Dépouillements

CEM en conception électronique et de systèmes / Olivier Maurice in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 4 p. Titre : CEM en conception électronique et de systèmes : Introduction Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Maurice, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 4 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Conception  électronique  CEM Résumé : Révolution exponentielle des usages et technologies de l'électronique conduit à une multiplication des phénomènes impactant la CEM (compatibilité électromagnétique) qui décourage nombre d'ingénieurs. Ainsi prédire la perturbation d'une fonction numérique sur une carte électronique moderne, comportant 16 couches, 1 000 pistes et 15 circuits, enfermée dans un boîtier métallique résonnant paraît être une tâche insurmontable. On peut citer également la difficulté qu'il peut y avoir à prévoir la perturbation d'une radio embarquée sur un véhicule, même avec la connaissance des caractérisations individuelles des différentes sources de bruits embarquées. Face à de telles complexités, beaucoup préfèrent alors aborder la CEM par la seule pratique et tentent de résoudre des problèmes parfois très complexes directement en expérimentation. Les outils de simulation numérique sont une autre dimension récente du métier de la CEM. Bien utilisés, c'est-à-dire dans le strict périmètre de leurs capacités, ils permettent d'effectuer des expérimentations virtuelles sur des systèmes électroniques non accessibles à l'expérimentation concrète. Mais, dans les deux cas, l'analyse des résultats en restera à un niveau intuitif si un travail préalable sur la physique du problème n'a pas été effectué. La démarche actuelle qui accompagne l'évolution vers la complexité des systèmes consiste à analyser un système sous le jour de la topologie. Le recensement des interactions sous forme de branches, de cordes, va permettre une identification des éléments influents et un découpage de la complexité en sous-problèmes moins complexes. C'est sur cette base mathématique formelle et rigoureuse que l'on peut résoudre les problèmes de CEM des systèmes actuels. Car la CEM est un métier qui ne tolère pas les approximations. Par exemple, on entend dire que « connecter une liaison à la masse résout tous les problèmes ». Mais qu'est-ce qu'une masse ? Qu'est-ce qu'un potentiel ? Est-il possible de mesurer un potentiel ou une différence de potentiel ? Le métier de la CEM pousse rapidement l'ingénieur électronicien curieux dans ses derniers retranchements. Et s'il accepte de jouer ce jeu, plutôt que de se laisser aller à quelques intuitions ou approximations grossières, il trouve là matière à progresser constamment dans tous les domaines si passionnants de l'électronique. Tous les auteurs des articles sur la CEM sont là pour en témoigner et nous espérons par leur biais communiquer soit les informations nécessaires à un ingénieur pour avancer dans ses problèmes de CEM, soit la passion de ces mêmes auteurs pour leur métier. Cette préface vise à introduire l'ensemble des articles qui couvrent la problématique de la compatibilité électromagnétique depuis la phase d'appel d'offres jusqu'à la phase d'industrialisation. Les deux premiers articles portent sur les fondamentaux nécessaires en prérequis pour une bonne lecture des articles suivants. REFERENCE : E 1 300 DEWEY : 621.381 Date : Nouvembre 2010 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] CEM en conception électronique et de systèmes : Introduction [texte imprimé] / Olivier Maurice, Auteur . - 2007 . - 4 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 4 p. Mots-clés : Conception  électronique  CEM Résumé : Révolution exponentielle des usages et technologies de l'électronique conduit à une multiplication des phénomènes impactant la CEM (compatibilité électromagnétique) qui décourage nombre d'ingénieurs. Ainsi prédire la perturbation d'une fonction numérique sur une carte électronique moderne, comportant 16 couches, 1 000 pistes et 15 circuits, enfermée dans un boîtier métallique résonnant paraît être une tâche insurmontable. On peut citer également la difficulté qu'il peut y avoir à prévoir la perturbation d'une radio embarquée sur un véhicule, même avec la connaissance des caractérisations individuelles des différentes sources de bruits embarquées. Face à de telles complexités, beaucoup préfèrent alors aborder la CEM par la seule pratique et tentent de résoudre des problèmes parfois très complexes directement en expérimentation. Les outils de simulation numérique sont une autre dimension récente du métier de la CEM. Bien utilisés, c'est-à-dire dans le strict périmètre de leurs capacités, ils permettent d'effectuer des expérimentations virtuelles sur des systèmes électroniques non accessibles à l'expérimentation concrète. Mais, dans les deux cas, l'analyse des résultats en restera à un niveau intuitif si un travail préalable sur la physique du problème n'a pas été effectué. La démarche actuelle qui accompagne l'évolution vers la complexité des systèmes consiste à analyser un système sous le jour de la topologie. Le recensement des interactions sous forme de branches, de cordes, va permettre une identification des éléments influents et un découpage de la complexité en sous-problèmes moins complexes. C'est sur cette base mathématique formelle et rigoureuse que l'on peut résoudre les problèmes de CEM des systèmes actuels. Car la CEM est un métier qui ne tolère pas les approximations. Par exemple, on entend dire que « connecter une liaison à la masse résout tous les problèmes ». Mais qu'est-ce qu'une masse ? Qu'est-ce qu'un potentiel ? Est-il possible de mesurer un potentiel ou une différence de potentiel ? Le métier de la CEM pousse rapidement l'ingénieur électronicien curieux dans ses derniers retranchements. Et s'il accepte de jouer ce jeu, plutôt que de se laisser aller à quelques intuitions ou approximations grossières, il trouve là matière à progresser constamment dans tous les domaines si passionnants de l'électronique. Tous les auteurs des articles sur la CEM sont là pour en témoigner et nous espérons par leur biais communiquer soit les informations nécessaires à un ingénieur pour avancer dans ses problèmes de CEM, soit la passion de ces mêmes auteurs pour leur métier. Cette préface vise à introduire l'ensemble des articles qui couvrent la problématique de la compatibilité électromagnétique depuis la phase d'appel d'offres jusqu'à la phase d'industrialisation. Les deux premiers articles portent sur les fondamentaux nécessaires en prérequis pour une bonne lecture des articles suivants. REFERENCE : E 1 300 DEWEY : 621.381 Date : Nouvembre 2010 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Compatibilité électromagnétique / Olivier Maurice in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 21 p. Titre : Compatibilité électromagnétique : notions fondamentales Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Maurice, Auteur ; Alain Reineix, Auteur ; Etienne Sicard, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 21 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Électrostatiques  Magnétostatiques Résumé : Cette partie a pour objet le rappel de notions fondamentales pour la CEM, qui pourront être utilisées dans l'ensemble des articles traitant de la CEM de projets. Des renvois sont effectués lorsque les notions rejoignent celles des cours d'électromagnétisme pour l'ingénieur. On s'attache ici à rappeler des notions plus spécifiques au métier de la compatibilité électromagnétique. On aborde tout d'abord les principes qui prévalent aux interactions conduites ou de champs proches (interactions électrostatiques, magnétostatiques). Puis on aborde les interactions d'ondes guidées ou rayonnées. Une méthode de calcul dite « méthode de Kron » est présentée dans le paragraphe 3, qui permet de calculer rapidement de nombreux problèmes et d'une façon très efficace. Cette méthode permettra à tout ingénieur d'évaluer des problèmes de CEM déjà complexes et qui ne seraient pas, ou très difficilement, calculables par l'intermédiaire des outils disponibles sur le marché. Comme la méthode est utilisée dans tous les paragraphes comme exemple et support d'exercices, nous la présentons en premier. Enfin nous abordons les effets des particules sur les composants et les approches « CEM » de ces derniers. REFERENCE : E 1 302 DEWEY : 621.381 Date : Mai 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] Compatibilité électromagnétique : notions fondamentales [texte imprimé] / Olivier Maurice, Auteur ; Alain Reineix, Auteur ; Etienne Sicard, Auteur . - 2007 . - 21 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 21 p. Mots-clés : Électrostatiques  Magnétostatiques Résumé : Cette partie a pour objet le rappel de notions fondamentales pour la CEM, qui pourront être utilisées dans l'ensemble des articles traitant de la CEM de projets. Des renvois sont effectués lorsque les notions rejoignent celles des cours d'électromagnétisme pour l'ingénieur. On s'attache ici à rappeler des notions plus spécifiques au métier de la compatibilité électromagnétique. On aborde tout d'abord les principes qui prévalent aux interactions conduites ou de champs proches (interactions électrostatiques, magnétostatiques). Puis on aborde les interactions d'ondes guidées ou rayonnées. Une méthode de calcul dite « méthode de Kron » est présentée dans le paragraphe 3, qui permet de calculer rapidement de nombreux problèmes et d'une façon très efficace. Cette méthode permettra à tout ingénieur d'évaluer des problèmes de CEM déjà complexes et qui ne seraient pas, ou très difficilement, calculables par l'intermédiaire des outils disponibles sur le marché. Comme la méthode est utilisée dans tous les paragraphes comme exemple et support d'exercices, nous la présentons en premier. Enfin nous abordons les effets des particules sur les composants et les approches « CEM » de ces derniers. REFERENCE : E 1 302 DEWEY : 621.381 Date : Mai 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Décharges électrostatiques: application à l'industrie électronique / Vagneur, Jean-Louis in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 5 p. Titre : Décharges électrostatiques: application à l'industrie électronique Type de document : texte imprimé Auteurs : Vagneur, Jean-Louis, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 5 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Décharge  Electrostatiques  Industrie  électronique Résumé : Tout matériau peut être porteur de charges statiques après électrisation (acquisition de charges) provoquée par différentes causes telles que le frottement, la charge par influence (ou induction électrostatique), le transfert de charges par contact, etc. Les décharges électrostatiques sont caractérisées par le passage d'un courant impulsionnel entre deux matériaux chargés à des potentiels différents, soit par contact direct, soit par décharge disruptive dans l'air. Cet article présente succinctement les phénomènes générateurs de charges électrostatiques, et les caractéristiques des matériaux selon leur aptitude à dissiper ces charges. Dans le cas des équipements électroniques, la prévention contre les DES repose sur le contrôle et l'écoulement à la terre des charges statiques pouvant être générées à tous les stades de la fabrication, de la réception des composants et des cartes équipées jusqu'à la livraison de l'équipement. Pour cela, tout un ensemble de moyens de protection est mis en œuvre : création de zones protégées et balisées avec sol dissipateur, avec port de vêtements et de chaussures dissipatrices pour le personnel y ayant accès, mise résistive à la terre des opérateurs, des plans de travail, des outillages, emploi d'emballages astatiques (matériau minimisant toute génération de charges) ou dissipateurs, etc. Si on considère les composants électroniques, la diminution continue de leur taille augmente leur sensibilité aux DES, donc les risques de dysfonctionnement ou de destruction de ces composants, et de défaillance des équipements utilisateurs. Par exemple, dans les transistors couche mince (Thin-Film Transistor) des écrans plats, le courant de drain augmente rapidement avec la tension drain-source, d'où un risque de destruction en cas de surtension. L'utilisation de modèles de décharges électrostatiques dans les différents scénarios rencontrés dans l'industrie électronique est donc nécessaire pour mettre en œuvre des moyens de protection des entrées/sorties des composants et valider expérimentalement leur tenue. REFERENCE : E 1 325 DEWEY : 621.381 Date : Aout 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] Décharges électrostatiques: application à l'industrie électronique [texte imprimé] / Vagneur, Jean-Louis, Auteur . - 2007 . - 5 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 5 p. Mots-clés : Décharge  Electrostatiques  Industrie  électronique Résumé : Tout matériau peut être porteur de charges statiques après électrisation (acquisition de charges) provoquée par différentes causes telles que le frottement, la charge par influence (ou induction électrostatique), le transfert de charges par contact, etc. Les décharges électrostatiques sont caractérisées par le passage d'un courant impulsionnel entre deux matériaux chargés à des potentiels différents, soit par contact direct, soit par décharge disruptive dans l'air. Cet article présente succinctement les phénomènes générateurs de charges électrostatiques, et les caractéristiques des matériaux selon leur aptitude à dissiper ces charges. Dans le cas des équipements électroniques, la prévention contre les DES repose sur le contrôle et l'écoulement à la terre des charges statiques pouvant être générées à tous les stades de la fabrication, de la réception des composants et des cartes équipées jusqu'à la livraison de l'équipement. Pour cela, tout un ensemble de moyens de protection est mis en œuvre : création de zones protégées et balisées avec sol dissipateur, avec port de vêtements et de chaussures dissipatrices pour le personnel y ayant accès, mise résistive à la terre des opérateurs, des plans de travail, des outillages, emploi d'emballages astatiques (matériau minimisant toute génération de charges) ou dissipateurs, etc. Si on considère les composants électroniques, la diminution continue de leur taille augmente leur sensibilité aux DES, donc les risques de dysfonctionnement ou de destruction de ces composants, et de défaillance des équipements utilisateurs. Par exemple, dans les transistors couche mince (Thin-Film Transistor) des écrans plats, le courant de drain augmente rapidement avec la tension drain-source, d'où un risque de destruction en cas de surtension. L'utilisation de modèles de décharges électrostatiques dans les différents scénarios rencontrés dans l'industrie électronique est donc nécessaire pour mettre en œuvre des moyens de protection des entrées/sorties des composants et valider expérimentalement leur tenue. REFERENCE : E 1 325 DEWEY : 621.381 Date : Aout 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Montage d'étiquettes RFID passives / Yannick Grasset in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 9 p. Titre : Montage d'étiquettes RFID passives : productivité accrue des solutions d'assemblage Type de document : texte imprimé Auteurs : Yannick Grasset, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 9 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Montage  Etiquettes  Assemblage Résumé : De nombreuses études de marché annoncent des volumes d'affaires très importants, voire incroyables, pour les applications de la technologie RFID. Les applications RFID tardent pourtant à se déployer en masse et ce malgré de nombreux intérêts économiques apportés par les services rendus par la technologie : * Traçabilité automatisée et en temps réel versus pertes d'informations ou difficultés à acquérir ces informations, pour la production comme pour la distribution de produits par exemple ; *Logistique maîtrisée, versus manque de visibilité de la circulation des produits, entraînant un besoin de surstock pour palier d'éventuelles « pertes en ligne » ; * Système antivol performant intégré très tôt dans la chaîne de valeur, versus système antivol installé chez le distributeur final et non valorisé sur la totalité de la chaîne de distribution ; * Système d'authentification pour lutter contre la contrefaçon... le tout pouvant être réalisé par un seul et même élément : une étiquette RFID. Pourtant de nombreuses applications requièrent aujourd'hui l'usage de cette technologie RFID : le transport aérien par exemple, traitant environ 1,5 milliard de bagages par an, souffre d'un taux de lecture incomplet qui entraîne la perte annuelle de 25 millions de bagages et un coût d'environ 2 milliards de dollars par an pour les compagnies aériennes. Mais comment produire 1,5 milliard d'étiquettes demain quand le marché total en 2010 représentait environ 4 à 5 milliards d'unités ? Le marché peut-il absorber une croissance de près de 35 % sur une seule application, qui plus est, sur une application pour laquelle l'un des critères dominant est le prix ? Le coût de l'étiquette RFID semble actuellement trop élevé pour que certaines applications fassent le pas, mais est-ce vraiment la seule raison de ce retard ? L'inadéquation entre les capacités de production et la taille annoncée des marchés n'est-elle pas elle aussi un élément qui perturbe l'adoption des technologies RFID ? La baisse du prix des étiquettes RFID est un élément indispensable pour que cette technologie s'impose, mais est-ce suffisant ? Les volumes de production sont-ils adaptés aux tailles des marchés existants et à venir (représentés par les nouvelles applications) ? Cet article se propose de présenter les techniques de montage actuellement employées et leur adéquation aux demandes du marché. De même nous ferons le point sur les axes de recherches permettant de favoriser le déploiement de la RFID. REFERENCE : E 1 472 DEWEY : 621.381 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] Montage d'étiquettes RFID passives : productivité accrue des solutions d'assemblage [texte imprimé] / Yannick Grasset, Auteur . - 2007 . - 9 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 9 p. Mots-clés : Montage  Etiquettes  Assemblage Résumé : De nombreuses études de marché annoncent des volumes d'affaires très importants, voire incroyables, pour les applications de la technologie RFID. Les applications RFID tardent pourtant à se déployer en masse et ce malgré de nombreux intérêts économiques apportés par les services rendus par la technologie : * Traçabilité automatisée et en temps réel versus pertes d'informations ou difficultés à acquérir ces informations, pour la production comme pour la distribution de produits par exemple ; *Logistique maîtrisée, versus manque de visibilité de la circulation des produits, entraînant un besoin de surstock pour palier d'éventuelles « pertes en ligne » ; * Système antivol performant intégré très tôt dans la chaîne de valeur, versus système antivol installé chez le distributeur final et non valorisé sur la totalité de la chaîne de distribution ; * Système d'authentification pour lutter contre la contrefaçon... le tout pouvant être réalisé par un seul et même élément : une étiquette RFID. Pourtant de nombreuses applications requièrent aujourd'hui l'usage de cette technologie RFID : le transport aérien par exemple, traitant environ 1,5 milliard de bagages par an, souffre d'un taux de lecture incomplet qui entraîne la perte annuelle de 25 millions de bagages et un coût d'environ 2 milliards de dollars par an pour les compagnies aériennes. Mais comment produire 1,5 milliard d'étiquettes demain quand le marché total en 2010 représentait environ 4 à 5 milliards d'unités ? Le marché peut-il absorber une croissance de près de 35 % sur une seule application, qui plus est, sur une application pour laquelle l'un des critères dominant est le prix ? Le coût de l'étiquette RFID semble actuellement trop élevé pour que certaines applications fassent le pas, mais est-ce vraiment la seule raison de ce retard ? L'inadéquation entre les capacités de production et la taille annoncée des marchés n'est-elle pas elle aussi un élément qui perturbe l'adoption des technologies RFID ? La baisse du prix des étiquettes RFID est un élément indispensable pour que cette technologie s'impose, mais est-ce suffisant ? Les volumes de production sont-ils adaptés aux tailles des marchés existants et à venir (représentés par les nouvelles applications) ? Cet article se propose de présenter les techniques de montage actuellement employées et leur adéquation aux demandes du marché. De même nous ferons le point sur les axes de recherches permettant de favoriser le déploiement de la RFID. REFERENCE : E 1 472 DEWEY : 621.381 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Notions de CEM des systèmes / Olivier Maurice in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 18 p. Titre : Notions de CEM des systèmes Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Maurice, Auteur ; Hubert, Guillaume, Auteur ; Yalcin, Evlin, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 18 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Notions  CEM Résumé : Cet article aborde les problématiques de la CEM des systèmes. La notion de système est l'objet de travaux multiples et va au-delà de celle comprise en CEM. Cependant, on s'en inspire pour définir un système comme un regroupement d'électroniques reliées par des liaisons filaires ou antennaires et dévolu à la réalisation d'une fonction. Aborder la CEM d'un système dans son ensemble est extrêmement compliqué, mais non impossible. Il faut introduire une part de probabilité pour pallier la méconnaissance ou les incertitudes. Plus modestement, les ingénieurs en CEM étudient tous les jours des systèmes plus ou moins complexes, et si aborder un système complet demande des ressources et des budgets rarement disponibles, morceler le système en parties de complexité réduite pour résoudre des problèmes particuliers attachés à des fonctions critiques est un travail régulièrement accompli. Nous détaillons tout d'abord cette tâche essentielle, en commençant par le morcellement : l'analyse dite « topologique » du système et le découpage en couches de ses structures. Ce découpage permet d'identifier les fonctions électroniques embarquées puis d'établir la matrice d'interaction, ou matrice des gênes. De cette matrice vont découler des graphes établis pour l'analyse des risques CEM rattachés aux fonctions sous-jacentes. Les intersections entre fonctions mettant à jour des risques de perturbation dans la matrice sont étudiées une par une, en passant par la construction de schémas puis de graphes détaillés permettant, comme il a été expliqué dans l'article [E1302], de calculer ces interactions. Les risques sont ensuite levés par adjonctions éventuelles de protections ou simplement sans actions particulières s'il s'avère que les fonctions ne se perturbent pas. Pour illustrer cette méthodologie, trois cas concrets sont présentés ainsi que trois façons d'étudier en détail et de résoudre ces cas : la résolution de problèmes conduits sur une carte électronique ; la gestion des perturbations entre antennes embarquées ; les méthodologies attachées aux effets des rayonnements radiatifs naturels. Ces trois cas sont des applications particulières des démarches exposées en introduction. REFERENCE : E 1 305 DEWEY : 621.381 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] Notions de CEM des systèmes [texte imprimé] / Olivier Maurice, Auteur ; Hubert, Guillaume, Auteur ; Yalcin, Evlin, Auteur . - 2007 . - 18 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 18 p. Mots-clés : Notions  CEM Résumé : Cet article aborde les problématiques de la CEM des systèmes. La notion de système est l'objet de travaux multiples et va au-delà de celle comprise en CEM. Cependant, on s'en inspire pour définir un système comme un regroupement d'électroniques reliées par des liaisons filaires ou antennaires et dévolu à la réalisation d'une fonction. Aborder la CEM d'un système dans son ensemble est extrêmement compliqué, mais non impossible. Il faut introduire une part de probabilité pour pallier la méconnaissance ou les incertitudes. Plus modestement, les ingénieurs en CEM étudient tous les jours des systèmes plus ou moins complexes, et si aborder un système complet demande des ressources et des budgets rarement disponibles, morceler le système en parties de complexité réduite pour résoudre des problèmes particuliers attachés à des fonctions critiques est un travail régulièrement accompli. Nous détaillons tout d'abord cette tâche essentielle, en commençant par le morcellement : l'analyse dite « topologique » du système et le découpage en couches de ses structures. Ce découpage permet d'identifier les fonctions électroniques embarquées puis d'établir la matrice d'interaction, ou matrice des gênes. De cette matrice vont découler des graphes établis pour l'analyse des risques CEM rattachés aux fonctions sous-jacentes. Les intersections entre fonctions mettant à jour des risques de perturbation dans la matrice sont étudiées une par une, en passant par la construction de schémas puis de graphes détaillés permettant, comme il a été expliqué dans l'article [E1302], de calculer ces interactions. Les risques sont ensuite levés par adjonctions éventuelles de protections ou simplement sans actions particulières s'il s'avère que les fonctions ne se perturbent pas. Pour illustrer cette méthodologie, trois cas concrets sont présentés ainsi que trois façons d'étudier en détail et de résoudre ces cas : la résolution de problèmes conduits sur une carte électronique ; la gestion des perturbations entre antennes embarquées ; les méthodologies attachées aux effets des rayonnements radiatifs naturels. Ces trois cas sont des applications particulières des démarches exposées en introduction. REFERENCE : E 1 305 DEWEY : 621.381 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

