| Titre : | Experimental Analysis of Punch-Through Conditions in Power $P$-$I$- $N$ Diodes (2007) |
| Titre original : | Analyse expérimentale de Poinçon-À travers des conditions dans des diodes de la puissance $P$-$I$- $N$ |
| Auteurs : | Ben Salah, Tarek, Auteur ; Buttay, Cyril, Auteur |
| Type de document : | Article : texte imprimé |
| Dans : | IEEE transactions on power electronics (Vol. 22 N°1, Janvier 2007) |
| Article en page(s) : | 13-20 p. |
| Note générale : | Electronique |
| Langues : | Anglais |
| Index. décimale : | 621.31 (Production,approvisionnement et contrôle de l'électricité.Machines et appareils électriques.Mesure électrique.Magnétisme et électrostatique appliquées ) |
| Tags : | Avalanche p-type Intrinsic n-type (P-I-N) Diode Punch-through (PT) Reverse-recovery Intrinsèque Passer à travers Rétablissement renversé |
| Résumé : |
Commercial power diodes are optimized to feature punch-through behavior. However, a tradeoff between the width and the doping level of the diode epitaxial layer leads to various levels of optimization. For a given breakdown voltage, a shorter epitaxial layer width leads to better transient performances. Device datasheets do not cover this issue and a simple experimental setup is presented to assess the optimization conditions inside the diode epitaxial layer. Three commercial devices are tested and experimental results are confronted to device simulations. A good agreement is found.
Des diodes commerciales de puissance sont optimisées pour comporter poinçon-à travers le comportement. Cependant, une différence entre la largeur et le niveau enduisant de la couche épitaxiale de diode mène à de divers niveaux d'optimisation. Pour une tension claque indiquée, une largeur épitaxiale plus courte de couche mène à améliorer des exécutions passagères. Les datasheets de dispositif ne couvrent pas cette question et une installation expérimentale simple est présentée pour évaluer les conditions d'optimisation à l'intérieur de la couche épitaxiale de diode. Trois dispositifs commerciaux sont examinés et des résultats expérimentaux sont confrontés aux simulations de dispositif. Une bonne concordance est trouvée. |
| DEWEY : | 621 |
| ISSN : | 0885-8993 |
| RAMEAU : | Diodes |
| En ligne : | allard@cegely.insa-lyon.fr |
