Amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S / Ouchar, Ali (1991) 

Public ISBD Titre : Amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S Type de document : texte imprimé Auteurs : Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1991 Importance : 61 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1991 Annexe [11] f. Bibliogr. [2] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur micro-onde  Fréquence intermédiaire T.V.D.S Index. décimale : M002091 Résumé : L'objet de notre travail consiste à compléter cette chaîne de reception par l'adjonction d'un amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire (1.1 GHz) en tenant compte à la fois des normes internationales de la T.V.D.S et des réalisations précédentes comme cahier de charges (impédance et puissance à la sortie du mélangeur). Cet amplificateur doit avoir un gain maximum (transfert maximum de puissance à la charge) et constant sur une large bande de fréquence (bande relative de 40 %) et il doit être adaptable aux dispositifs en amont et en aval (démodulateur FM). Le choix de l'élément actif utilisé en amplification micro-onde est régi par le rapport coût-performances. L'evolution rapide de la technologie hybride, plus particulièrement celle du transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs) est d'un apport considérable en micro-onde. Néanmoins, malgré leur limitation en fréquences (fréquence de transition inférieur à 5 GHz), les transistors bipolaires peuvent assumer le même rôle pour une amplification des signaux de fréquences allant jusqu'à 2 GHz. La destination commerciale du produit, associé aux données de réalisation, nous a permis d'adopter le transistor bipolaire à technologie planaire à savoir le BFR 91 aisément adapté à la technologie microruban et aux structures (réseaux) passives associées. Nous avons d'abord traiter la théorie des multipôles nécessaire à l'analyse ainsi qu'à la synthèse des réseaux actifs et passifs. La théorie d'adaptation à large bande a été bien développée afin de ressortir les différents critères de stabilités et de faisabilité. Un programme (A.N.A.M), associé à cette méthode a été élacoré pour déterminer entre autres les éléments constituants les réseaux passifs associés au transistor. Dans le but d'obtenir des structures passives optimums, nous avons utilisé une méthode itérative récente, qui associée à un programme d'optimisation (N.U.M.M), permet d'obtenir un produit fini ne nécessitant aucune correction, réalisable par la C.A.O. Enfin l'amplificateur a été réalisé sur un substrat de faible pertes (DUROID 5880) à l'aide de la technique de la photogravure et des mesures expérimentales ont été effectuées avec un analyseur de réseau automatique HP 8409C à système de visualisation polaire et à polarisation autonome. L'interprétation des résultats théoriques et expérimentaux, nous a permis de juger d'un œil critique les performances de ces méthodes et ce afin de ressortir l'opportunité de leur application. Amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire pour la T.V.D.S [texte imprimé] / Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1991 . - 61 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister: Electronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1991 Annexe [11] f. Bibliogr. [2] f. Langues : Français (fre) Mots-clés : Amplificateur micro-onde  Fréquence intermédiaire T.V.D.S Index. décimale : M002091 Résumé : L'objet de notre travail consiste à compléter cette chaîne de reception par l'adjonction d'un amplificateur micro-onde à fréquence intermédiaire (1.1 GHz) en tenant compte à la fois des normes internationales de la T.V.D.S et des réalisations précédentes comme cahier de charges (impédance et puissance à la sortie du mélangeur). Cet amplificateur doit avoir un gain maximum (transfert maximum de puissance à la charge) et constant sur une large bande de fréquence (bande relative de 40 %) et il doit être adaptable aux dispositifs en amont et en aval (démodulateur FM). Le choix de l'élément actif utilisé en amplification micro-onde est régi par le rapport coût-performances. L'evolution rapide de la technologie hybride, plus particulièrement celle du transistor à effet de champ en arséniure de gallium (GaAs) est d'un apport considérable en micro-onde. Néanmoins, malgré leur limitation en fréquences (fréquence de transition inférieur à 5 GHz), les transistors bipolaires peuvent assumer le même rôle pour une amplification des signaux de fréquences allant jusqu'à 2 GHz. La destination commerciale du produit, associé aux données de réalisation, nous a permis d'adopter le transistor bipolaire à technologie planaire à savoir le BFR 91 aisément adapté à la technologie microruban et aux structures (réseaux) passives associées. Nous avons d'abord traiter la théorie des multipôles nécessaire à l'analyse ainsi qu'à la synthèse des réseaux actifs et passifs. La théorie d'adaptation à large bande a été bien développée afin de ressortir les différents critères de stabilités et de faisabilité. Un programme (A.N.A.M), associé à cette méthode a été élacoré pour déterminer entre autres les éléments constituants les réseaux passifs associés au transistor. Dans le but d'obtenir des structures passives optimums, nous avons utilisé une méthode itérative récente, qui associée à un programme d'optimisation (N.U.M.M), permet d'obtenir un produit fini ne nécessitant aucune correction, réalisable par la C.A.O. Enfin l'amplificateur a été réalisé sur un substrat de faible pertes (DUROID 5880) à l'aide de la technique de la photogravure et des mesures expérimentales ont été effectuées avec un analyseur de réseau automatique HP 8409C à système de visualisation polaire et à polarisation autonome. L'interprétation des résultats théoriques et expérimentaux, nous a permis de juger d'un œil critique les performances de ces méthodes et ce afin de ressortir l'opportunité de leur application.