La CEM en phase d'appel d'offres / Deville, Geneviève in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 11 p. Titre : La CEM en phase d'appel d'offres Type de document : texte imprimé Auteurs : Deville, Geneviève, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 11 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : CEM  Electromagnétique Résumé : Comment prendre en compte de manière optimale la compatibilité électromagnétique lors de la phase d'appel d'offres d'un produit ? Afin de répondre à cette question, nous avons choisi de nous placer au niveau le plus général, c'est-à-dire au niveau « système ». Un système est, selon la définition donnée par Michel Baeckeland [BAECKELANDT (M.) - Manuel d'ingénierie système] , un ensemble d'équipements, d'installations, de savoir-faire et de techniques capable de jouer un rôle opérationnel ou d'apporter un soutien logistique ou les deux à la fois. Un système peut être ainsi considéré comme autosuffisant pour l'environnement opérationnel dans lequel il est sensé être mis en œuvre. Dans cette définition, il apparaît donc deux notions essentielles : la notion de mission du système et la notion d'environnement dans lequel il va remplir cette mission. Ces deux notions seront approfondies dans le présent article. Et les différentes étapes de la prise en compte de la compatibilité électromagnétique (CEM) durant la phase d'appel d'offres seront analysées. Les thèmes développés dans la suite de l'article s'appliquent aussi aux équipements, d'autant plus que la distinction entre équipement et système dépend du référentiel dans lequel on se place. Ainsi, un radioaltimètre est un équipement vu de l'avion dans lequel il est embarqué et dont la fonction est de voler en toute sécurité, mais c'est un système vis-à-vis des sous-ensembles (cartes, alimentation, antenne, etc.) qui le constituent car il réalise sa fonctionnalité propre qui est d'indiquer l'altitude. La phase d'appel d'offres peut se décomposer en trois parties : la phase d'élaboration de l'appel d'offres qui se conclut par le lancement de l'appel d'offres et la consultation des fournisseurs potentiels, la phase de réponse à cet appel d'offres qui se solde par une proposition technique et financière et enfin la phase de choix du fournisseur qui aboutit au contrat ou à la commande. Dans cette dernière étape, la prise en compte de la CEM sera un critère parmi de nombreux autres. Une fois ce choix effectué, la phase d'appel d'offres est terminée, et la phase projet démarre. Seules les deux premières phases : élaboration de l'appel d'offres et réponse à l'appel d'offres vont être développées dans le présent article. Deux catégories d'acteurs ont un rôle à jouer dans la phase d'appel d'offres : les clients et les fournisseurs. Le client appelé dans ce qui suit maître d'ouvrage est celui à qui le système sera livré, il aura en charge de recueillir les besoins des futurs utilisateurs et sera secondé par des équipes d'experts pour élaborer l'appel d'offres, puis, pour choisir le fournisseur qui sera chargé du projet. Le fournisseur que l'on appellera le maître d'œuvre du système va répondre à cet appel d'offres en proposant une réponse technique aux besoins du client associée à une offre financière. Il s'appuiera sur ses propres experts et devra lui aussi consulter ses fournisseurs (sous-traitants) pour qu'ils lui remettent les propositions techniques et financières lui permettant d'élaborer son offre en réponse à l'appel d'offres. Ainsi, le maître d'œuvre devra, lui aussi, élaborer un appel d'offres pour des sous-systèmes ou des équipements et choisir ses fournisseurs. REFERENCE : E 1 308 DEWEY : 621.381 Date : Février 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] La CEM en phase d'appel d'offres [texte imprimé] / Deville, Geneviève, Auteur . - 2007 . - 11 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 11 p. Mots-clés : CEM  Electromagnétique Résumé : Comment prendre en compte de manière optimale la compatibilité électromagnétique lors de la phase d'appel d'offres d'un produit ? Afin de répondre à cette question, nous avons choisi de nous placer au niveau le plus général, c'est-à-dire au niveau « système ». Un système est, selon la définition donnée par Michel Baeckeland [BAECKELANDT (M.) - Manuel d'ingénierie système] , un ensemble d'équipements, d'installations, de savoir-faire et de techniques capable de jouer un rôle opérationnel ou d'apporter un soutien logistique ou les deux à la fois. Un système peut être ainsi considéré comme autosuffisant pour l'environnement opérationnel dans lequel il est sensé être mis en œuvre. Dans cette définition, il apparaît donc deux notions essentielles : la notion de mission du système et la notion d'environnement dans lequel il va remplir cette mission. Ces deux notions seront approfondies dans le présent article. Et les différentes étapes de la prise en compte de la compatibilité électromagnétique (CEM) durant la phase d'appel d'offres seront analysées. Les thèmes développés dans la suite de l'article s'appliquent aussi aux équipements, d'autant plus que la distinction entre équipement et système dépend du référentiel dans lequel on se place. Ainsi, un radioaltimètre est un équipement vu de l'avion dans lequel il est embarqué et dont la fonction est de voler en toute sécurité, mais c'est un système vis-à-vis des sous-ensembles (cartes, alimentation, antenne, etc.) qui le constituent car il réalise sa fonctionnalité propre qui est d'indiquer l'altitude. La phase d'appel d'offres peut se décomposer en trois parties : la phase d'élaboration de l'appel d'offres qui se conclut par le lancement de l'appel d'offres et la consultation des fournisseurs potentiels, la phase de réponse à cet appel d'offres qui se solde par une proposition technique et financière et enfin la phase de choix du fournisseur qui aboutit au contrat ou à la commande. Dans cette dernière étape, la prise en compte de la CEM sera un critère parmi de nombreux autres. Une fois ce choix effectué, la phase d'appel d'offres est terminée, et la phase projet démarre. Seules les deux premières phases : élaboration de l'appel d'offres et réponse à l'appel d'offres vont être développées dans le présent article. Deux catégories d'acteurs ont un rôle à jouer dans la phase d'appel d'offres : les clients et les fournisseurs. Le client appelé dans ce qui suit maître d'ouvrage est celui à qui le système sera livré, il aura en charge de recueillir les besoins des futurs utilisateurs et sera secondé par des équipes d'experts pour élaborer l'appel d'offres, puis, pour choisir le fournisseur qui sera chargé du projet. Le fournisseur que l'on appellera le maître d'œuvre du système va répondre à cet appel d'offres en proposant une réponse technique aux besoins du client associée à une offre financière. Il s'appuiera sur ses propres experts et devra lui aussi consulter ses fournisseurs (sous-traitants) pour qu'ils lui remettent les propositions techniques et financières lui permettant d'élaborer son offre en réponse à l'appel d'offres. Ainsi, le maître d'œuvre devra, lui aussi, élaborer un appel d'offres pour des sous-systèmes ou des équipements et choisir ses fournisseurs. REFERENCE : E 1 308 DEWEY : 621.381 Date : Février 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Méthodologie de design CEM / François De Daran in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Titre : Méthodologie de design CEM : couche équipement Type de document : texte imprimé Auteurs : François De Daran, Auteur ; Frédéric Lafon, Auteur ; Thierry Segond, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 15 p. Note générale : Bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Méthodologie  de  design Résumé : Le design CEM est un art compliqué à l'interface entre différentes disciplines comme l'électronique, les hyperfréquences, l'électromagnétisme ou la mécanique. Il est donc important pour le concepteur de s'appuyer sur une méthodologie de travail qui va lui permettre d'intégrer ces contraintes hétérogènes. Les étapes de cette méthodologie vont lui permettre de mettre en place et de justifier des spécifications de conception basées sur un savoir-faire [CHAROY (A.) - Compatibilité électromagnétique] et des outils de modélisation et de simulation. En fin de conception, il faudra de plus définir précisément les outils et méthodes de qualification dans le « Plan de Test » de façon à garantir la représentativité et la répétabilité des essais. Le point de commencement du routage d'une carte électronique est l'analyse de la place qui lui est réservée à l'intérieur d'une mécanique existante. Cette mécanique pouvant être ou non métallique, il faut savoir utiliser ces propriétés pour améliorer le comportement de la carte électronique vis-à-vis des émissions de perturbation électromagnétique en haute fréquence ainsi que des agressions extérieures. Le routage de la carte électronique est aussi guidé par des règles de sécurité électrique (directive basse tension) qui introduisent des notions d'isolement galvanique. Le nombre de couches allouées dans la carte guide le choix d'utilisation d'un plan de masse complet ou d'un maillage. De plus, les circulations de courant dans ce plan de masse ont un impact sur les règles de ségrégation entre les fonctions génératrices de perturbations, comme l'électronique numérique rapide, et celles qui seront sensibles comme les fonctions analogiques bas niveau. Une grande importance doit être apportée au design de ce plan qui apporte une protection nécessaire tant en émission qu'en immunité. Cependant l'utilisation des règles génériques de routage ne garantit pas d'obtenir les performances CEM requises. Qui plus est, du fait de contraintes autres que CEM, ces règles génériques ne sont généralement pas applicables sans dérogation. La modélisation, le calcul et la simulation sont les voies les plus appropriées pour valider des choix de routage ou des dimensionnements de filtrages. Des exemples de modèles équivalents de composants sont présentés et exploités afin de décrire cette démarche. Le Plan de Test CEM est le document sur lequel est basé l'ensemble des essais CEM. Il doit permettre la réalisation d'une campagne de qualification en éliminant les risques liés à une mauvaise interprétation du cahier des charges ou une mauvaise mise en œuvre d'un moyen d'essai. Pour se faire, il comporte un grand nombre d'informations spécifiques à l'équipement à qualifier, comme une description du fonctionnement du produit ou des événements redoutés. De plus, il doit contenir le plus possible d'information permettant de garantir la reproductibilité des essais, en particulier la description de l'environnement comme le banc de charge ou les différents faisceaux. REFERENCE : E 1 315 DEWEY : 621.381 Date : Février 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...] [article] Méthodologie de design CEM : couche équipement [texte imprimé] / François De Daran, Auteur ; Frédéric Lafon, Auteur ; Thierry Segond, Auteur . - 2007 . - 15 p. Bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Mots-clés : Méthodologie  de  design Résumé : Le design CEM est un art compliqué à l'interface entre différentes disciplines comme l'électronique, les hyperfréquences, l'électromagnétisme ou la mécanique. Il est donc important pour le concepteur de s'appuyer sur une méthodologie de travail qui va lui permettre d'intégrer ces contraintes hétérogènes. Les étapes de cette méthodologie vont lui permettre de mettre en place et de justifier des spécifications de conception basées sur un savoir-faire [CHAROY (A.) - Compatibilité électromagnétique] et des outils de modélisation et de simulation. En fin de conception, il faudra de plus définir précisément les outils et méthodes de qualification dans le « Plan de Test » de façon à garantir la représentativité et la répétabilité des essais. Le point de commencement du routage d'une carte électronique est l'analyse de la place qui lui est réservée à l'intérieur d'une mécanique existante. Cette mécanique pouvant être ou non métallique, il faut savoir utiliser ces propriétés pour améliorer le comportement de la carte électronique vis-à-vis des émissions de perturbation électromagnétique en haute fréquence ainsi que des agressions extérieures. Le routage de la carte électronique est aussi guidé par des règles de sécurité électrique (directive basse tension) qui introduisent des notions d'isolement galvanique. Le nombre de couches allouées dans la carte guide le choix d'utilisation d'un plan de masse complet ou d'un maillage. De plus, les circulations de courant dans ce plan de masse ont un impact sur les règles de ségrégation entre les fonctions génératrices de perturbations, comme l'électronique numérique rapide, et celles qui seront sensibles comme les fonctions analogiques bas niveau. Une grande importance doit être apportée au design de ce plan qui apporte une protection nécessaire tant en émission qu'en immunité. Cependant l'utilisation des règles génériques de routage ne garantit pas d'obtenir les performances CEM requises. Qui plus est, du fait de contraintes autres que CEM, ces règles génériques ne sont généralement pas applicables sans dérogation. La modélisation, le calcul et la simulation sont les voies les plus appropriées pour valider des choix de routage ou des dimensionnements de filtrages. Des exemples de modèles équivalents de composants sont présentés et exploités afin de décrire cette démarche. Le Plan de Test CEM est le document sur lequel est basé l'ensemble des essais CEM. Il doit permettre la réalisation d'une campagne de qualification en éliminant les risques liés à une mauvaise interprétation du cahier des charges ou une mauvaise mise en œuvre d'un moyen d'essai. Pour se faire, il comporte un grand nombre d'informations spécifiques à l'équipement à qualifier, comme une description du fonctionnement du produit ou des événements redoutés. De plus, il doit contenir le plus possible d'information permettant de garantir la reproductibilité des essais, en particulier la description de l'environnement comme le banc de charge ou les différents faisceaux. REFERENCE : E 1 315 DEWEY : 621.381 Date : Février 2012 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th1 [...]

