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Le transistor MOS |
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Titre de série : Le transistor MOS, Fascicule 1 Titre : Fonctionnement et applications en logique Type de document : texte imprimé Auteurs : Zaghzi, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1975 Importance : 78 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 78Langues : Français (fre) Mots-clés : Semi-conducteur
Transistor MOS -- Fonctionnement
Porteurs de charge
Fonction logique
MultivibrateurIndex. décimale : PA00475 Résumé :
Le but de cette étude qui regroupe trois (03) fascicule, fonctionnement, amplification, technologie, est en quelque sorte de faire la synthèse de toutes les informations parues ces dernières années et ayant pour sujet le transistor MOSLe transistor MOS, Fascicule 1. Fonctionnement et applications en logique [texte imprimé] / Zaghzi, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1975 . - 78 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Projet de Fin d’Étude : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 78
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Semi-conducteur
Transistor MOS -- Fonctionnement
Porteurs de charge
Fonction logique
MultivibrateurIndex. décimale : PA00475 Résumé :
Le but de cette étude qui regroupe trois (03) fascicule, fonctionnement, amplification, technologie, est en quelque sorte de faire la synthèse de toutes les informations parues ces dernières années et ayant pour sujet le transistor MOSRéservation
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Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire PA00475 PA00475 Papier + ressource électronique Bibliothèque centrale Projet Fin d'Etudes Disponible Genie_Electrique Consultation sur place/Téléchargeable Documents numériques
ZAGHIZI.Mohamed.pdfURL
Titre de série : Le transistor MOS, Fascicule 2 Titre : Amplification Type de document : texte imprimé Auteurs : Brahami, Mohammed Mostafa, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1975 Importance : 117 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. [1] f .Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor MOS
Signal faible
Bruit
Amplification de puissance
Amplification audio fréquence
Tetrode MOS pour bande UHFIndex. décimale : PA00475(1) Résumé :
On a essayé dans cette étude d'analyser le fonctionnement du TMOS en donnant ses différentes caractéristiques, certaines de ces caractéristiques n'ont pas été très développées.
Après le fonctionnement c'est au tours de l'amplification faible niveau par le TMOS, son circuit équivalent et le comportement de son gain en fonction de la fréquence.Le transistor MOS, Fascicule 2. Amplification [texte imprimé] / Brahami, Mohammed Mostafa, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1975 . - 117 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. [1] f .
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Transistor MOS
Signal faible
Bruit
Amplification de puissance
Amplification audio fréquence
Tetrode MOS pour bande UHFIndex. décimale : PA00475(1) Résumé :
On a essayé dans cette étude d'analyser le fonctionnement du TMOS en donnant ses différentes caractéristiques, certaines de ces caractéristiques n'ont pas été très développées.
Après le fonctionnement c'est au tours de l'amplification faible niveau par le TMOS, son circuit équivalent et le comportement de son gain en fonction de la fréquence.Titre précédentTitre suivantRéservation
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BRAHAMI.Mohamed-Mostafa.pdfURL
Titre de série : Le transistor MOS, Fascicule 3 Titre : Technologies MOS Type de document : texte imprimé Auteurs : Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1975 Importance : 66 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 66Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor MOS
Micro électronique
Technologies MOSIndex. décimale : PA00475(2) Résumé :
La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.Le transistor MOS, Fascicule 3. Technologies MOS [texte imprimé] / Benali, Mohamed, Auteur ; Ahmed Zerguerras, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1975 . - 66 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Génie Electrique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1975
Génie Electrique voir aussi : Electrotechnique ou Automatique
Bibliogr. f. 66
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Transistor MOS
Micro électronique
Technologies MOSIndex. décimale : PA00475(2) Résumé :
La présente étude essaye de faire une description rapide des diverses technologies et de développer par la suite quelques technologies de fabrication des CI/MOS. La plupart sont fondés sur le procédé planar, inventé par Fairfild en 1960, et possèdent beaucoup de traits communs.Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire PA00475(2) PA00475(2) Papier + ressource électronique Bibliothèque centrale Projet Fin d'Etudes Disponible Genie_Electrique Consultation sur place/Téléchargeable Documents numériques
BENALI.Mohamed.pdfURL
