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Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. / Touhami Née Mahdi, Rachida 

Public ISBD Titre : Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Meraghni, A., Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1989 Importance : 113 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1989 Annexe f. 114-117. Bibliogr. f. 118-120 Langues : Français (fre) Mots-clés : Programme  d'analyse  transitoire;  Circuits  intégrés  à  M.O.S;  Modélisation  du  transistor;  MOS  Programme;  PATMOS Index. décimale : M000489 Résumé : Ceci nous mène à établir notre plan de travail comme suit: Dans un premier chapitre; nous présenterons la conception du modèle numérique du transistor M.O.S qui comprend deux approximations (transistor simple, transistor avec Cgs et Cgd) ainsi qu'une étude sur les modèles mathématiques et physiques. Au deuxième chapitre, le choix de l'algorithme d'analyse résulte d'un compromis entre la convergence, le temps de calcul et l'espace mémoire. Nous étudierons principalement les méthodes d'analyse, de formulation et d'intégration pour l'élaboration d'un programme universel avec temps de réponse et espace mémoire optimaux. Au troisième chapitre; les méthodes de formulation des équations par la théorie des graphes et la variable d'état, présentent des contraintes pour l'élaboration d'un logiciel universel. Nous avons jugé utile d'élaborer un algorithme de formulation automatique des équations d'analyse pour le transistor M.O.S. simple, le transistor avec capacité entre électrodes. Une étude numérique sur les méthodes de résolution des équations linéaires nous a permis l'amélioration de ce programme. Au quatrième chapitre; l'optimisation a été faite à partir: - De l'élaboration des logiciels de conversion topologie / données de description. - Du choix d'un calcul automatique du pas d'intégration, permettant de diminuer le temps d'exécution du PATMOS. Les vérifications expérimentales nous ont permis d'évaluer la précision avec laquelle le circuit intégré est simulé. Etude et réalisation d'un programme d'analyse transitoire des circuits intégrés à M.O.S.: P.A.T.M.O.S. [texte imprimé] / Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Meraghni, A., Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1989 . - 113 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1989 Annexe f. 114-117. Bibliogr. f. 118-120 Langues : Français (fre) Mots-clés : Programme  d'analyse  transitoire;  Circuits  intégrés  à  M.O.S;  Modélisation  du  transistor;  MOS  Programme;  PATMOS Index. décimale : M000489 Résumé : Ceci nous mène à établir notre plan de travail comme suit: Dans un premier chapitre; nous présenterons la conception du modèle numérique du transistor M.O.S qui comprend deux approximations (transistor simple, transistor avec Cgs et Cgd) ainsi qu'une étude sur les modèles mathématiques et physiques. Au deuxième chapitre, le choix de l'algorithme d'analyse résulte d'un compromis entre la convergence, le temps de calcul et l'espace mémoire. Nous étudierons principalement les méthodes d'analyse, de formulation et d'intégration pour l'élaboration d'un programme universel avec temps de réponse et espace mémoire optimaux. Au troisième chapitre; les méthodes de formulation des équations par la théorie des graphes et la variable d'état, présentent des contraintes pour l'élaboration d'un logiciel universel. Nous avons jugé utile d'élaborer un algorithme de formulation automatique des équations d'analyse pour le transistor M.O.S. simple, le transistor avec capacité entre électrodes. Une étude numérique sur les méthodes de résolution des équations linéaires nous a permis l'amélioration de ce programme. Au quatrième chapitre; l'optimisation a été faite à partir: - De l'élaboration des logiciels de conversion topologie / données de description. - Du choix d'un calcul automatique du pas d'intégration, permettant de diminuer le temps d'exécution du PATMOS. Les vérifications expérimentales nous ont permis d'évaluer la précision avec laquelle le circuit intégré est simulé.