Transformateurs et inductances / François Beauclair in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Titre : Transformateurs et inductances Type de document : texte imprimé Auteurs : François Beauclair, Auteur ; Jean-Pierre Delvinquier, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 24 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transformateurs;  Magnétiques;  Matériaux  diélectriques Résumé : Les transformateurs et inductances appartiennent à la famille des composants passifs et sont utilisés dans tous les domaines de l’électronique. Différents domaines doivent être distingués : la distribution industrielle (courants forts) ; le professionnel ; la micro-électronique ; la très haute fréquence ; pour lesquels ces composants ont un rôle fondamental dans le fonctionnement d’un convertisseur, l’isolement galvanique et le filtrage. L’évolution technologique des transformateurs et inductances est liée actuellement à un besoin de miniaturisation (particulièrement observé dans les applications de télécommunications, aéroportées et grands publics) et de report en surface des composants sur circuits imprimés ou substrat métallique isolé. De grands progrès ont été obtenus grâce à la montée en fréquence, l’association des technologies multicouches pour la réalisation des bobinages et le développement de nouveaux matériaux permettent de suivre cette évolution irréversible. Mais dans certains cas, les contraintes thermiques et d’isolement sont un frein à cette miniaturisation. REFERENCE : E 2 130 Date : FEVRIER 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Transformateurs et inductances [texte imprimé] / François Beauclair, Auteur ; Jean-Pierre Delvinquier, Auteur . - 2007 . - 24 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Mots-clés : Transformateurs;  Magnétiques;  Matériaux  diélectriques Résumé : Les transformateurs et inductances appartiennent à la famille des composants passifs et sont utilisés dans tous les domaines de l’électronique. Différents domaines doivent être distingués : la distribution industrielle (courants forts) ; le professionnel ; la micro-électronique ; la très haute fréquence ; pour lesquels ces composants ont un rôle fondamental dans le fonctionnement d’un convertisseur, l’isolement galvanique et le filtrage. L’évolution technologique des transformateurs et inductances est liée actuellement à un besoin de miniaturisation (particulièrement observé dans les applications de télécommunications, aéroportées et grands publics) et de report en surface des composants sur circuits imprimés ou substrat métallique isolé. De grands progrès ont été obtenus grâce à la montée en fréquence, l’association des technologies multicouches pour la réalisation des bobinages et le développement de nouveaux matériaux permettent de suivre cette évolution irréversible. Mais dans certains cas, les contraintes thermiques et d’isolement sont un frein à cette miniaturisation. REFERENCE : E 2 130 Date : FEVRIER 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Accumulateurs portables / Georges Caillon in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 34 p. Titre : Accumulateurs portables Type de document : texte imprimé Auteurs : Georges Caillon, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 34 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Accumulateurs;  NI  MH;  NI  CD;  Electrolyte  polymère Résumé : Dans le domaine électrique, un accumulateur désigne un système physico‐ chimique capable de convertir de façon réversible l’énergie électrique en énergie chimique. On accumule donc l’énergie électrique, puis on la restitue en majeure partie. L’accumulateur n’est généralement pas utilisé seul, mais souvent plusieurs sont associés en batterie. Le terme portable définit un mode d’utilisation. On peut aisément porter l’accumulateur mais aussi la batterie et les utiliser dans n’importe quelle orientation. Cela impose le respect de masse et de dimensions relativement réduites et un système entièrement étanche. La production annuelle mondiale d’accumulateurs portables dépasse 2 milliards et croît de plus de 10 % par an. Les principales applications sont la téléphonie, les applications domestiques, les ordinateurs portables, l’outillage électroportatif, la vidéo, le modélisme et les jouets. REFERENCE : E 2 140 Date : Mai 2001 En ligne : http://acatalogue_2.biblio.intranet.enp.edu.dz/catalog.php?categ=serials&sub=ana [...] [article] Accumulateurs portables [texte imprimé] / Georges Caillon, Auteur . - 2007 . - 34 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 34 p. Mots-clés : Accumulateurs;  NI  MH;  NI  CD;  Electrolyte  polymère Résumé : Dans le domaine électrique, un accumulateur désigne un système physico‐ chimique capable de convertir de façon réversible l’énergie électrique en énergie chimique. On accumule donc l’énergie électrique, puis on la restitue en majeure partie. L’accumulateur n’est généralement pas utilisé seul, mais souvent plusieurs sont associés en batterie. Le terme portable définit un mode d’utilisation. On peut aisément porter l’accumulateur mais aussi la batterie et les utiliser dans n’importe quelle orientation. Cela impose le respect de masse et de dimensions relativement réduites et un système entièrement étanche. La production annuelle mondiale d’accumulateurs portables dépasse 2 milliards et croît de plus de 10 % par an. Les principales applications sont la téléphonie, les applications domestiques, les ordinateurs portables, l’outillage électroportatif, la vidéo, le modélisme et les jouets. REFERENCE : E 2 140 Date : Mai 2001 En ligne : http://acatalogue_2.biblio.intranet.enp.edu.dz/catalog.php?categ=serials&sub=ana [...]

