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Auteur Moussaoui, Mohammed
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Titre : Etude et conception d'amplificateurs distribués de puissance en classe A Type de document : texte imprimé Auteurs : Moussaoui, Mohammed, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2004 Importance : 72 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004
Bibliogr. [2]f. . Annexe [5]fLangues : Français (fre) Mots-clés : ADPNU Amplificateur distribué uniforme
Coupleur de Wilkinson Signal fort en classe AIndex. décimale : M002204 Résumé : Le but de notre travail est l'étude et la conception d'un amplificateur distribué de puissance (ADP) en classe A, à base de transistors MESFET (PHEMT) d'arséniure de Gallium (GaAs) selon les modèles linéaire ou non linéaire.
Cet ADP, qui est un dispositif micro-onde sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de giga hertz.
Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant une conception de deux ADP, reposant sur des architectures différentes uniforme et non uniforme (ADPU et ADPNU), qui permet d'augmenter la puissance en sortie en optimisant la charge.
Nous avons proposé aussi une configuration d'ADP avec le coupleur de Wilkinson pour pallier à certains facteurs limitateurs de puissance.Etude et conception d'amplificateurs distribués de puissance en classe A [texte imprimé] / Moussaoui, Mohammed, Auteur ; Trabelsi, Mohamed, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2004 . - 72 f. : ill. ; 30 cm.
Mémoire de Magister : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2004
Bibliogr. [2]f. . Annexe [5]f
Langues : Français (fre)
Mots-clés : ADPNU Amplificateur distribué uniforme
Coupleur de Wilkinson Signal fort en classe AIndex. décimale : M002204 Résumé : Le but de notre travail est l'étude et la conception d'un amplificateur distribué de puissance (ADP) en classe A, à base de transistors MESFET (PHEMT) d'arséniure de Gallium (GaAs) selon les modèles linéaire ou non linéaire.
Cet ADP, qui est un dispositif micro-onde sous forme d'un octopole actif, permet d'avoir un gain plat sur une bande passante allant jusqu'à plusieurs dizaines de giga hertz.
Nous nous sommes aussi intéressés à l'amélioration des performances de l'amplificateur distribué en proposant une conception de deux ADP, reposant sur des architectures différentes uniforme et non uniforme (ADPU et ADPNU), qui permet d'augmenter la puissance en sortie en optimisant la charge.
Nous avons proposé aussi une configuration d'ADP avec le coupleur de Wilkinson pour pallier à certains facteurs limitateurs de puissance.Exemplaires
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité Spécialité Etat_Exemplaire M002204 M002204 Papier Bibliothèque centrale Mémoire de Magister Disponible Documents numériques
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