texte imprimé

Etude par topographie aux rayons X de la relaxation des contraintes en tête des fissures dans les cristaux de silicium

Kheireddine El Badaoui, Auteur ; G. Champier, Directeur de thèse | Université de Nancy I | 1976

Dans le présent travail, nous nous sommes attachés à déterminer l'origine et le mode d'action des contraintes qui produisent les bandes de lignes de dislocations que l'on observe par topographie aux rayons X dans les tranches de silicium (001) a[...]

Plus d'information...

Ajouter un tag

Document numérique

Réserver

Disponible

---

1 (1 - 1 / 1) Par page : 25 50 100 200