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Analyseur de reseaux automatique HP84o8 B / Ouchar, Ali (1986) 

Public ISBD Titre : Analyseur de reseaux automatique HP84o8 B Type de document : texte imprimé Auteurs : Ouchar, Ali, Auteur ; Rachid Amarouche, Auteur ; M. Trabelsi, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1986 Importance : 83 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1986 Bibliogr. f. 100 Langues : Français (fre) Mots-clés : HP 84o8 B Réseaux automatique -- Analyseur Index. décimale : PN06086 Résumé : Ce projet constitue en quelque sorte un document important pour la compréhension et surtout l'utilisation de l'analyseur de réseau HP 84o8 B. En plus de l'étude faites sur cet analyseur, nous avons montré une technique générale appelée technique d’épluchage ou de désembuage qui permet à partir de la cratérisation des circuits associés au transistor, à mesurer tels que les connecteurs et les lignes micro-rubans d'obtenir les paramètres de dispersion du transistor seul. Analyseur de reseaux automatique HP84o8 B [texte imprimé] / Ouchar, Ali, Auteur ; Rachid Amarouche, Auteur ; M. Trabelsi, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1986 . - 83 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1986 Bibliogr. f. 100 Langues : Français (fre) Mots-clés : HP 84o8 B Réseaux automatique -- Analyseur Index. décimale : PN06086 Résumé : Ce projet constitue en quelque sorte un document important pour la compréhension et surtout l'utilisation de l'analyseur de réseau HP 84o8 B. En plus de l'étude faites sur cet analyseur, nous avons montré une technique générale appelée technique d’épluchage ou de désembuage qui permet à partir de la cratérisation des circuits associés au transistor, à mesurer tels que les connecteurs et les lignes micro-rubans d'obtenir les paramètres de dispersion du transistor seul.

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Elaboration d'un logiciel de commande de l'analyseur de réseaux HP 8408 B / Sadoun, Samira (1993) 

Public ISBD Titre : Elaboration d'un logiciel de commande de l'analyseur de réseaux HP 8408 B Type de document : texte imprimé Auteurs : Sadoun, Samira, Auteur ; Taouch, Khadidja, Auteur ; Ouchar, Ali, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1993 Importance : 61 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1993 Bibliogr. [2] f. - Annexe [22] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Analyseurs de réseaux HP 8408B Logiciel élaboré (CAL-MES) Exploitation du logiciel Index. décimale : PN00693 Résumé : Cette thèse est constituée de deux parties, comprenant un total de quatre chapitres: * La première partie décrit les différentes méthodes de mesure ainsi que les erreurs pouvant les effectuer, elle donne également une description complète du matériel utilisé à savoir le A.R.A. 8408B, le bus HPIB et la carte d'interface IEEE-488, suivie d'exemples de programme de commande des blocs du A.R.A. * La deuxième partie est consacrée essentiellement au logiciel élaboré, elle a particulièrement accès sue sa structure ainsi qu'à son exploitation. Elaboration d'un logiciel de commande de l'analyseur de réseaux HP 8408 B [texte imprimé] / Sadoun, Samira, Auteur ; Taouch, Khadidja, Auteur ; Ouchar, Ali, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1993 . - 61 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Projet de Fin d’Études : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 1993 Bibliogr. [2] f. - Annexe [22] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Analyseurs de réseaux HP 8408B Logiciel élaboré (CAL-MES) Exploitation du logiciel Index. décimale : PN00693 Résumé : Cette thèse est constituée de deux parties, comprenant un total de quatre chapitres: * La première partie décrit les différentes méthodes de mesure ainsi que les erreurs pouvant les effectuer, elle donne également une description complète du matériel utilisé à savoir le A.R.A. 8408B, le bus HPIB et la carte d'interface IEEE-488, suivie d'exemples de programme de commande des blocs du A.R.A. * La deuxième partie est consacrée essentiellement au logiciel élaboré, elle a particulièrement accès sue sa structure ainsi qu'à son exploitation.