Conducteurs aux hautes fréquences / Henri Baudrand in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Titre : Conducteurs aux hautes fréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Henri Baudrand, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 14 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Hautes  fréquences;  Conduction  des  supraconducteurs;  Electromagnétique Résumé : 1 Généralités 1.1 Introduction 1.2 Équation de transport dans les conducteurs 1.3 Comportement d'un conducteur en fonction de la fréquence 2 Effet de peau 2.1 Introduction 2.2 Couche de métal infinie en présence d'une onde électromagnétique 2.21 Onde plane à incidence normale sur un conducteur plan 2.22 Atténuation d'une onde se propageant le long d'un plan métal-lique 2.3 Étude d'une plaque d'épaisseur finie 2.31 Plaque mince devant la profondeur de pénétration 2.32 Plaque de grande épaisseur devant la profondeur de péné-tration 2.33 Plaque d'épaissseur quelconque 3 Application en compatibilité électromagnétique 3.1 Introduction 3.2 Impédance de transfert: définition 3.3 Mesures de l'impédance de transfert 4 Pertes dans différentes technologies 4.1 Introduction 4.2 Pertes métalliques en ligne microbande 4.3 Pertes dans les lignes coplanaires 4.4 Pertes dans les lignes à ailettes 4.5 Pertes par rayonnement 5 Applications des supraconducteurs en haute fréquence 5.1 Conduction des supraconducteurs 5.2 Résultats théoriques et expérimentaux 6 Effet multipactor REFERENCE : E 1205 Date : Décembre 1993 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...] [article] Conducteurs aux hautes fréquences [texte imprimé] / Henri Baudrand, Auteur . - 2007 . - 14 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Mots-clés : Hautes  fréquences;  Conduction  des  supraconducteurs;  Electromagnétique Résumé : 1 Généralités 1.1 Introduction 1.2 Équation de transport dans les conducteurs 1.3 Comportement d'un conducteur en fonction de la fréquence 2 Effet de peau 2.1 Introduction 2.2 Couche de métal infinie en présence d'une onde électromagnétique 2.21 Onde plane à incidence normale sur un conducteur plan 2.22 Atténuation d'une onde se propageant le long d'un plan métal-lique 2.3 Étude d'une plaque d'épaisseur finie 2.31 Plaque mince devant la profondeur de pénétration 2.32 Plaque de grande épaisseur devant la profondeur de péné-tration 2.33 Plaque d'épaissseur quelconque 3 Application en compatibilité électromagnétique 3.1 Introduction 3.2 Impédance de transfert: définition 3.3 Mesures de l'impédance de transfert 4 Pertes dans différentes technologies 4.1 Introduction 4.2 Pertes métalliques en ligne microbande 4.3 Pertes dans les lignes coplanaires 4.4 Pertes dans les lignes à ailettes 4.5 Pertes par rayonnement 5 Applications des supraconducteurs en haute fréquence 5.1 Conduction des supraconducteurs 5.2 Résultats théoriques et expérimentaux 6 Effet multipactor REFERENCE : E 1205 Date : Décembre 1993 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...]

Ferroélectricité / Geneviève Godefroy in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 19 p. Titre : Ferroélectricité Type de document : texte imprimé Auteurs : Geneviève Godefroy, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 19 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Ferroélectricité;  Effets  électro-optiques Résumé : La découverte du premier ferroélectrique utilisé à l’époque pour ses vertus curatives, sel de Seignette ou sel de Rochelle, tartrate double de sodium et potassium hydraté remonte à 1 655. Néanmoins, la ferroélectricité présente encore des aspects actuels très intéressants tant sur le plan fondamental que pour les applications qui se développent dans les domaines électronique et optique. Sont ferroélectriques des composés polyatomiques très polarisables non centrosymétriques, dans lesquels existe un champ électrique local très fort, non nul même en l’absence de champ électrique appliqué, dû à une polarisation rémanente. Celle-ci peut être changée de sens sous l’action d’un champ électrique dont la valeur est supérieure à un certain seuil, appelé champ coercitif. Polarisation rémanente et champ coercitif sont les deux données caractéristiques de la ferroélectricité : celles-ci sont mises en évidence sur le cycle d’hystérésis ferroélectrique. Ces propriétés spécifiques ne sont utilisées que dans deux types d’applications : les mémoires non volatiles et les diodes optiques. REFERENCE : E 1 870 Date : Septembre 1996 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Ferroélectricité [texte imprimé] / Geneviève Godefroy, Auteur . - 2007 . - 19 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 19 p. Mots-clés : Ferroélectricité;  Effets  électro-optiques Résumé : La découverte du premier ferroélectrique utilisé à l’époque pour ses vertus curatives, sel de Seignette ou sel de Rochelle, tartrate double de sodium et potassium hydraté remonte à 1 655. Néanmoins, la ferroélectricité présente encore des aspects actuels très intéressants tant sur le plan fondamental que pour les applications qui se développent dans les domaines électronique et optique. Sont ferroélectriques des composés polyatomiques très polarisables non centrosymétriques, dans lesquels existe un champ électrique local très fort, non nul même en l’absence de champ électrique appliqué, dû à une polarisation rémanente. Celle-ci peut être changée de sens sous l’action d’un champ électrique dont la valeur est supérieure à un certain seuil, appelé champ coercitif. Polarisation rémanente et champ coercitif sont les deux données caractéristiques de la ferroélectricité : celles-ci sont mises en évidence sur le cycle d’hystérésis ferroélectrique. Ces propriétés spécifiques ne sont utilisées que dans deux types d’applications : les mémoires non volatiles et les diodes optiques. REFERENCE : E 1 870 Date : Septembre 1996 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Effets et matériaux magnétostrictifs / Pierre Hartemann in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 13 p. Titre : Effets et matériaux magnétostrictifs Type de document : texte imprimé Auteurs : Pierre Hartemann, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 13 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Matériaux  magnétostrictifs;  Hystérésis  magnétique;  Alliages  métalliques;  Monocristaux Résumé : Le physicien anglais Joule découvrit en 1842 qu’un barreau de fer soumis à un champ magnétique longitudinal s’allongeait suivant ce champ, en même temps qu’il se contractait transversalement, comme sous l’effet d’une traction mécanique. Il donna à ce phénomène le nom de magnétostriction. Depuis lors, d’autres effets mécaniques du champ magnétique ont été mis en évidence. Soumis à un champ magnétique, des échantillons de certaines substances subissent non seulement des dilatations ou des contractions, mais encore des flexions, des torsions, des modifications de densité, voire des variations de leur module d’Young. À la suite de Joule, on a continué à classer tous ces phénomènes magnétoélastiques sous le vocable de magnétostriction. La magnétostriction se présente, au sens le plus général du terme, comme l’ensemble des relations liant les propriétés mécaniques d’un corps à ses propriétés magnétiques. Les compositions chimiques des matériaux sont notées dans cet article selon les règles suivantes généralement utilisées : pour les alliages métalliques et les matériaux amorphes, le nombre suivant le symbole chimique indique le pourcentage de cet atome ou groupe d’atomes contenu dans un volume donné. Pour un matériau, la somme des différents nombres est égale à 100 ; pour les autres matériaux, homogènes, structurés à l’échelle atomique, le nombre en indice suivant le symbole chimique correspond au nombre d’atomes considérés participant à la molécule. REFERENCE : E 1 880 Date : FEVRIER 1999 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/materiaux-ac [...] [article] Effets et matériaux magnétostrictifs [texte imprimé] / Pierre Hartemann, Auteur . - 2007 . - 13 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 13 p. Mots-clés : Matériaux  magnétostrictifs;  Hystérésis  magnétique;  Alliages  métalliques;  Monocristaux Résumé : Le physicien anglais Joule découvrit en 1842 qu’un barreau de fer soumis à un champ magnétique longitudinal s’allongeait suivant ce champ, en même temps qu’il se contractait transversalement, comme sous l’effet d’une traction mécanique. Il donna à ce phénomène le nom de magnétostriction. Depuis lors, d’autres effets mécaniques du champ magnétique ont été mis en évidence. Soumis à un champ magnétique, des échantillons de certaines substances subissent non seulement des dilatations ou des contractions, mais encore des flexions, des torsions, des modifications de densité, voire des variations de leur module d’Young. À la suite de Joule, on a continué à classer tous ces phénomènes magnétoélastiques sous le vocable de magnétostriction. La magnétostriction se présente, au sens le plus général du terme, comme l’ensemble des relations liant les propriétés mécaniques d’un corps à ses propriétés magnétiques. Les compositions chimiques des matériaux sont notées dans cet article selon les règles suivantes généralement utilisées : pour les alliages métalliques et les matériaux amorphes, le nombre suivant le symbole chimique indique le pourcentage de cet atome ou groupe d’atomes contenu dans un volume donné. Pour un matériau, la somme des différents nombres est égale à 100 ; pour les autres matériaux, homogènes, structurés à l’échelle atomique, le nombre en indice suivant le symbole chimique correspond au nombre d’atomes considérés participant à la molécule. REFERENCE : E 1 880 Date : FEVRIER 1999 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/materiaux-th11/materiaux-ac [...]

Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) / Olivier Fruchart in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Titre : Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Fruchart, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 15 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Nanostructures  magnétiques;  Couches  minces;  Processus  d'hystérésis Résumé : Les couches minces, nanostructures et hétérostructures magnétiques présentent des comportements différents et des fonctionnalités nouvelles par rapport aux matériaux massifs : effets thermiques et anisotropie exaltés, apparition de domaines et de parois spécifiques, effets de magnétotransport géants, etc. Ces effets et leur mise en œuvre sont décrits dans les dossiers [E 2 150] et Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2)Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2), suivis d’exemples de leur intégration technologique dans les domaines de l’électronique et de la médecine : disques durs, capteurs de champ, traceurs, etc. REFERENCE : E 2 150 Date : FEVRIER 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) [texte imprimé] / Olivier Fruchart, Auteur . - 2007 . - 15 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Mots-clés : Nanostructures  magnétiques;  Couches  minces;  Processus  d'hystérésis Résumé : Les couches minces, nanostructures et hétérostructures magnétiques présentent des comportements différents et des fonctionnalités nouvelles par rapport aux matériaux massifs : effets thermiques et anisotropie exaltés, apparition de domaines et de parois spécifiques, effets de magnétotransport géants, etc. Ces effets et leur mise en œuvre sont décrits dans les dossiers [E 2 150] et Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2)Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2), suivis d’exemples de leur intégration technologique dans les domaines de l’électronique et de la médecine : disques durs, capteurs de champ, traceurs, etc. REFERENCE : E 2 150 Date : FEVRIER 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2) / Olivier Fruchart in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Titre : Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2) Type de document : texte imprimé Auteurs : Olivier Fruchart, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 14 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Couches  mince;  Effets  de  couplage  indirects;  Couplage  direct;  Magnétorésistance Résumé : Les couches minces, nanostructures et hétérostructures magnétiques présentent des comportements différents et des fonctionnalités nouvelles par rapport aux matériaux massifs : effets thermiques et anisotropie exaltés, domaines et parois spécifiques, effets de magnétotransport géants, etc. Ces effets et mise en œuvre sont décrits dans les dossiers Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1)Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) et [E 2 151], suivis d’exemples de leur intégration technologique dans les domaines de l’électronique et de la médecine : disques durs, capteurs de champ, traceurs, etc. REFERENCE : E 2 151 Date : FEVRIER 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 2) [texte imprimé] / Olivier Fruchart, Auteur . - 2007 . - 14 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Mots-clés : Couches  mince;  Effets  de  couplage  indirects;  Couplage  direct;  Magnétorésistance Résumé : Les couches minces, nanostructures et hétérostructures magnétiques présentent des comportements différents et des fonctionnalités nouvelles par rapport aux matériaux massifs : effets thermiques et anisotropie exaltés, domaines et parois spécifiques, effets de magnétotransport géants, etc. Ces effets et mise en œuvre sont décrits dans les dossiers Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1)Couches minces et nanostructures magnétiques (partie 1) et [E 2 151], suivis d’exemples de leur intégration technologique dans les domaines de l’électronique et de la médecine : disques durs, capteurs de champ, traceurs, etc. REFERENCE : E 2 151 Date : FEVRIER 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Magnétorésistance géante et électronique de spin / Michel Hehn in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Titre : Magnétorésistance géante et électronique de spin Type de document : texte imprimé Auteurs : Michel Hehn, Auteur ; François Montaigne, Auteur ; Alain Schuhl, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 14 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Magnétorésistance  géante;  Matériaux  magnétiques;  L'électronique  de  spin Résumé : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th13/materiaux-et-dispositifs-magnetiques-et-supraconducteurs-42282210/magnetoresistance-geante-et-electronique-de-spin-e2135/ REFERENCE : E 2 135 Date : Novembre 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Magnétorésistance géante et électronique de spin [texte imprimé] / Michel Hehn, Auteur ; François Montaigne, Auteur ; Alain Schuhl, Auteur . - 2007 . - 14 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Mots-clés : Magnétorésistance  géante;  Matériaux  magnétiques;  L'électronique  de  spin Résumé : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th13/materiaux-et-dispositifs-magnetiques-et-supraconducteurs-42282210/magnetoresistance-geante-et-electronique-de-spin-e2135/ REFERENCE : E 2 135 Date : Novembre 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Filtres à ondes de surface / Philippe Coeuré in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Titre : Filtres à ondes de surface Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Coeuré, Auteur ; Philippe Defranould, Auteur ; Peter Wright, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 24 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Ondes  de  surface;  Fonderie;  FOS;  TCF;  Ondes  acoustiques;  Fonderie;  Filtres  a  résonateurs;  Réseau  d'électrodes Résumé : Les composants à ondes de surface SAW (Surface Acoustic Wave) sont des dispositifs discrets de traitement analogique du signal. Ils sont critiques pour le fonctionnement de beaucoup de systèmes électroniques modernes. Ce sont des composants passifs, bien adaptés pour réaliser des fonctions telles que ligne à retard, filtrage et source stable de fréquence. Les paragraphes qui suivent ont pour ambition de décrire les principaux aspects de la conception et des technologies de fabrication de filtres à ondes de surface (FOS) dits à « faible perte », les structures « classiques » étant présentées par ailleurs. Nous ne développons que les structures à un seul niveau de métallisation qui seules sont l’objet actuellement d’applications significatives, décrites en fin d’article. Ce sont les structures à transducteur unidirectionnel à une seule phase dit SPUDT (Single Phase Uni-Directional Transducer) dont il existe plusieurs variantes comme les DART (Distributed Acoustical Reflection Transducer) ou les IIDT (Interdigitated InterDigital Transducer) et les structures à base de résonateurs que ce soit du type couplé dites CRF (Coupled Resonator Filter) et guidé dites TCF (Transversely Coupled Filter) ou encore du type Impédant avec les configurations « échelle » (ladder) et « pont équilibré » (balanced bridge). Les thèmes abordés s’appuient sur les bases théoriques des ondes acoustiques et des structures classiques des filtres à ondes de surfaces développées de façon détaillée dans plusieurs ouvrages. Les lecteurs sont donc invités à consulter ces ouvrages cités en fin de cet article, dans « Pour en savoir plus ». Ne seront rappelés dans cet article que les points qui ont été jugés indispensables à une bonne compréhension de l’exposé. REFERENCE : E 2 200 Date : Mai 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Filtres à ondes de surface [texte imprimé] / Philippe Coeuré, Auteur ; Philippe Defranould, Auteur ; Peter Wright, Auteur . - 2007 . - 24 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Mots-clés : Ondes  de  surface;  Fonderie;  FOS;  TCF;  Ondes  acoustiques;  Fonderie;  Filtres  a  résonateurs;  Réseau  d'électrodes Résumé : Les composants à ondes de surface SAW (Surface Acoustic Wave) sont des dispositifs discrets de traitement analogique du signal. Ils sont critiques pour le fonctionnement de beaucoup de systèmes électroniques modernes. Ce sont des composants passifs, bien adaptés pour réaliser des fonctions telles que ligne à retard, filtrage et source stable de fréquence. Les paragraphes qui suivent ont pour ambition de décrire les principaux aspects de la conception et des technologies de fabrication de filtres à ondes de surface (FOS) dits à « faible perte », les structures « classiques » étant présentées par ailleurs. Nous ne développons que les structures à un seul niveau de métallisation qui seules sont l’objet actuellement d’applications significatives, décrites en fin d’article. Ce sont les structures à transducteur unidirectionnel à une seule phase dit SPUDT (Single Phase Uni-Directional Transducer) dont il existe plusieurs variantes comme les DART (Distributed Acoustical Reflection Transducer) ou les IIDT (Interdigitated InterDigital Transducer) et les structures à base de résonateurs que ce soit du type couplé dites CRF (Coupled Resonator Filter) et guidé dites TCF (Transversely Coupled Filter) ou encore du type Impédant avec les configurations « échelle » (ladder) et « pont équilibré » (balanced bridge). Les thèmes abordés s’appuient sur les bases théoriques des ondes acoustiques et des structures classiques des filtres à ondes de surfaces développées de façon détaillée dans plusieurs ouvrages. Les lecteurs sont donc invités à consulter ces ouvrages cités en fin de cet article, dans « Pour en savoir plus ». Ne seront rappelés dans cet article que les points qui ont été jugés indispensables à une bonne compréhension de l’exposé. REFERENCE : E 2 200 Date : Mai 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Composants piézo-électriques / Jean-Pierre Aubry in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Titre : Composants piézo-électriques Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean-Pierre Aubry, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 24 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : piézo-électriques;  Effets  non  linéaires;  Monolithiques;  Filtres  a  résonateurs;  XO;  TCXO;  VCXO;  OCXO;  Boitiers  oscillateurs Résumé : C’est en 1881 que Pierre et Jacques Curie mirent en évidence le phénomène de piézoélectricité−polarisation de certains corps sous l’effet d’une contrainte et réciproquement. La première application a été la réalisation de sonar pendant la Première Guerre mondiale et Cady fut le premier à utiliser un résonateur pour stabiliser un oscillateur en 1918. La première radio commerciale dont la fréquence est pilotée par quartz apparaît en 1930. Ces résonateurs fonctionnaient à basse fréquence, 10 à 100 kHz en modes de flexion. Les modes d’élongation fonctionnent jusqu’à environ 200 kHz et les modes de cisaillement de surface permettent d’atteindre le mégahertz. Les résonateurs en cisaillement d’épaisseur ont permis d’atteindre rapidement des fréquences de 20 à 30 MHz. Dans ces modes, c’est l’épaisseur qui fixe la fréquence, et les techniques d’usinage mécanique permettent de réaliser des disques jusque vers 0,03 mm (50 MHz). Les techniques de polissage ont permis de fonctionner sur les modes harmoniques et des usinages non conventionnels ont permis de réduire l’épaisseur à environ 8 µm (200 MHz) en application industrielle. REFERENCE : E 2 205 Date : Aöut 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Composants piézo-électriques [texte imprimé] / Jean-Pierre Aubry, Auteur . - 2007 . - 24 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 24 p. Mots-clés : piézo-électriques;  Effets  non  linéaires;  Monolithiques;  Filtres  a  résonateurs;  XO;  TCXO;  VCXO;  OCXO;  Boitiers  oscillateurs Résumé : C’est en 1881 que Pierre et Jacques Curie mirent en évidence le phénomène de piézoélectricité−polarisation de certains corps sous l’effet d’une contrainte et réciproquement. La première application a été la réalisation de sonar pendant la Première Guerre mondiale et Cady fut le premier à utiliser un résonateur pour stabiliser un oscillateur en 1918. La première radio commerciale dont la fréquence est pilotée par quartz apparaît en 1930. Ces résonateurs fonctionnaient à basse fréquence, 10 à 100 kHz en modes de flexion. Les modes d’élongation fonctionnent jusqu’à environ 200 kHz et les modes de cisaillement de surface permettent d’atteindre le mégahertz. Les résonateurs en cisaillement d’épaisseur ont permis d’atteindre rapidement des fréquences de 20 à 30 MHz. Dans ces modes, c’est l’épaisseur qui fixe la fréquence, et les techniques d’usinage mécanique permettent de réaliser des disques jusque vers 0,03 mm (50 MHz). Les techniques de polissage ont permis de fonctionner sur les modes harmoniques et des usinages non conventionnels ont permis de réduire l’épaisseur à environ 8 µm (200 MHz) en application industrielle. REFERENCE : E 2 205 Date : Aöut 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Microsystèmes / Daniel Estève in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 16 p. Titre : Microsystèmes Type de document : texte imprimé Auteurs : Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 16 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Microsystèmes;  MST;  MEMS;  Micro  electro  mechanical  systems Résumé : Le concept de Microsystème est né, à la fin des années 1980, aux États-Unis, des actions conduites à l’université de Berkeley pour intégrer, sur une même puce de silicium, capteurs, traitement du signal et actionneurs. L’intégration de certains capteurs avec leur traitement de signal était déjà bien explorée depuis quelques années (capteurs thermiques, capteurs de vision, capteurs magnétiques de Hall...) ; la nouveauté tenait à l’intégration des actionneurs électrostatiques sous forme de moteurs rotatifs ou linéaires. Ce concept a très rapidement suscité un vif intérêt dans le monde. Appelé MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) aux États-Unis, il s’est appelé Micromachines au Japon et MST (Microsystèmes Technologies) en Europe. On utilise en France le terme de Microsystème. REFERENCE : E 2 305 Date : Aoüt 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Microsystèmes [texte imprimé] / Daniel Estève, Auteur ; Jean Simonne, Auteur . - 2007 . - 16 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 16 p. Mots-clés : Microsystèmes;  MST;  MEMS;  Micro  electro  mechanical  systems Résumé : Le concept de Microsystème est né, à la fin des années 1980, aux États-Unis, des actions conduites à l’université de Berkeley pour intégrer, sur une même puce de silicium, capteurs, traitement du signal et actionneurs. L’intégration de certains capteurs avec leur traitement de signal était déjà bien explorée depuis quelques années (capteurs thermiques, capteurs de vision, capteurs magnétiques de Hall...) ; la nouveauté tenait à l’intégration des actionneurs électrostatiques sous forme de moteurs rotatifs ou linéaires. Ce concept a très rapidement suscité un vif intérêt dans le monde. Appelé MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) aux États-Unis, il s’est appelé Micromachines au Japon et MST (Microsystèmes Technologies) en Europe. On utilise en France le terme de Microsystème. REFERENCE : E 2 305 Date : Aoüt 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Technologie silicium sur isolant (SOI) / Sorin Cristoloveanu in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Titre : Technologie silicium sur isolant (SOI) Type de document : texte imprimé Auteurs : Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 23 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : MOSFET;  Silicium  sur  isolant;  Multigrille;  Nanofil;  Si  contrain Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue REFERENCE : E 2 380 Date : Mai 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Technologie silicium sur isolant (SOI) [texte imprimé] / Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur . - 2007 . - 23 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Mots-clés : MOSFET;  Silicium  sur  isolant;  Multigrille;  Nanofil;  Si  contrain Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue REFERENCE : E 2 380 Date : Mai 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Transistors bipolaires intégrés / Jean de Pontcharra in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p. Titre : Transistors bipolaires intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean de Pontcharra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 20 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors;  Circuits  intégrés;  Métrologie;  Silicium Résumé : La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). REFERENCE : E 2 427 Date : Novembre 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Transistors bipolaires intégrés [texte imprimé] / Jean de Pontcharra, Auteur . - 2007 . - 20 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p. Mots-clés : Transistors;  Circuits  intégrés;  Métrologie;  Silicium Résumé : La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). REFERENCE : E 2 427 Date : Novembre 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Transistor MOS et sa technologie de fabrication / Thomas Skotnicki in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p. Titre : Transistor MOS et sa technologie de fabrication Type de document : texte imprimé Auteurs : Thomas Skotnicki, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 37 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistor  MOS;  MOSFET;  CMOS;  Complementary  MOS;  Field  Effect  Transistor;  FET Résumé : Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés. Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor). REFERENCE : E 2 430 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Transistor MOS et sa technologie de fabrication [texte imprimé] / Thomas Skotnicki, Auteur . - 2007 . - 37 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p. Mots-clés : Transistor  MOS;  MOSFET;  CMOS;  Complementary  MOS;  Field  Effect  Transistor;  FET Résumé : Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés. Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor). REFERENCE : E 2 430 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Circuits intégrés CMOS sur silicium in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 28 p. Titre : Circuits intégrés CMOS sur silicium Type de document : texte imprimé Année de publication : 2007 Article en page(s) : 28 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Circuits  intégrés;  CMOS;  Silicium;  Verrouillage  cmos Résumé : La technologie CMOS (Complementary MOS), la plus répandue parmi toutes les technologies semi-conducteurs, se caractérise par le fait que toutes les fonctions logiques dans cette technologie sont réalisées moyennant l’utilisation d’une paire de transistors MOS complémentaires, c’est-à-dire connectés en série, l’un au canal N et l’autre au canal P. Lorsque l’un conduit, l’autre est fermé, grâce à quoi une porte logique CMOS ne consomme de l’énergie qu’au moment de la commutation. Cela distingue le CMOS de toutes les autres technologies. Les autres technologies MOS, telles que NMOS par exemple, présentent une consommation statique non négligeable, due au fait que le transistor de charge n’est pas complètement fermé lorsque le transistor de commande est ouvert. REFERENCE : E 2 432 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Circuits intégrés CMOS sur silicium [texte imprimé] . - 2007 . - 28 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 28 p. Mots-clés : Circuits  intégrés;  CMOS;  Silicium;  Verrouillage  cmos Résumé : La technologie CMOS (Complementary MOS), la plus répandue parmi toutes les technologies semi-conducteurs, se caractérise par le fait que toutes les fonctions logiques dans cette technologie sont réalisées moyennant l’utilisation d’une paire de transistors MOS complémentaires, c’est-à-dire connectés en série, l’un au canal N et l’autre au canal P. Lorsque l’un conduit, l’autre est fermé, grâce à quoi une porte logique CMOS ne consomme de l’énergie qu’au moment de la commutation. Cela distingue le CMOS de toutes les autres technologies. Les autres technologies MOS, telles que NMOS par exemple, présentent une consommation statique non négligeable, due au fait que le transistor de charge n’est pas complètement fermé lorsque le transistor de commande est ouvert. REFERENCE : E 2 432 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / Michel Bon in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 19 p. Titre : Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) Type de document : texte imprimé Auteurs : Michel Bon, Auteur ; Scavennec, André, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 19 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transistors;  Diagramme  de  bandes;  Hétérojonctions;  Métamorphiques Résumé : Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature des interfaces ou jonctions qui en séparent les différentes parties constitutives (métalliques, diélectriques ou semi-conducrices) et par la façon dont les porteurs, électrons ou trous, longent ou traversent ces interfaces. Les jonctions semi-conducteur/semi-conducteur intervenant dans les composants et circuits, à base de transistors à effet de champ ou de transistors bipolaires, qui ont dominé jusqu’à la fin des années 1980 la microélectronique, sont en général des homojonctions séparant deux régions de dopages différents, quoique éventuellement de même type, d’un même semi-conducteur hôte. En pratique, ce dernier est le plus souvent du silicium (filières NMOS, CMOS, bipolaires et BiCMOS) et plus rarement de l’arséniure de gallium (filières MESFET GaAs). REFERENCE : E 2450v2 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...] [article] Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) [texte imprimé] / Michel Bon, Auteur ; Scavennec, André, Auteur . - 2007 . - 19 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 19 p. Mots-clés : Transistors;  Diagramme  de  bandes;  Hétérojonctions;  Métamorphiques Résumé : Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature des interfaces ou jonctions qui en séparent les différentes parties constitutives (métalliques, diélectriques ou semi-conducrices) et par la façon dont les porteurs, électrons ou trous, longent ou traversent ces interfaces. Les jonctions semi-conducteur/semi-conducteur intervenant dans les composants et circuits, à base de transistors à effet de champ ou de transistors bipolaires, qui ont dominé jusqu’à la fin des années 1980 la microélectronique, sont en général des homojonctions séparant deux régions de dopages différents, quoique éventuellement de même type, d’un même semi-conducteur hôte. En pratique, ce dernier est le plus souvent du silicium (filières NMOS, CMOS, bipolaires et BiCMOS) et plus rarement de l’arséniure de gallium (filières MESFET GaAs). REFERENCE : E 2450v2 Date : Novembre 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...]

