Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain / Belkaïd, Saïd (1984) 

Public ISBD Titre : Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain Type de document : texte imprimé Auteurs : Belkaïd, Saïd, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse Editeur : Bab Ezzouar : [s.n.] Année de publication : 1984 Importance : 123 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Énergie solaire Silicium-oxyde -- étain Effet photovoltaïque Hétérojonctions Index. décimale : M005584 Résumé : Dans ce travail, nous nous somme intéressés à apporter une contribution à la réalisation et l'optimisation de structures photovoltaïques silicium-oxyde d'étain à partir de substrats de silicium monocristallin fournis par la division semiconducteurs de l'Entreprise Nationale des Industries Electroniques de Sidi-Bel-Abbas. La première partie de ce travail (Partie A) développe les principes théoriques de l'effet photovoltaïque sur le modèle d'une homojonction P-N au silicium et en dégage les paramètres caractéristiques. L'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque, a été étudiée. D'autre part, nous avons abordé l'étude théorique de la structure silicium-oxyde d'étain. La deuxième partie (B) présente la réalisation expérimentale de la cellule photovoltaïque à hétérojonction silicium-oxyde d'étain et son optimisation. Nous avons, pour cela, utilisé la méthode de déposition chimique en phase vapeur (C.V.D) qui est une méthode très simple et économique. Elle permet d'obtenir à des températures relativement basses des films minces d'oxyde d'étain extrêmement stables et adhérents sur de nombreux substrats (verre, silicium, etc...). Nous nous sommes attachées à l'optimisation de chacun des facteurs entrant dans la fabrication. Une discussion sur les résultats obtenus nous permettent de conclure positivement sur les possibilités réelles de ces dispositifs comme convertisseurs photovoltaïques. Un rendement de conversion de 6,75 % a été atteint. Contribution à la réalisation et l'optimisation photovoltaïque d'hétérojonctions à semiconducteurs de type silicium-oxyde d'étain [texte imprimé] / Belkaïd, Saïd, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1984 . - 123 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984 Bibliogr. [4] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Énergie solaire Silicium-oxyde -- étain Effet photovoltaïque Hétérojonctions Index. décimale : M005584 Résumé : Dans ce travail, nous nous somme intéressés à apporter une contribution à la réalisation et l'optimisation de structures photovoltaïques silicium-oxyde d'étain à partir de substrats de silicium monocristallin fournis par la division semiconducteurs de l'Entreprise Nationale des Industries Electroniques de Sidi-Bel-Abbas. La première partie de ce travail (Partie A) développe les principes théoriques de l'effet photovoltaïque sur le modèle d'une homojonction P-N au silicium et en dégage les paramètres caractéristiques. L'optimisation du rendement de conversion, paramètre principal d'une cellule photovoltaïque, a été étudiée. D'autre part, nous avons abordé l'étude théorique de la structure silicium-oxyde d'étain. La deuxième partie (B) présente la réalisation expérimentale de la cellule photovoltaïque à hétérojonction silicium-oxyde d'étain et son optimisation. Nous avons, pour cela, utilisé la méthode de déposition chimique en phase vapeur (C.V.D) qui est une méthode très simple et économique. Elle permet d'obtenir à des températures relativement basses des films minces d'oxyde d'étain extrêmement stables et adhérents sur de nombreux substrats (verre, silicium, etc...). Nous nous sommes attachées à l'optimisation de chacun des facteurs entrant dans la fabrication. Une discussion sur les résultats obtenus nous permettent de conclure positivement sur les possibilités réelles de ces dispositifs comme convertisseurs photovoltaïques. Un rendement de conversion de 6,75 % a été atteint.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M005584	M005584	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Mémoire de Magister	Disponible	Autre	Consultation sur place/Téléchargeable

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