Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel / Belleville, Philippe (2005)

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés / Guillaume Bernard (2012)   Titre : Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel : réf. internet IN 40 Type de document : texte imprimé Auteurs : Belleville, Philippe, Auteur ; Boy, Philippe, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2005 Importance : p. 113 - 119 Note générale : Bibliogr. p. 119 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériau PZT Silicium Note de contenu : Sommaire : 1. But de la recherche 2. État de l’art 3. Avantages du procédé 4. Description du procédé 5. Autres compositions étudiées 6. Conclusion in Techniques de l'ingénieur : électronique Ti350. Matériaux pour l'électronique et dispositifs associés / Guillaume Bernard (2012)   Matériau PZT compatible avec le silicium Procédé de dépôt par voie sol-gel : réf. internet IN 40 [texte imprimé] / Belleville, Philippe, Auteur ; Boy, Philippe, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2005 . - p. 113 - 119. Bibliogr. p. 119 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériau PZT Silicium Note de contenu : Sommaire : 1. But de la recherche 2. État de l’art 3. Avantages du procédé 4. Description du procédé 5. Autres compositions étudiées 6. Conclusion

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Matériau PZT compatible avec le silicium procédé de dépôt par voie sol-gel / Belleville, Philippe (2005)

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : matériaux fonctionnels Ti580. Matériaux à propriétés électriques et optiques / Gérard Béranger (2012)   Titre : Matériau PZT compatible avec le silicium procédé de dépôt par voie sol-gel : réf. internet IN40 Type de document : texte imprimé Auteurs : Belleville, Philippe, Auteur ; Boy, Philippe, Auteur Editeur : Paris : Techniques de l'ingénieur Année de publication : 2005 Importance : p. 341 - 348 Note générale : Bibliogr. p. 347 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériau Silicium procédé Recherche -- But Procédé Avantage description Note de contenu : Sommaire : 1. But de la recherche 2. Etat de l'art 3. Avantages du procédé 4. Description du procédé 5. Autres compositions étudiées in Techniques de l'ingénieur : matériaux fonctionnels Ti580. Matériaux à propriétés électriques et optiques / Gérard Béranger (2012)   Matériau PZT compatible avec le silicium procédé de dépôt par voie sol-gel : réf. internet IN40 [texte imprimé] / Belleville, Philippe, Auteur ; Boy, Philippe, Auteur . - Paris : Techniques de l'ingénieur, 2005 . - p. 341 - 348. Bibliogr. p. 347 Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériau Silicium procédé Recherche -- But Procédé Avantage description Note de contenu : Sommaire : 1. But de la recherche 2. Etat de l'art 3. Avantages du procédé 4. Description du procédé 5. Autres compositions étudiées

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