Langages pour la conception des circuits intégrés / Jean Mermet in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 28 p. Titre : Langages pour la conception des circuits intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Jean Mermet, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 28 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : VHDL;  Hardware  description  language;  HDL;  Circuits Résumé : La seconde moitié du XXe siècle restera comme l’ère de l’invention puis de la prolifération des circuits intégrés et des systèmes électroniques fabriqués avec eux. Les calculateurs existaient avant, mais ils étaient mécaniques. Au XXIe siècle, ces calculateurs devenus microprocesseurs ne seront plus qu’un composant d’un « système sur une puce ». Sur cette puce, on verra s’opérer d’autres mutations : optiques, micromécaniques (déjà maîtrisées), moléculaires, voire biologiques. En fait, tous ces aspects ne sont que l’habillage de machines mathématiques. Ceci est toujours resté perceptible dans le domaine du logiciel où langages de haut niveau ou langage machine sont des variations plus ou moins rigoureuses, mais immatérielles, des notions de fonctions d’automates, d’algorithmes ou de processus. REFERENCE : E 2 452 Date : Aoüt 2001 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Langages pour la conception des circuits intégrés [texte imprimé] / Jean Mermet, Auteur . - 2007 . - 28 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 28 p. Mots-clés : VHDL;  Hardware  description  language;  HDL;  Circuits Résumé : La seconde moitié du XXe siècle restera comme l’ère de l’invention puis de la prolifération des circuits intégrés et des systèmes électroniques fabriqués avec eux. Les calculateurs existaient avant, mais ils étaient mécaniques. Au XXIe siècle, ces calculateurs devenus microprocesseurs ne seront plus qu’un composant d’un « système sur une puce ». Sur cette puce, on verra s’opérer d’autres mutations : optiques, micromécaniques (déjà maîtrisées), moléculaires, voire biologiques. En fait, tous ces aspects ne sont que l’habillage de machines mathématiques. Ceci est toujours resté perceptible dans le domaine du logiciel où langages de haut niveau ou langage machine sont des variations plus ou moins rigoureuses, mais immatérielles, des notions de fonctions d’automates, d’algorithmes ou de processus. REFERENCE : E 2 452 Date : Aoüt 2001 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Conception des systèmes VLSI / Frédéric Rousseau in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 13 p. Titre : Conception des systèmes VLSI Type de document : texte imprimé Auteurs : Frédéric Rousseau, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 13 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : VLSI;  Conception  physique;  Technologie  des  circuits  intégrés;  Transistors;Microprocesseurs Résumé : Les progrès réalisés dans le domaine de la technologie des circuits intégrés ont permis de réduire de façon spectaculaire la taille des dispositifs. Ces technologies submicroniques permettent d’intégrer sur un même circuit plusieurs millions de transistors. Dans le même temps, les outils automatiques d’aide à la conception ont évolué et rendent possible l’intégration de ces millions de transistors sur un seul circuit. Mais la complexité des applications (notamment multimédia) est telle qu’elle entraîne une augmentation considérable de la durée de développement. Dans ce contexte, les outils et les méthodes de conception conventionnels de circuits intégrés ne sont plus adaptés et la recherche de nouvelles méthodes de conception conduit à la conception de systèmes, réalisés avec des composants logiciels (machines programmables, microprocesseurs...) et des composants matériels (circuits intégrés spécifiques...). REFERENCE : E 2455 Date : FEVRIER 2005 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Conception des systèmes VLSI [texte imprimé] / Frédéric Rousseau, Auteur . - 2007 . - 13 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 13 p. Mots-clés : VLSI;  Conception  physique;  Technologie  des  circuits  intégrés;  Transistors;Microprocesseurs Résumé : Les progrès réalisés dans le domaine de la technologie des circuits intégrés ont permis de réduire de façon spectaculaire la taille des dispositifs. Ces technologies submicroniques permettent d’intégrer sur un même circuit plusieurs millions de transistors. Dans le même temps, les outils automatiques d’aide à la conception ont évolué et rendent possible l’intégration de ces millions de transistors sur un seul circuit. Mais la complexité des applications (notamment multimédia) est telle qu’elle entraîne une augmentation considérable de la durée de développement. Dans ce contexte, les outils et les méthodes de conception conventionnels de circuits intégrés ne sont plus adaptés et la recherche de nouvelles méthodes de conception conduit à la conception de systèmes, réalisés avec des composants logiciels (machines programmables, microprocesseurs...) et des composants matériels (circuits intégrés spécifiques...). REFERENCE : E 2455 Date : FEVRIER 2005 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Test des circuits intégrés numériques / Régis Leveugle in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Titre : Test des circuits intégrés numériques : Notions de base. Génération de vecteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Régis Leveugle, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 14 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Circuits  intégrés;  DFT;  Design  for  Testability;  CMOS Résumé : Le test des circuits intégrés n’est pas un domaine nouveau, mais il est en perpétuelle mutation. Lors des premiers pas dans la production de circuits intégrés, l’ingénieur de conception et l’ingénieur chargé du test étaient généralement bien dissociés. Le premier décidait des éléments à implanter dans le circuit et du dessin de ces éléments sur le substrat physique ; le second décidait ensuite comment déterminer efficacement, en fin de production, si le circuit n’était pas entaché d’un défaut de fabrication et pouvait être livré au client. Le premier devait donc garantir une fonctionnalité exempte d’erreur de conception ; le second devait assurer la détection de tout défaut physique. Avec la croissance rapide de la complexité des circuits, cette séparation nette des responsabilités est devenue caduque. L’évolution vers la haute intégration (VLSI : Very Large Scale Integration) a eu pour conséquence l’impossibilité de tester efficacement le circuit en production si le test n’a pas été prévu pendant la conception ; la qualité et le coût du test sont devenus directement liés aux choix de conception et aux informations fournies par le concepteur pour la préparation du test. REFERENCE : E 2 460 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Test des circuits intégrés numériques : Notions de base. Génération de vecteurs [texte imprimé] / Régis Leveugle, Auteur . - 2007 . - 14 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 14 p. Mots-clés : Circuits  intégrés;  DFT;  Design  for  Testability;  CMOS Résumé : Le test des circuits intégrés n’est pas un domaine nouveau, mais il est en perpétuelle mutation. Lors des premiers pas dans la production de circuits intégrés, l’ingénieur de conception et l’ingénieur chargé du test étaient généralement bien dissociés. Le premier décidait des éléments à implanter dans le circuit et du dessin de ces éléments sur le substrat physique ; le second décidait ensuite comment déterminer efficacement, en fin de production, si le circuit n’était pas entaché d’un défaut de fabrication et pouvait être livré au client. Le premier devait donc garantir une fonctionnalité exempte d’erreur de conception ; le second devait assurer la détection de tout défaut physique. Avec la croissance rapide de la complexité des circuits, cette séparation nette des responsabilités est devenue caduque. L’évolution vers la haute intégration (VLSI : Very Large Scale Integration) a eu pour conséquence l’impossibilité de tester efficacement le circuit en production si le test n’a pas été prévu pendant la conception ; la qualité et le coût du test sont devenus directement liés aux choix de conception et aux informations fournies par le concepteur pour la préparation du test. REFERENCE : E 2 460 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Test des circuits intégrés numériques / Régis Leveugle in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Titre : Test des circuits intégrés numériques : Conception orientée testabilité Type de document : texte imprimé Auteurs : Régis Leveugle, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 15 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Test  des  circuits  intégrés;  Outils  cao;  Techniques  de  dft;  DFT;  Conception  d'un  circuit Résumé : Lans la première partie intitulée « Test des circuits intégrés numériques – Notions de base. Génération de vecteurs » Test des circuits intégrés numériques- Notions de base. Génération de vecteursTest des circuits intégrés numériques- Notions de base. Génération de vecteurs, les principaux concepts du domaine ont été introduits. Cette deuxième partie présente plus en détail différentes techniques pouvant être mises en œuvre, pendant la conception d’un circuit, pour faciliter son test en fin de fabrication ou dans l’équipement. Quelques techniques de base employées pour réaliser un test pendant l’exécution de l’application sont également introduites. REFERENCE : E 2 461 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Test des circuits intégrés numériques : Conception orientée testabilité [texte imprimé] / Régis Leveugle, Auteur . - 2007 . - 15 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 15 p. Mots-clés : Test  des  circuits  intégrés;  Outils  cao;  Techniques  de  dft;  DFT;  Conception  d'un  circuit Résumé : Lans la première partie intitulée « Test des circuits intégrés numériques – Notions de base. Génération de vecteurs » Test des circuits intégrés numériques- Notions de base. Génération de vecteursTest des circuits intégrés numériques- Notions de base. Génération de vecteurs, les principaux concepts du domaine ont été introduits. Cette deuxième partie présente plus en détail différentes techniques pouvant être mises en œuvre, pendant la conception d’un circuit, pour faciliter son test en fin de fabrication ou dans l’équipement. Quelques techniques de base employées pour réaliser un test pendant l’exécution de l’application sont également introduites. REFERENCE : E 2 461 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Système complet sur une puce et réutilisation de blocs / Antoine Hanczakowski in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 4 p. Titre : Système complet sur une puce et réutilisation de blocs Type de document : texte imprimé Auteurs : Antoine Hanczakowski, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 4 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Puce;  Réutilisation  de  blocs;  System  On  Chip;  SOC;  SLM;  Semiconductor  Intellectual  Property Résumé : La dénomination System On Chip (SOC) recouvre une nouvelle génération dans l'intégration des circuits électroniques : la première génération consistait en l'intégration sur une même puce d'une fonction spécifique jusqu'alors typiquement réalisée par l'interconnexion d'un certain nombre de composants électroniques élémentaires sur une carte de circuit imprimé ; le SOC est l'intégration sur une même puce d'un système plus complet. Celui-ci nécessitait jusqu'alors l'interconnexion sur une carte de plusieurs circuits intégrés de première géération. Chaque bloc constitutif d'un SOC, appelé macrobloc, cœur, bloc de propriété intellectuelle ou, en anglais, System Level Macro (SLM), core, ou Semiconductor Intellectual Property (SIP, ou en raccourci IP), réalise donc une fonction spécifique, dont la complexité peut varier de la simple interface de communication au cœur de microprocesseur. Cette terminologie nouvelle recouvre – et prolonge – en fait naturellement la catégorie des « cellules systèmes », présentée dans l'article « Bibliothèques de cellules pour circuits intégrés » de ce traité REFERENCE : E 2 468v2 Date : Aoüt 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Système complet sur une puce et réutilisation de blocs [texte imprimé] / Antoine Hanczakowski, Auteur . - 2007 . - 4 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 4 p. Mots-clés : Puce;  Réutilisation  de  blocs;  System  On  Chip;  SOC;  SLM;  Semiconductor  Intellectual  Property Résumé : La dénomination System On Chip (SOC) recouvre une nouvelle génération dans l'intégration des circuits électroniques : la première génération consistait en l'intégration sur une même puce d'une fonction spécifique jusqu'alors typiquement réalisée par l'interconnexion d'un certain nombre de composants électroniques élémentaires sur une carte de circuit imprimé ; le SOC est l'intégration sur une même puce d'un système plus complet. Celui-ci nécessitait jusqu'alors l'interconnexion sur une carte de plusieurs circuits intégrés de première géération. Chaque bloc constitutif d'un SOC, appelé macrobloc, cœur, bloc de propriété intellectuelle ou, en anglais, System Level Macro (SLM), core, ou Semiconductor Intellectual Property (SIP, ou en raccourci IP), réalise donc une fonction spécifique, dont la complexité peut varier de la simple interface de communication au cœur de microprocesseur. Cette terminologie nouvelle recouvre – et prolonge – en fait naturellement la catégorie des « cellules systèmes », présentée dans l'article « Bibliothèques de cellules pour circuits intégrés » de ce traité REFERENCE : E 2 468v2 Date : Aoüt 2011 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

