Etude de la métallisation d’un émetteur p+ par un alliage Ag/Al [document électronique] /
Aimad Eddine Admane, Auteur ;
Mahfoud Bouabdallah, Auteur ;
Merzak Laribi, Directeur de thèse ;
Abdelghani Boucheham, Directeur de thèse . -
[S.l.] : [s.n.], 2023 . - 1 fichier PDF (23.2 Mo) : ill.
Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2023
Mémoire en collaboration avec Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE). - Bibliogr. p. 103-107
Langues : Français (
fre)
| Mots-clés : |
Métallisation
Sillicium |
| Index. décimale : |
PL00523 |
| Résumé : |
La mise en contact de l’émetteur p+ avec des pâtes de sérigraphie Ag peut conduire à des résistances de contact spécifiques élevées, ce qui est plutôt médiocre par rapport aux contacts à base d’Ag avec des jonctions n+ dopées au phosphore présentant de faibles résistances de contact spécifiques. L’ajout d’Al à la pâte conduit à une résistance de contact spécifique plus faible. L’objectif de ce travail est d’étudier l’effet de l’ajout d’aluminium dans la pâte, pour cela deux méthodes de métallisation seront utilisées ainsi que diverses techniques de caractérisation. |
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