Titre : |
Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Hebib, Sami, Auteur ; Yahi, Islem, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse |
Editeur : |
[S.l.] : [s.n.] |
Année de publication : |
2004 |
Importance : |
59 f. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Note générale : |
Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2004
Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Transistor à effet de champ
Amplification faible bruit
Circuits constantes localisées
Circuit réparties
Conception des amplificateurs |
Index. décimale : |
PN00904 |
Résumé : |
Ce travail comporte des études d'amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ et à faible bruit, ainsi que leurs conceptions en technologie hybride.
Différents circuits passifs qu'il soient à constantes localisées ou réparties, sont utilisés.
Les circuits à constantes réparties sont réalisés en technologie microruban.
La conception de ces amplificateurs fait appel à la théorie des systèmes micro-ondes, basée sur celle des lignes de transmission et sur les paramètres de répartition.
La simulation, la synthèse et la réalisation du circuit imprimé de ces dispositifs se font à l'aide d'un logiciel approprié.
La fréquence de 2 GHz est choisie en raison de son utilisation dans la téléphonie mobile.
L'amplificateur conçu possède un facteur de bruit de 0.22 dB et un gain de 13.4 dB. |
Conception et simulation d'un amplificateur micro-ondes à faible bruit à bande étroite [texte imprimé] / Hebib, Sami, Auteur ; Yahi, Islem, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2004 . - 59 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d'Etudes: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 2004
Bibliogr. [1] f. - Annexe [3] f Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Transistor à effet de champ
Amplification faible bruit
Circuits constantes localisées
Circuit réparties
Conception des amplificateurs |
Index. décimale : |
PN00904 |
Résumé : |
Ce travail comporte des études d'amplificateurs micro-ondes à transistors à effet de champ et à faible bruit, ainsi que leurs conceptions en technologie hybride.
Différents circuits passifs qu'il soient à constantes localisées ou réparties, sont utilisés.
Les circuits à constantes réparties sont réalisés en technologie microruban.
La conception de ces amplificateurs fait appel à la théorie des systèmes micro-ondes, basée sur celle des lignes de transmission et sur les paramètres de répartition.
La simulation, la synthèse et la réalisation du circuit imprimé de ces dispositifs se font à l'aide d'un logiciel approprié.
La fréquence de 2 GHz est choisie en raison de son utilisation dans la téléphonie mobile.
L'amplificateur conçu possède un facteur de bruit de 0.22 dB et un gain de 13.4 dB. |
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