| Titre : |
Le transistor hyperfréquence à effet de champ à l'arséniure de Gallium : modèles mathématiques pour la conception assistée par ordinateur des circuits non linéaires |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Auteurs : |
Chérifa Azizi, Auteur ; A. Martinez, Directeur de thèse |
| Editeur : |
Université Paul Sabatier de Toulouse |
| Année de publication : |
1981 |
| Importance : |
186 f. |
| Présentation : |
ill. |
| Format : |
27 cm. |
| Note générale : |
Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1981
Annexe f. 189 - 194 . - Bibliogr. f. 197 - 204 |
| Langues : |
Français (fre) |
| Mots-clés : |
Transistor hyperfréquence
Circuit non linéaires
Modèles mathématiques du TEC GaAs
Amplificateurs
Arseniure de gallium
CAO des circuits |
| Index. décimale : |
D000881 |
| Résumé : |
Le travail que nous venons de présenter est consacré à l'établissement de modèles mathématiques du TEC au GaAs pour la conception assistée par ordinateur des circuits et à l'application à la définition de la méthodologie d'étude des amplificateurs hyperfréquences de puissance et de la détermination des performances des portes logiques utilisant ce type de composant.
L'objet de ce mémoire couvre les trois aspects suivants:
- Le premier est relatif à la caractérisation des mécanismes spécifiques qui régissent le fonctionnement du composant en régime statique et de basses fréquences et liés plus particulièrement aux propriétés de l'interface entre la couche active N épitaxiée et le substrat semi-isolant.
Les propriétés du transistor dans ses divers régimes de conduction - sous le seuil, en zone ohmique et en zone saturée et lorsque la grille est en polarisation directe - sont reportées.
Puis, moyennant certaines hypothèses simplificatrices, on propose des expressions analytiques pour décrire chaque phénomène particulier.
- Le deuxième aspect concerne l'établissement de deux modèles mathématiques CAO du TEC GaAs.
(i) Le premier modèle de type distribué, sera établi en vue de décrire principalement le comportement électrique du composant lors du fonctionnement avec la grille en polarisation directe.
(ii) un modèle plus compact sera ensuite proposé en vue de traduire le comportement électrique du composant en régimes statique, dynamique dit de petits ou de grands signaux.
Ces modèles qui comprendront des éléments linéaires et non linéaires devront être compatibles en formulation et en topologie avec les programmes de CAO modernes tels que par exemple le logiciel de simulation des circuits IMAG III.
- Le troisième volet de ce travail porte sur les applications du modèle mathématique compact proposé précédemment aux deux cas les plus importants: on visera à définir tout d'abord une méthodologie d'analyse du TEC GaAs dans les amplificateurs de puissance par une procédure de traitement dans le domaine temporel.
On s'intéressera ensuite à l'étude du régime de communication par la mise au point d'un modèle simplifié bien adapté à la simulation et à la conception des nouvelles familles logiques subnanosecondes dites " normalement passantes " (Normally-On).
On visera en particulier à définir les limites de performances ( puissance x temps de propagation ) des portes logiques les plus rapides afin de les comparer à toutes les autres familles logiques. |
Le transistor hyperfréquence à effet de champ à l'arséniure de Gallium : modèles mathématiques pour la conception assistée par ordinateur des circuits non linéaires [texte imprimé] / Chérifa Azizi, Auteur ; A. Martinez, Directeur de thèse . - Université Paul Sabatier de Toulouse, 1981 . - 186 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Toulouse, Université Paul Sabatier de Toulouse : 1981
Annexe f. 189 - 194 . - Bibliogr. f. 197 - 204 Langues : Français ( fre)
| Mots-clés : |
Transistor hyperfréquence
Circuit non linéaires
Modèles mathématiques du TEC GaAs
Amplificateurs
Arseniure de gallium
CAO des circuits |
| Index. décimale : |
D000881 |
| Résumé : |
Le travail que nous venons de présenter est consacré à l'établissement de modèles mathématiques du TEC au GaAs pour la conception assistée par ordinateur des circuits et à l'application à la définition de la méthodologie d'étude des amplificateurs hyperfréquences de puissance et de la détermination des performances des portes logiques utilisant ce type de composant.
L'objet de ce mémoire couvre les trois aspects suivants:
- Le premier est relatif à la caractérisation des mécanismes spécifiques qui régissent le fonctionnement du composant en régime statique et de basses fréquences et liés plus particulièrement aux propriétés de l'interface entre la couche active N épitaxiée et le substrat semi-isolant.
Les propriétés du transistor dans ses divers régimes de conduction - sous le seuil, en zone ohmique et en zone saturée et lorsque la grille est en polarisation directe - sont reportées.
Puis, moyennant certaines hypothèses simplificatrices, on propose des expressions analytiques pour décrire chaque phénomène particulier.
- Le deuxième aspect concerne l'établissement de deux modèles mathématiques CAO du TEC GaAs.
(i) Le premier modèle de type distribué, sera établi en vue de décrire principalement le comportement électrique du composant lors du fonctionnement avec la grille en polarisation directe.
(ii) un modèle plus compact sera ensuite proposé en vue de traduire le comportement électrique du composant en régimes statique, dynamique dit de petits ou de grands signaux.
Ces modèles qui comprendront des éléments linéaires et non linéaires devront être compatibles en formulation et en topologie avec les programmes de CAO modernes tels que par exemple le logiciel de simulation des circuits IMAG III.
- Le troisième volet de ce travail porte sur les applications du modèle mathématique compact proposé précédemment aux deux cas les plus importants: on visera à définir tout d'abord une méthodologie d'analyse du TEC GaAs dans les amplificateurs de puissance par une procédure de traitement dans le domaine temporel.
On s'intéressera ensuite à l'étude du régime de communication par la mise au point d'un modèle simplifié bien adapté à la simulation et à la conception des nouvelles familles logiques subnanosecondes dites " normalement passantes " (Normally-On).
On visera en particulier à définir les limites de performances ( puissance x temps de propagation ) des portes logiques les plus rapides afin de les comparer à toutes les autres familles logiques. |
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