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Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium / Nadine Belfihadj 

Public ISBD Titre : Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium Type de document : document électronique Auteurs : Nadine Belfihadj, Auteur ; Hellal, Fateh, Directeur de thèse ; Faouzi Kezzoula, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2020 Importance : 1 fichier PDF (4.7 Mo) Présentation : ill. Note générale : Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 Bibliogr. f. 83 - 88 Langues : Français (fre) Mots-clés : Hétérojonction Photovoltaïque Silicium  amorphe  hydrogéné a-Si:H AFORS-HET Index. décimale : PL00420 Résumé : Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface. Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium [document électronique] / Nadine Belfihadj, Auteur ; Hellal, Fateh, Directeur de thèse ; Faouzi Kezzoula, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2020 . - 1 fichier PDF (4.7 Mo) : ill. Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020 Bibliogr. f. 83 - 88 Langues : Français (fre) Mots-clés : Hétérojonction Photovoltaïque Silicium  amorphe  hydrogéné a-Si:H AFORS-HET Index. décimale : PL00420 Résumé : Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
EP00183	PL00420	Ressources électroniques	Bibliothèque centrale	Projet Fin d'Etudes	Disponible	Metallurgie	Téléchargeable

Documents numériques

BELFIHADJ.Nadine.pdf URL