Transistors à base de semi-conducteurs III-N sur substrat de silicium et applications / Farid Medjdoub (2012)

Public ISBD in Techniques de l'ingénieur : innovations technologique Ti958. Innovations en électronique et TIC / Annie Baudrant (2017)   Titre : Transistors à base de semi-conducteurs III-N sur substrat de silicium et applications : réf. internet IN146 Type de document : texte imprimé Auteurs : Farid Medjdoub, Auteur Année de publication : 2012 Importance : p.25-38 Présentation : ill. Note générale : Bibliogr. p.37 Langues : Français (fre) Mots-clés : Hyperfréquence -- convertisseur de puissance Note de contenu : Au sommaire: -Contexte -Application de forte puissance à haute fréquence -Convertisseurs de tension à haut rendement -Conclusion in Techniques de l'ingénieur : innovations technologique Ti958. Innovations en électronique et TIC / Annie Baudrant (2017)   Transistors à base de semi-conducteurs III-N sur substrat de silicium et applications : réf. internet IN146 [texte imprimé] / Farid Medjdoub, Auteur . - 2012 . - p.25-38 : ill. Bibliogr. p.37 Langues : Français (fre) Mots-clés : Hyperfréquence -- convertisseur de puissance Note de contenu : Au sommaire: -Contexte -Application de forte puissance à haute fréquence -Convertisseurs de tension à haut rendement -Conclusion

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