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Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V / Touhami Née Mahdi, Rachida 

Public ISBD Titre : Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V : elaboration de modèles Type de document : texte imprimé Auteurs : Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2001 Importance : 101 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Bibliogr. [15] f Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET HEMT InP Schottky Index. décimale : D000801 Résumé : Pour les concepteurs de dispositifs électroniques à grande vitesse, les structures Schottky métal/phosphure d'indium (InP) présentent un intérêt considérable, aussi, vu l'importance de la hauteur de barrière dans le contrôle des caractéristiques électriques des structures Schottky, nous avons étudié puis utilisé différentes techniques de traitement de surface pour réaliser une meilleure passivation des structures "Au-InP" et "Au-isolant(oxyde)-InP". Les conditions de traitement par plasma d'oxygène des échantillons réalisés sont les suivants: puissance du plasma variable entre 50W et 140W, durée d'oxydation variable entre 1.3mn et 25mn, pression du plasma de 10 puissance -3 mbar et filament en tungstène, puis en tantale. Nous avons développé une approche adéquate pour déterminer le mécanisme de transport du courant. Les paramètres électriques et physiques des échantillons Au-oxyde-n-InP tels que le facteur d'idéalité, la résistance série, la constante effective de Richardson et la hauteur effective de barrière ont été déterminés à l'aide d'un modèle. Une meilleure estimation de ces paramètres a été obtenue par une redéfinition de la constante de Richardson, appelée valeur correcte de la constante de Richardson. Ce travail nous a permis de conclure que le mécanisme de transport du courant est une émission thermoionique avec effet tunnel. Après la modélisation, une étude sur l'influence des conditions d'oxydation de ces structures sur le mécanisme de transport a été présentée sachant que les paramètres électriques et physiques décrivant les structures Au-oxyde-n-InP dépendent de façon significative des paramètres caractérisant le plasma d'oxygène. Dans le domaine de la caractérisation des transistors micro-ondes, notre contribution a porté sur l'amélioration du modèle Chalmers. Elle porte aussi bien sur la précision du modèle que sur le gain en temps de calcul qui est relativement important. Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V : elaboration de modèles [texte imprimé] / Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2001 . - 101 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Bibliogr. [15] f Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET HEMT InP Schottky Index. décimale : D000801 Résumé : Pour les concepteurs de dispositifs électroniques à grande vitesse, les structures Schottky métal/phosphure d'indium (InP) présentent un intérêt considérable, aussi, vu l'importance de la hauteur de barrière dans le contrôle des caractéristiques électriques des structures Schottky, nous avons étudié puis utilisé différentes techniques de traitement de surface pour réaliser une meilleure passivation des structures "Au-InP" et "Au-isolant(oxyde)-InP". Les conditions de traitement par plasma d'oxygène des échantillons réalisés sont les suivants: puissance du plasma variable entre 50W et 140W, durée d'oxydation variable entre 1.3mn et 25mn, pression du plasma de 10 puissance -3 mbar et filament en tungstène, puis en tantale. Nous avons développé une approche adéquate pour déterminer le mécanisme de transport du courant. Les paramètres électriques et physiques des échantillons Au-oxyde-n-InP tels que le facteur d'idéalité, la résistance série, la constante effective de Richardson et la hauteur effective de barrière ont été déterminés à l'aide d'un modèle. Une meilleure estimation de ces paramètres a été obtenue par une redéfinition de la constante de Richardson, appelée valeur correcte de la constante de Richardson. Ce travail nous a permis de conclure que le mécanisme de transport du courant est une émission thermoionique avec effet tunnel. Après la modélisation, une étude sur l'influence des conditions d'oxydation de ces structures sur le mécanisme de transport a été présentée sachant que les paramètres électriques et physiques décrivant les structures Au-oxyde-n-InP dépendent de façon significative des paramètres caractérisant le plasma d'oxygène. Dans le domaine de la caractérisation des transistors micro-ondes, notre contribution a porté sur l'amélioration du modèle Chalmers. Elle porte aussi bien sur la précision du modèle que sur le gain en temps de calcul qui est relativement important.

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