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Etude des défauts électriques dans le silicium recuit par laser

M. Kechouane, Auteur ; D. Bois, Directeur de thèse | Université Scientifique & Médicale de Grenoble | 1983

Nous avons utilisé une technique de spectroscopie capacitive (DLTS) pour étudier les défauts électriquement actifs, introduits par le recuit laser dans le silicium vierge et implanté. Dans ce travail, nous donnons la première mise en évidence d[...]

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