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Amélioration des performances d'un amplificateur distribué conventionnel par compensation / Benaliouche, Samir 

Public ISBD Titre : Amélioration des performances d'un amplificateur distribué conventionnel par compensation Type de document : texte imprimé Auteurs : Benaliouche, Samir, Auteur ; Khanfouci, Mourad, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1998 Importance : 65 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1998 Annexe f. 66 - 76 . - Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  distribué Dimensionnement FET Performances  d'un  AD Index. décimale : PN00698 Résumé : Ce travail présente une méthode simplifiée pour analyser un amplificateur distribué (AD). On y développe des programmes donnant le dimensionnement du FET et le nombre de cellules, pour un cahier de charge donné on y entreprend une étude approximative de la stabilité ainsi que celle de méthodes de compensations améliorant les performances d'un AD. Amélioration des performances d'un amplificateur distribué conventionnel par compensation [texte imprimé] / Benaliouche, Samir, Auteur ; Khanfouci, Mourad, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1998 . - 65 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1998 Annexe f. 66 - 76 . - Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  distribué Dimensionnement FET Performances  d'un  AD Index. décimale : PN00698 Résumé : Ce travail présente une méthode simplifiée pour analyser un amplificateur distribué (AD). On y développe des programmes donnant le dimensionnement du FET et le nombre de cellules, pour un cahier de charge donné on y entreprend une étude approximative de la stabilité ainsi que celle de méthodes de compensations améliorant les performances d'un AD.

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Amplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. / Trabelsi, Mohamed 

Public ISBD Titre : Amplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1988 Importance : 98 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1988 Annexe [40] f. Bibliogr. [3] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  micro-onde;  Micro-onde  à  faible  bruit;  Réseau  T.V.D.S;  Photolithogravure;  Transistor  à  bande  étroite Index. décimale : M001488 Résumé : Le but de notre travail est d'étudier et de réaliser, en technologie hybride, cet amplificateur qui doit être à bande étroite (3,3% de bande relative) et à faible bruit. Le rapport coût-performance régit le choix entre les deux catégories d'amplificateurs micro-ondes qui sont: - Amplificateurs à transistors (bipolaire et à effet de champ); - Amplificateur à réflexion (diodes Gunn, Impatt et Tunnel). Une évolution rapide s'est produite ces dernières années dans la technologie des composants semi-conducteurs micro-ondes et , plus particulièrement, celle des transistors à effet de champ à l'arseniure de gallium (MESFET GaAs) qui sont caractérisés par un gain élevé en puissance (de l'ordre de 10 dB à 12 GHz) et par un faible facteur de bruit (de l'ordre de 1,5 dB à 12 GHz). Associé à la technologie des lignes à microbande, le transistor MESFET GaAs répond aux contraintes imposées, par le réseau de T.V.D.S, à notre dispositif. Nous avons, tout d'abord, passé en revue l'analyse des amplificateurs micro-ondes par la matrice de répartition, ce qui nous a permis de déterminer les caractéristiques de notre circuit (gain, coefficients de réflexion et facteur de bruit). Nous avons, ensuite, conçu deux méthodes d'optimisation de la bande passante. La première, développée à partir d'une structure connue, est simple mais restrictive, ce qui nous a amenés à concevoir la deuxième méthode qui est basée sur une structure plus générale et dont la mise en oeuvre nécessite un programme de résolution de système d'équations non linéaires que nous avons élaboré au niveau du laboratoire de télécommunications. Nous avons également, développé un programme de synthèse des circuits intégrés micro-ondes, basé sur les expressions de conception des dispositifs passifs à microruban, et un programme d'analyse C.A.O. (conception assisté par ordinateur). Nous avons, enfin, utilisé le DUROID RT 6010 comme substrat sur lequel nous avons gravé les circuits passifs grâce à la technique de la photolithogravure. Amplificateur micro-onde à faible bruit pour la T.V.D.S. [texte imprimé] / Trabelsi, Mohamed, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1988 . - 98 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1988 Annexe [40] f. Bibliogr. [3] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  micro-onde;  Micro-onde  à  faible  bruit;  Réseau  T.V.D.S;  Photolithogravure;  Transistor  à  bande  étroite Index. décimale : M001488 Résumé : Le but de notre travail est d'étudier et de réaliser, en technologie hybride, cet amplificateur qui doit être à bande étroite (3,3% de bande relative) et à faible bruit. Le rapport coût-performance régit le choix entre les deux catégories d'amplificateurs micro-ondes qui sont: - Amplificateurs à transistors (bipolaire et à effet de champ); - Amplificateur à réflexion (diodes Gunn, Impatt et Tunnel). Une évolution rapide s'est produite ces dernières années dans la technologie des composants semi-conducteurs micro-ondes et , plus particulièrement, celle des transistors à effet de champ à l'arseniure de gallium (MESFET GaAs) qui sont caractérisés par un gain élevé en puissance (de l'ordre de 10 dB à 12 GHz) et par un faible facteur de bruit (de l'ordre de 1,5 dB à 12 GHz). Associé à la technologie des lignes à microbande, le transistor MESFET GaAs répond aux contraintes imposées, par le réseau de T.V.D.S, à notre dispositif. Nous avons, tout d'abord, passé en revue l'analyse des amplificateurs micro-ondes par la matrice de répartition, ce qui nous a permis de déterminer les caractéristiques de notre circuit (gain, coefficients de réflexion et facteur de bruit). Nous avons, ensuite, conçu deux méthodes d'optimisation de la bande passante. La première, développée à partir d'une structure connue, est simple mais restrictive, ce qui nous a amenés à concevoir la deuxième méthode qui est basée sur une structure plus générale et dont la mise en oeuvre nécessite un programme de résolution de système d'équations non linéaires que nous avons élaboré au niveau du laboratoire de télécommunications. Nous avons également, développé un programme de synthèse des circuits intégrés micro-ondes, basé sur les expressions de conception des dispositifs passifs à microruban, et un programme d'analyse C.A.O. (conception assisté par ordinateur). Nous avons, enfin, utilisé le DUROID RT 6010 comme substrat sur lequel nous avons gravé les circuits passifs grâce à la technique de la photolithogravure.