La compatibilité électromagnétique dans les circuits intégrés / Mohamed Ramdani in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p. Titre : La compatibilité électromagnétique dans les circuits intégrés Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohamed Ramdani, Auteur ; Etienne Sicard, Auteur ; Sonia Bendhia, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 22 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Électromagnétique;  Circuits  intégrés;  Méyhodes  de  mesure  cem;  CEM;  ICEM;  Susceptibilité  des  circuits  intégrés Résumé : La directive européenne définit la compatibilité électromagnétique (CEM) comme étant : « L’aptitude d’un dispositif, d’un appareil ou d’un système à fonctionner dans son environnement électromagnétique de façon satisfaisante et sans produire lui-même des perturbations électromagnétiques intolérables pour tout ce qui se trouve dans cet environnement ». Depuis une dizaine d’années, les circuits intégrés et plus particulièrement le composant rejoignent les appareils et les systèmes dans le domaine de la CEM. En effet, l’apparition des nouvelles matrices de portes logiques à haute densité (plusieurs centaines de milliers de portes à plusieurs millions de portes), les nouvelles technologies (0,25 µm, 0,18 µm, 0,12 µm et bientôt moins de 90 nm) et les méthodes de conception haut niveau de type SOC (System On Chip), autorisent une forte intégration de fonctions complexes et rapides tels que processeurs de signaux numériques spécialisés, chaînes de traitement de signal, séquenceurs complexes d’algorithme de télécommunications, etc. Cela ne reste pas sans conséquences : la commutation simultanée de milliers de bascules, des variations rapides de courant sur les différents rails d’alimentation, des variations de potentiel sur les alimentations internes et externes qui peuvent être de l’ordre de grandeur des seuils logiques des portes. On entre de plain-pied dans le domaine de la compatibilité électromagnétique des circuits intégrés. REFERENCE : E 2 475 Date : Aoüt 2004 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] La compatibilité électromagnétique dans les circuits intégrés [texte imprimé] / Mohamed Ramdani, Auteur ; Etienne Sicard, Auteur ; Sonia Bendhia, Auteur . - 2007 . - 22 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p. Mots-clés : Électromagnétique;  Circuits  intégrés;  Méyhodes  de  mesure  cem;  CEM;  ICEM;  Susceptibilité  des  circuits  intégrés Résumé : La directive européenne définit la compatibilité électromagnétique (CEM) comme étant : « L’aptitude d’un dispositif, d’un appareil ou d’un système à fonctionner dans son environnement électromagnétique de façon satisfaisante et sans produire lui-même des perturbations électromagnétiques intolérables pour tout ce qui se trouve dans cet environnement ». Depuis une dizaine d’années, les circuits intégrés et plus particulièrement le composant rejoignent les appareils et les systèmes dans le domaine de la CEM. En effet, l’apparition des nouvelles matrices de portes logiques à haute densité (plusieurs centaines de milliers de portes à plusieurs millions de portes), les nouvelles technologies (0,25 µm, 0,18 µm, 0,12 µm et bientôt moins de 90 nm) et les méthodes de conception haut niveau de type SOC (System On Chip), autorisent une forte intégration de fonctions complexes et rapides tels que processeurs de signaux numériques spécialisés, chaînes de traitement de signal, séquenceurs complexes d’algorithme de télécommunications, etc. Cela ne reste pas sans conséquences : la commutation simultanée de milliers de bascules, des variations rapides de courant sur les différents rails d’alimentation, des variations de potentiel sur les alimentations internes et externes qui peuvent être de l’ordre de grandeur des seuils logiques des portes. On entre de plain-pied dans le domaine de la compatibilité électromagnétique des circuits intégrés. REFERENCE : E 2 475 Date : Aoüt 2004 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Mémoires à semi-conducteurs / Christophe Frey in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 12 p. Titre : Mémoires à semi-conducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Christophe Frey, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 12 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Mémoires;  Mémoires  statiques;  SRAM;  Transistors  bipolaires;  Mémoires  dynamiques;  DRAM;  Trois  transistors;  MOS;  Mémoires  non  volatiles Résumé : Les mémoires à semi-conducteurs utilisent, comme les technologies des circuits intégrés, le silicium en tant que matériau de départ. Elles constituent un domaine privilégié où les progrès de l’intégration poussée se font sentir immédiatement. Elles ont représenté les premières applications des circuits intégrés complexes (LSI Large Scale Integration, 1 000 portes par circuit intégré) et constitueront encore des véhicules de choix pour la démonstration de faisabilité de circuits intégrés très complexes et comme composants tracteurs de la technologie. REFERENCE : E 2 490 Date : Novembre 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Mémoires à semi-conducteurs [texte imprimé] / Christophe Frey, Auteur . - 2007 . - 12 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 12 p. Mots-clés : Mémoires;  Mémoires  statiques;  SRAM;  Transistors  bipolaires;  Mémoires  dynamiques;  DRAM;  Trois  transistors;  MOS;  Mémoires  non  volatiles Résumé : Les mémoires à semi-conducteurs utilisent, comme les technologies des circuits intégrés, le silicium en tant que matériau de départ. Elles constituent un domaine privilégié où les progrès de l’intégration poussée se font sentir immédiatement. Elles ont représenté les premières applications des circuits intégrés complexes (LSI Large Scale Integration, 1 000 portes par circuit intégré) et constitueront encore des véhicules de choix pour la démonstration de faisabilité de circuits intégrés très complexes et comme composants tracteurs de la technologie. REFERENCE : E 2 490 Date : Novembre 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

