Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces / Mahmoud Eddrief (1984) 

Public ISBD Titre : Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces Type de document : texte imprimé Auteurs : Mahmoud Eddrief, Auteur ; J. F. Petroff, Directeur de thèse Editeur : Université Pierre et Marie Curie Paris VI Année de publication : 1984 Importance : 88 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1984 Bibliogr. [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Sciences -- matériaux In₂  Se₃  Transition phase Couches minces Mobilité Transport électrique Matériaux polycristallins Photoconductivité Index. décimale : D002484 Résumé : L'étude des conditions de préparation des couches minces d'In₂Se₃ a permis d'obtenir des films avec une bonne stoéchiométrie pour différentes épaisseurs. La caractérisation électrique de la transition de phase à 200°C confirme la composition des couches minces qui ont la structure de la phase α ou β selon la température d'élaboration. On montre en analysant l'évolution des propriétés électriques en fonction de la température que la mobilité de Hall des films polycristallins d'In₂Se₃ se comporte selon le modèle de Petritz qui introduit une barrière de potentiel aux joints de grains. La discussion est menée en comparant la largeur de déplétion à la taille du grain. Les constantes optiques des films d'In₂Se₃ ont été déterminées dans la région du gap optique et ont été confirmées par les mesures de photoconductivité. Contribution à la préparation et à l'étude des propriétés fondamentales d'In₂Se₃ en couches minces [texte imprimé] / Mahmoud Eddrief, Auteur ; J. F. Petroff, Directeur de thèse . - Université Pierre et Marie Curie Paris VI, 1984 . - 88 f. : ill. ; 27 cm. Thèse de Doctorat : Sciences des Matériaux : Paris, Université Pierre et Marie Curie Paris VI : 1984 Bibliogr. [3] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Sciences -- matériaux In₂  Se₃  Transition phase Couches minces Mobilité Transport électrique Matériaux polycristallins Photoconductivité Index. décimale : D002484 Résumé : L'étude des conditions de préparation des couches minces d'In₂Se₃ a permis d'obtenir des films avec une bonne stoéchiométrie pour différentes épaisseurs. La caractérisation électrique de la transition de phase à 200°C confirme la composition des couches minces qui ont la structure de la phase α ou β selon la température d'élaboration. On montre en analysant l'évolution des propriétés électriques en fonction de la température que la mobilité de Hall des films polycristallins d'In₂Se₃ se comporte selon le modèle de Petritz qui introduit une barrière de potentiel aux joints de grains. La discussion est menée en comparant la largeur de déplétion à la taille du grain. Les constantes optiques des films d'In₂Se₃ ont été déterminées dans la région du gap optique et ont été confirmées par les mesures de photoconductivité.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D002484	D002484	Papier + ressource électronique	Bibliothèque Annexe	Thèse de Doctorat	Disponible	Autre	Consultation sur place/Téléchargeable

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