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Analyse de l'amplificateur distribué par la méthode matricielle / Mameri, Tarek 

Public ISBD Titre : Analyse de l'amplificateur distribué par la méthode matricielle Type de document : texte imprimé Auteurs : Mameri, Tarek, Auteur ; Si Moussa, Mehdi, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1999 Importance : 46 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1999 Bibliogr. [1] f. - Annexe [21] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  distribué  (A.D) Matrice  chaine Matrice  de  transmission Gain  en  puissance Bande  passante  A.D Résistance  négative Passe-bande Index. décimale : PN01199 Résumé : Ce travail présente deux méthodes matricielles d'analyse de l'amplificateur distribué(A.D.), la première basée sur la théorie des quadripôles et la seconde sur les ondes de répartitions. Cette dernière a permis d'évaluer les signaux se propageant dans l'AD. Dans le but d'améliorer les performances de cet amplificateur, une étude du montage "cascode inversé" a été entreprise. Enfin on s'est intéressé à l'amplificateur distribué passe-bande (A.D.P.B.). Afin d'améliorer le gain de l'A.D.P.B., on a inséré un étage de compensation à résistance négative passe-bande, ce qui a permis de réduire les atténuations. Analyse de l'amplificateur distribué par la méthode matricielle [texte imprimé] / Mameri, Tarek, Auteur ; Si Moussa, Mehdi, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1999 . - 46 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1999 Bibliogr. [1] f. - Annexe [21] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur  distribué  (A.D) Matrice  chaine Matrice  de  transmission Gain  en  puissance Bande  passante  A.D Résistance  négative Passe-bande Index. décimale : PN01199 Résumé : Ce travail présente deux méthodes matricielles d'analyse de l'amplificateur distribué(A.D.), la première basée sur la théorie des quadripôles et la seconde sur les ondes de répartitions. Cette dernière a permis d'évaluer les signaux se propageant dans l'AD. Dans le but d'améliorer les performances de cet amplificateur, une étude du montage "cascode inversé" a été entreprise. Enfin on s'est intéressé à l'amplificateur distribué passe-bande (A.D.P.B.). Afin d'améliorer le gain de l'A.D.P.B., on a inséré un étage de compensation à résistance négative passe-bande, ce qui a permis de réduire les atténuations.

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Analyse et conception des coupleurs et diviseurs de puissance micro ondes / Behlouli, Nabil 

