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Mélangeur micro-ondes en bande x pour la T.V.D.S. / Yagoub, Mustapha Chérif Eddine 

Public ISBD Titre : Mélangeur micro-ondes en bande x pour la T.V.D.S. Type de document : texte imprimé Auteurs : Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Auteur ; R. Aksas, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 1987 Importance : 72 f. Présentation : ill. Format : 30 cm Note générale : Mémoire de Magister: Électronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1987 Annexe f. [13] Bibliogr. [7] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Mélangeur  ;  Micro-onde  en  bandes  ;  X  TVDS  ;  Simulation  non  linéaire  ;  Circuit  ;  Diode  schottky Index. décimale : M000787 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier et de réaliser un mélangeur micro-ondes en bande X. Ce dispositif doit faire partie d'un récépteur de signaux de télévision dans le cadre du projet Algérien de Télévision Directe par Satellite -TVDS-. La TVDS est une application toute nouvelle des satellités géostationnaires, car les premiers réseaux n'ont vu le jour qu'à la fin des années soixante dix. Ce moyen de télédiffusion s'est imposé lorsque les formes de réception TV conventionnelles, ou par câbles, ont montré leurs limites, notamment dans des zônes à population diffuse, enclavées ou d'accés difficile. La réalisation proprement dite a été subdivisée en trois parties, à savoir la schématisation du mélangeur selon la technologie retenue (intégrée hybride), la réalisation et les messures de circuits partiels constituant le dispositif, et finalement la réalisation et les mesures du circuit final, et ce, au laboratoire micro-ondes de l'ENSEEIMT. Les circuits partiels (deux coupleurs 3dB, deux filtres passe bas de 2 et 9GHz, un circuit adaptateur, ainsi qu'un filtre image sur un substrat alumine 98%, et un coupleur 3dB et un circuit adaptateur sur DUROID 6010) ont permi de corriger les erreurs et par conséquent de faciliter la réalisation du mélangeur sur les deux substrats. Mélangeur micro-ondes en bande x pour la T.V.D.S. [texte imprimé] / Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Auteur ; R. Aksas, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 1987 . - 72 f. : ill. ; 30 cm. Mémoire de Magister: Électronique: Alger, Ecole Nationale Polytechnique: 1987 Annexe f. [13] Bibliogr. [7] f Langues : Français (fre) Mots-clés : Mélangeur  ;  Micro-onde  en  bandes  ;  X  TVDS  ;  Simulation  non  linéaire  ;  Circuit  ;  Diode  schottky Index. décimale : M000787 Résumé : Le but de ce travail est d'étudier et de réaliser un mélangeur micro-ondes en bande X. Ce dispositif doit faire partie d'un récépteur de signaux de télévision dans le cadre du projet Algérien de Télévision Directe par Satellite -TVDS-. La TVDS est une application toute nouvelle des satellités géostationnaires, car les premiers réseaux n'ont vu le jour qu'à la fin des années soixante dix. Ce moyen de télédiffusion s'est imposé lorsque les formes de réception TV conventionnelles, ou par câbles, ont montré leurs limites, notamment dans des zônes à population diffuse, enclavées ou d'accés difficile. La réalisation proprement dite a été subdivisée en trois parties, à savoir la schématisation du mélangeur selon la technologie retenue (intégrée hybride), la réalisation et les messures de circuits partiels constituant le dispositif, et finalement la réalisation et les mesures du circuit final, et ce, au laboratoire micro-ondes de l'ENSEEIMT. Les circuits partiels (deux coupleurs 3dB, deux filtres passe bas de 2 et 9GHz, un circuit adaptateur, ainsi qu'un filtre image sur un substrat alumine 98%, et un coupleur 3dB et un circuit adaptateur sur DUROID 6010) ont permi de corriger les erreurs et par conséquent de faciliter la réalisation du mélangeur sur les deux substrats.