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Etude et conception des dispositifs monolithiques micro-ondes en arseniure de gallium / Ouchar, Ali (2002) 

Public ISBD Titre : Etude et conception des dispositifs monolithiques micro-ondes en arseniure de gallium : application à la conception d'un oscillateur intégré contrôlé en tension Type de document : texte imprimé Auteurs : Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2002 Importance : 171 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002 Bibliogr.f. 104 - 112 . - Annexe f. 113 - 171 Langues : Français (fre) Mots-clés : Circuits intégrés Monolithiques micro-ondes Circuits MMIC Oscilateur intégré contrôlé en tension Index. décimale : D001102 Résumé : L'objectif de cette étude est la conception des dispositifs monolithiques micro-ondes pour des applications dans les domaines, de communications sans fils, de télévision directe par satellite et des systèmes radars. L'étude a plus particulièrement porté sur, le processus technologique de fabrication d'un circuit MMIC sur un substrat en arséniure de gallium, la simulation des éléments passifs et actifs, la caractérisation et les méthodes d'analyse des circuits MMIC. Des logiciels commerciaux tel que SONNET et MWOFFICE nous ont permis d'atteindre les objectifs qu'on s'est fixés. A titre de démonstration des étapes complètes de conception d'un circuit MMIC, nous avons étudié et conçu un oscillateur monolithique intégré contrôlé en tension (OICT) dans l'intervalle 9.6-10.2 GHz. Les résultats obtenus sont conformes aux simulations réalisées par le logiciel MWOFFICE. Un dessin de la puce de l'OICT a été réalisé et est près pour une éventuelle fabrication. Etude et conception des dispositifs monolithiques micro-ondes en arseniure de gallium : application à la conception d'un oscillateur intégré contrôlé en tension [texte imprimé] / Ouchar, Ali, Auteur ; Aksas, Rabia, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2002 . - 171 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de Doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2002 Bibliogr.f. 104 - 112 . - Annexe f. 113 - 171 Langues : Français (fre) Mots-clés : Circuits intégrés Monolithiques micro-ondes Circuits MMIC Oscilateur intégré contrôlé en tension Index. décimale : D001102 Résumé : L'objectif de cette étude est la conception des dispositifs monolithiques micro-ondes pour des applications dans les domaines, de communications sans fils, de télévision directe par satellite et des systèmes radars. L'étude a plus particulièrement porté sur, le processus technologique de fabrication d'un circuit MMIC sur un substrat en arséniure de gallium, la simulation des éléments passifs et actifs, la caractérisation et les méthodes d'analyse des circuits MMIC. Des logiciels commerciaux tel que SONNET et MWOFFICE nous ont permis d'atteindre les objectifs qu'on s'est fixés. A titre de démonstration des étapes complètes de conception d'un circuit MMIC, nous avons étudié et conçu un oscillateur monolithique intégré contrôlé en tension (OICT) dans l'intervalle 9.6-10.2 GHz. Les résultats obtenus sont conformes aux simulations réalisées par le logiciel MWOFFICE. Un dessin de la puce de l'OICT a été réalisé et est près pour une éventuelle fabrication.

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