Auteur Moussaoui, Mohammed
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Le but de notre travail est l'étude et la conception d'un amplificateur distribué de puissance (ADP) en classe A, à base de transistors MESFET (PHEMT) d'arséniure de Gallium (GaAs) selon les modèles linéaire ou non linéaire. Cet ADP, qui est un[...]