ASICs et logiciels CAO associés / Michel Robert in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 21 p. Titre : ASICs et logiciels CAO associés Type de document : texte imprimé Auteurs : Michel Robert, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 21 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : CAO;  Puces;  SOC;  CMOS;  Microélectronique;  Industrie  électronique;  Automobile Résumé : La microélectronique à base de silicium est déjà aujourd’hui et sera encore davantage demain un des moteurs essentiels dans la construction de la nouvelle société de l’information et de la communication du 21e siècle. Le secteur des équipements et systèmes électroniques est un des premiers secteurs industriels mondiaux. L’industrie électronique concerne plusieurs segments. Certains nécessitent des circuits intégrés très performants : ce sont les secteurs qui concernent les technologies de l’informatique et les télécommunications. Pour d’autres, des circuits moins performants sont suffisants : ce sont les secteurs de l’électronique grand public et de l’électronique industrielle. L’électronique pour l’automobile et les transports, quant à elle, suppose un fonctionnement de circuits fiables dans un environnement sévère. Enfin, l’électronique militaire et spatiale est un secteur stratégique et très spécifique mais qui, compte tenu des contraintes budgétaires, fait appel de plus en plus à des circuits se satisfaisant des technologies de fabrication développées pour les autres segments. REFERENCE : E 2 492 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] ASICs et logiciels CAO associés [texte imprimé] / Michel Robert, Auteur . - 2007 . - 21 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 21 p. Mots-clés : CAO;  Puces;  SOC;  CMOS;  Microélectronique;  Industrie  électronique;  Automobile Résumé : La microélectronique à base de silicium est déjà aujourd’hui et sera encore davantage demain un des moteurs essentiels dans la construction de la nouvelle société de l’information et de la communication du 21e siècle. Le secteur des équipements et systèmes électroniques est un des premiers secteurs industriels mondiaux. L’industrie électronique concerne plusieurs segments. Certains nécessitent des circuits intégrés très performants : ce sont les secteurs qui concernent les technologies de l’informatique et les télécommunications. Pour d’autres, des circuits moins performants sont suffisants : ce sont les secteurs de l’électronique grand public et de l’électronique industrielle. L’électronique pour l’automobile et les transports, quant à elle, suppose un fonctionnement de circuits fiables dans un environnement sévère. Enfin, l’électronique militaire et spatiale est un secteur stratégique et très spécifique mais qui, compte tenu des contraintes budgétaires, fait appel de plus en plus à des circuits se satisfaisant des technologies de fabrication développées pour les autres segments. REFERENCE : E 2 492 Date : Aoüt 2002 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Afficheurs électroluminescents / Carmen Galaup gonzalez in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 10 p. Titre : Afficheurs électroluminescents Type de document : texte imprimé Auteurs : Carmen Galaup gonzalez, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 10 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : Afficheurs;  Electroluminescents;  Phase  vapeur;  Atomic  layer Résumé : 1 Classification 1.1 Afficheurs ACPEL 1.2 Afficheurs DCPEL 1.3 Afficheurs ACTFEL 2 Principe de fonctionnement 2.1 Structure 2.2 Fonctionnement 2.21 Adressage 2.22 Consommation 3 Techniques de fabrication 3.1 Dépôt en phase vapeur 3.2 Pulvérisation cathodique 3.3 Atomic Layer Epitaxy (ALE) 4 Perspectives 4.1 Afficheurs électroluminescents polychromes 4.11 Matériaux 4.12 Architectures 4.2 Afficheurs électroluminescents à mémoire 4.21 Structure 4.22 Performances 5 Conclusion REFERENCE : E 2 500 Date : Juin 1992 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...] [article] Afficheurs électroluminescents [texte imprimé] / Carmen Galaup gonzalez, Auteur . - 2007 . - 10 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 10 p. Mots-clés : Afficheurs;  Electroluminescents;  Phase  vapeur;  Atomic  layer Résumé : 1 Classification 1.1 Afficheurs ACPEL 1.2 Afficheurs DCPEL 1.3 Afficheurs ACTFEL 2 Principe de fonctionnement 2.1 Structure 2.2 Fonctionnement 2.21 Adressage 2.22 Consommation 3 Techniques de fabrication 3.1 Dépôt en phase vapeur 3.2 Pulvérisation cathodique 3.3 Atomic Layer Epitaxy (ALE) 4 Perspectives 4.1 Afficheurs électroluminescents polychromes 4.11 Matériaux 4.12 Architectures 4.2 Afficheurs électroluminescents à mémoire 4.21 Structure 4.22 Performances 5 Conclusion REFERENCE : E 2 500 Date : Juin 1992 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...]

Composants analogiques programmables : FPAA / Alain Aubert in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 10 p. Titre : Composants analogiques programmables : FPAA Type de document : texte imprimé Auteurs : Alain Aubert, Auteur ; Cédric Ruby, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 10 p. Langues : Français (fre) Mots-clés : FPAA;  Lélectronique  analogique;  FPGA;  Conception  de  circuits  intégrés Résumé : Depuis les années 1990, des composants analogiques programmables (FPAA pour « field programmable analog array »), équivalents analogiques des FPGA, sont apparus sur le marché. Basés sur le concept des FPGA (on sous-entend par FPGA le terme générique représentant les FPGA eux-mêmes, mais aussi les CPLD, PAL ou PLA), ces circuits intègrent des cellules analogiques configurables (leurs fonctions de transfert ainsi que leurs caractéristiques sont configurables) et un réseau de connexions configurable ; les données de configuration sont enregistrées dans une mémoire numérique (de type RAM ou EEPROM) et la programmation du circuit se fait, par exemple, grâce à une liaison série. REFERENCE : E 2 515 Date : Aoüt 2004 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Composants analogiques programmables : FPAA [texte imprimé] / Alain Aubert, Auteur ; Cédric Ruby, Auteur . - 2007 . - 10 p. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 10 p. Mots-clés : FPAA;  Lélectronique  analogique;  FPGA;  Conception  de  circuits  intégrés Résumé : Depuis les années 1990, des composants analogiques programmables (FPAA pour « field programmable analog array »), équivalents analogiques des FPGA, sont apparus sur le marché. Basés sur le concept des FPGA (on sous-entend par FPGA le terme générique représentant les FPGA eux-mêmes, mais aussi les CPLD, PAL ou PLA), ces circuits intègrent des cellules analogiques configurables (leurs fonctions de transfert ainsi que leurs caractéristiques sont configurables) et un réseau de connexions configurable ; les données de configuration sont enregistrées dans une mémoire numérique (de type RAM ou EEPROM) et la programmation du circuit se fait, par exemple, grâce à une liaison série. REFERENCE : E 2 515 Date : Aoüt 2004 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Dispositifs à transfert de charges (CCD) / Gilles Boucharlat in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Titre : Dispositifs à transfert de charges (CCD) Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Boucharlat, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 23 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Transfert  de  charges;  Technologie  mos;  Multiplexeur;  Signal  optique Résumé : Lorsque, en 1969, Sangster et Teer inventèrent les « chaînes à seaux » – Bucket-Brigade en anglais –, sans doute n’avaient-ils pas idée de la porte qu’ils ouvraient devant eux, avec l’apparition de ce nouveau type de composant. En effet, sur la base de travaux parallèles et conceptuellement très voisins, Boyle et Smith publièrent en 1970 leurs premiers résultats sur leurs dispositifs à transfert de charge (DTC), regroupés sous le terme anglais de Charge Coupled Devices (CCD), circuits qui allaient permettre le développement extraordinaire de l’imagerie électronique, et sa mise à la portée du plus grand nombre grâce au « caméscope », puis à « l’appareil photo » numérique. REFERENCE : E 2 530 Date : FEVRIER 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Dispositifs à transfert de charges (CCD) [texte imprimé] / Gilles Boucharlat, Auteur . - 2007 . - 23 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 23 p. Mots-clés : Transfert  de  charges;  Technologie  mos;  Multiplexeur;  Signal  optique Résumé : Lorsque, en 1969, Sangster et Teer inventèrent les « chaînes à seaux » – Bucket-Brigade en anglais –, sans doute n’avaient-ils pas idée de la porte qu’ils ouvraient devant eux, avec l’apparition de ce nouveau type de composant. En effet, sur la base de travaux parallèles et conceptuellement très voisins, Boyle et Smith publièrent en 1970 leurs premiers résultats sur leurs dispositifs à transfert de charge (DTC), regroupés sous le terme anglais de Charge Coupled Devices (CCD), circuits qui allaient permettre le développement extraordinaire de l’imagerie électronique, et sa mise à la portée du plus grand nombre grâce au « caméscope », puis à « l’appareil photo » numérique. REFERENCE : E 2 530 Date : FEVRIER 2006 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences / Gilles Dambrine in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p. Titre : Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences Type de document : texte imprimé Auteurs : Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : 22 p. Note générale : bibliogr. Langues : Français (fre) Mots-clés : Semiconducteurs;  Hyperfréquences;  Transistors;  Dipöle;  Diodes;  Génération  de  puissance Résumé : Cet article a pour but de présenter les différents composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences. Ces composants peuvent être divisés en quatre groupes. 1) Les composants discrets non linéaires (diodes Schottky, PIN et varactors) qui permettent de traiter les signaux hyperfréquences en modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase (détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs). 2) Les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence : ce sont principalement les diodes à avalanche et temps de transit et les diodes à effet Gunn. 3) Les composants discrets tripôles (transistors à effet de champ ou transistors bipolaires) qui permettent non seulement l'amplification faible bruit ou l'amplification de puissance des signaux mais également la génération de puissance hyperfréquence (oscillateurs). 4) Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une fonction complète. Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants seront précisés et un état de l'art des performances obtenues à ce jour tant pour des composants de laboratoire que pour des composants commerciaux sera donné en termes de fréquences limites, puissance, rendement, gain, facteur de bruit, etc. REFERENCE : E 2 810 Date : Novembre 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Composants à semiconducteurs pour hyperfréquences [texte imprimé] / Gilles Dambrine, Auteur ; Sylvain Bollaert, Auteur . - 2007 . - 22 p. bibliogr. Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 22 p. Mots-clés : Semiconducteurs;  Hyperfréquences;  Transistors;  Dipöle;  Diodes;  Génération  de  puissance Résumé : Cet article a pour but de présenter les différents composants semiconducteurs utilisés dans les systèmes hyperfréquences. Ces composants peuvent être divisés en quatre groupes. 1) Les composants discrets non linéaires (diodes Schottky, PIN et varactors) qui permettent de traiter les signaux hyperfréquences en modifiant leur amplitude (atténuateurs, modulateurs), leur fréquence ou leur phase (détecteurs, mélangeurs, multiplicateurs, déphaseurs). 2) Les composants discrets permettant la génération de puissance hyperfréquence : ce sont principalement les diodes à avalanche et temps de transit et les diodes à effet Gunn. 3) Les composants discrets tripôles (transistors à effet de champ ou transistors bipolaires) qui permettent non seulement l'amplification faible bruit ou l'amplification de puissance des signaux mais également la génération de puissance hyperfréquence (oscillateurs). 4) Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes qui réunissent, sur un même substrat semiconducteur, différents composants actifs et passifs afin de réaliser une fonction complète. Les principes physiques régissant le fonctionnement de ces divers composants seront précisés et un état de l'art des performances obtenues à ce jour tant pour des composants de laboratoire que pour des composants commerciaux sera donné en termes de fréquences limites, puissance, rendement, gain, facteur de bruit, etc. REFERENCE : E 2 810 Date : Novembre 2007 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Technologie silicium sur isolant (SOI) / Sorin Cristoloveanu in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel) 

Public ISBD [article]  in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - pp. 1-24 Titre : Technologie silicium sur isolant (SOI) Type de document : texte imprimé Auteurs : Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur Année de publication : 2007 Article en page(s) : pp. 1-24 Note générale : Électronique Langues : Français (fre) Mots-clés : MOSFET;  Silicium  sur  isolant;  Multigrille;  Nanofil;  Si  contraint Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue Note de contenu : Bibiogr. REFERENCE : E 2380 Date : Août 2013 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...] [article] Technologie silicium sur isolant (SOI) [texte imprimé] / Sorin Cristoloveanu, Auteur ; Francis Balestra, Auteur . - 2007 . - pp. 1-24. Électronique Langues : Français (fre) in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - pp. 1-24 Mots-clés : MOSFET;  Silicium  sur  isolant;  Multigrille;  Nanofil;  Si  contraint Résumé : Dans cet article, l’état de l’art et les perspectives des technologies SOI sont présentés. La synthèse des matériaux et les avantages essentiels des circuits SOI sont tout d’abord exposés. Les méthodes de caractérisation et les mécanismes physiques qui régissent le fonctionnement des transistors MOS sur SOI sont détaillés. Le SOI ayant un fort potentiel pour repousser les frontières de la nanoélectronique, les avantages des transistors les plus prometteurs, incluant les canaux alternatifs, les dispositifs multi-grilles, les nanofils et les composants à effet tunnel, sont passés en revue Note de contenu : Bibiogr. REFERENCE : E 2380 Date : Août 2013 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]

Exemplaires

Bibliothèque Ecole Nationale Polytechnique d'Alger

Accueil

Se connecter

Météo

Adresse