Public ISBD Titre : Analyse et conception des coupleurs et diviseurs de puissance micro ondes Type de document : texte imprimé Auteurs : Behlouli, Nabil, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2001 Importance : 74 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Annexe f. 75 - 91 . Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Diviseur  de  Wilkinson  Coupleur  directif Technologie  planaires Elargissement  de  bande  passante Index. décimale : M000101 Résumé : Le but de ce travail consiste à développer et mettre en oeuvre des méthodes de conception des diviseurs-combineurs de puissance micro ondes (coupleurs, diviseurs de Wilkinson), dispositifs très importants dans les réseaux de Télécommunication. Ces méthodes de conception, s'articulant sur l'analyse et la synthèse, ont pour objet les dispositifs à large bande de fréquence indispensables à la transmission de grandes quantités d'informations et qui constituent donc une solution aux besoins actuels de traitement et de transmission. N'ayant pas recours aux grandeurs électriques mesurables, les méthodes d'analyse du diviseur de Wilkinson exixtantes sont donc fastidieuses, ce qui nous a conduits à développer une nouvelle approche moins contraignante et beaucoup plus précise. Les résultats obtenus permettrons la conception de n'importe quel diviseur-combineur de puissance ainsi que sa réalisation en technologie planaire. Analyse et conception des coupleurs et diviseurs de puissance micro ondes [texte imprimé] / Behlouli, Nabil, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2001 . - 74 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Annexe f. 75 - 91 . Bibliogr. [1] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Diviseur  de  Wilkinson  Coupleur  directif Technologie  planaires Elargissement  de  bande  passante Index. décimale : M000101 Résumé : Le but de ce travail consiste à développer et mettre en oeuvre des méthodes de conception des diviseurs-combineurs de puissance micro ondes (coupleurs, diviseurs de Wilkinson), dispositifs très importants dans les réseaux de Télécommunication. Ces méthodes de conception, s'articulant sur l'analyse et la synthèse, ont pour objet les dispositifs à large bande de fréquence indispensables à la transmission de grandes quantités d'informations et qui constituent donc une solution aux besoins actuels de traitement et de transmission. N'ayant pas recours aux grandeurs électriques mesurables, les méthodes d'analyse du diviseur de Wilkinson exixtantes sont donc fastidieuses, ce qui nous a conduits à développer une nouvelle approche moins contraignante et beaucoup plus précise. Les résultats obtenus permettrons la conception de n'importe quel diviseur-combineur de puissance ainsi que sa réalisation en technologie planaire.

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Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET / Chebbah, Madjid 

Public ISBD Titre : Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET Type de document : texte imprimé Auteurs : Chebbah, Madjid, Auteur ; Guerchaoui, Abdelkrim, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1985 Importance : 44 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985 Annexe f. 45 - 56 . Bibliogr. f.57 Langues : Français (fre) Mots-clés : Réseaux  d'adaptation Synthèse Réalisation Index. décimale : PN02085 Résumé : Le but de ce projet est d'étudier les techniques variées d'adaptation à large bande pour transistor,aux fréquences micro-ondes, le coefficient de transmission S12 des transistors, spécialement les GaAs FET est très faible, alors le modèle unilatéral(S 12=0) peut être utilisé avec un minimum de corrections et celles-ci sont introduites dans la procédure d'optimisation finale. Analyse et synthèse des réseaux d'adaptation à large bande pour amplificateurs micro-onde à transistor FET [texte imprimé] / Chebbah, Madjid, Auteur ; Guerchaoui, Abdelkrim, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1985 . - 44 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1985 Annexe f. 45 - 56 . Bibliogr. f.57 Langues : Français (fre) Mots-clés : Réseaux  d'adaptation Synthèse Réalisation Index. décimale : PN02085 Résumé : Le but de ce projet est d'étudier les techniques variées d'adaptation à large bande pour transistor,aux fréquences micro-ondes, le coefficient de transmission S12 des transistors, spécialement les GaAs FET est très faible, alors le modèle unilatéral(S 12=0) peut être utilisé avec un minimum de corrections et celles-ci sont introduites dans la procédure d'optimisation finale.

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PN02085	PN02085	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Projet Fin d'Etudes	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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CHEBBAH.Madjid_GURCHAOUI.Abdelkrim.pdf URL

C.A.O. des amplificateurs micro-ondes / Tounsi, Sidali 

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C.A.O. des circuits micro-ondes / Slimane Houache 

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C-A-O des dispositifs micro-ondes à constantes réparties / Mahfoud Abdelouahab 

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Comptage électronique / Trabelsi, Mohamed 

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Conception d'un amplificateur distribué en technologie monolitique / Si Moussa, Mehdi 

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Conception d'un amplificateur de puissance micro-onde de type Doherty / Lounici, Souad 

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Conception d'amplificateurs microondes à large bande / Ouadah, Yahia 

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Conception des amplificateurs de puissance micro ondes en classe A, AB, B et C / Taibi, Abdelkader 

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Conception d’amplificateurs RF faible bruit en technologie CMOS / Taibi, Abdelkader 

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Conception et développement d'un logiciel d'analyse des réseaux micro-ondes / Saidi, Kheira 

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