous rappelons les modèles d'arrangements atomiques proposés pour les semiconducteurs amorphes tétracoordinés et le concept fondamental de la structure électronique.
Nous pouvons alors décrire les processus d'absorption optique et les processus de transports des porteurs.
La seconde partie décrit la préparation des couches amorphes en insistant sur les techniques de caractérisations et la procédure du recuit thermique.
Dans la troisième partie nous reportons les résultats expérimentaux, leurs interprétations et leurs discussions.
Dans cette partie une analyse de la variation irréversible de la conductivité au cours du recuit isotherme est proposée. |
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