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M000787	M000787	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V / Touhami Née Mahdi, Rachida 

Public ISBD Titre : Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V : elaboration de modèles Type de document : texte imprimé Auteurs : Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Directeur de thèse Editeur : [S.l.] : [s.n.] Année de publication : 2001 Importance : 101 f. Présentation : ill. Format : 30 cm. Note générale : Thèse de doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Bibliogr. [15] f Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET HEMT InP Schottky Index. décimale : D000801 Résumé : Pour les concepteurs de dispositifs électroniques à grande vitesse, les structures Schottky métal/phosphure d'indium (InP) présentent un intérêt considérable, aussi, vu l'importance de la hauteur de barrière dans le contrôle des caractéristiques électriques des structures Schottky, nous avons étudié puis utilisé différentes techniques de traitement de surface pour réaliser une meilleure passivation des structures "Au-InP" et "Au-isolant(oxyde)-InP". Les conditions de traitement par plasma d'oxygène des échantillons réalisés sont les suivants: puissance du plasma variable entre 50W et 140W, durée d'oxydation variable entre 1.3mn et 25mn, pression du plasma de 10 puissance -3 mbar et filament en tungstène, puis en tantale. Nous avons développé une approche adéquate pour déterminer le mécanisme de transport du courant. Les paramètres électriques et physiques des échantillons Au-oxyde-n-InP tels que le facteur d'idéalité, la résistance série, la constante effective de Richardson et la hauteur effective de barrière ont été déterminés à l'aide d'un modèle. Une meilleure estimation de ces paramètres a été obtenue par une redéfinition de la constante de Richardson, appelée valeur correcte de la constante de Richardson. Ce travail nous a permis de conclure que le mécanisme de transport du courant est une émission thermoionique avec effet tunnel. Après la modélisation, une étude sur l'influence des conditions d'oxydation de ces structures sur le mécanisme de transport a été présentée sachant que les paramètres électriques et physiques décrivant les structures Au-oxyde-n-InP dépendent de façon significative des paramètres caractérisant le plasma d'oxygène. Dans le domaine de la caractérisation des transistors micro-ondes, notre contribution a porté sur l'amélioration du modèle Chalmers. Elle porte aussi bien sur la précision du modèle que sur le gain en temps de calcul qui est relativement important. Physique et technologie des nouveaux composants électroniques III-V : elaboration de modèles [texte imprimé] / Touhami Née Mahdi, Rachida, Auteur ; Yagoub, Mustapha Chérif Eddine, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2001 . - 101 f. : ill. ; 30 cm. Thèse de doctorat : Électronique : Alger, École Nationale Polytechnique : 2001 Bibliogr. [15] f Langues : Français (fre) Mots-clés : MESFET HEMT InP Schottky Index. décimale : D000801 Résumé : Pour les concepteurs de dispositifs électroniques à grande vitesse, les structures Schottky métal/phosphure d'indium (InP) présentent un intérêt considérable, aussi, vu l'importance de la hauteur de barrière dans le contrôle des caractéristiques électriques des structures Schottky, nous avons étudié puis utilisé différentes techniques de traitement de surface pour réaliser une meilleure passivation des structures "Au-InP" et "Au-isolant(oxyde)-InP". Les conditions de traitement par plasma d'oxygène des échantillons réalisés sont les suivants: puissance du plasma variable entre 50W et 140W, durée d'oxydation variable entre 1.3mn et 25mn, pression du plasma de 10 puissance -3 mbar et filament en tungstène, puis en tantale. Nous avons développé une approche adéquate pour déterminer le mécanisme de transport du courant. Les paramètres électriques et physiques des échantillons Au-oxyde-n-InP tels que le facteur d'idéalité, la résistance série, la constante effective de Richardson et la hauteur effective de barrière ont été déterminés à l'aide d'un modèle. Une meilleure estimation de ces paramètres a été obtenue par une redéfinition de la constante de Richardson, appelée valeur correcte de la constante de Richardson. Ce travail nous a permis de conclure que le mécanisme de transport du courant est une émission thermoionique avec effet tunnel. Après la modélisation, une étude sur l'influence des conditions d'oxydation de ces structures sur le mécanisme de transport a été présentée sachant que les paramètres électriques et physiques décrivant les structures Au-oxyde-n-InP dépendent de façon significative des paramètres caractérisant le plasma d'oxygène. Dans le domaine de la caractérisation des transistors micro-ondes, notre contribution a porté sur l'amélioration du modèle Chalmers. Elle porte aussi bien sur la précision du modèle que sur le gain en temps de calcul qui est relativement important.

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Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
D000801	D000801	Papier + ressource électronique	Bibliothèque centrale	Thèse de Doctorat	Disponible	Electronique	Consultation sur place/Téléchargeable

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