| Titre : | Effet du substrat semi-isolant (GAAS) sur le comportement des transitors MESFET à l'arseniure de gallium |
| Auteurs : | Zebbar Née Rezgui, Nacéra, Auteur ; Tayeb Mohammed Brahim, Directeur de thèse |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Bab Ezzouar : [s.n.], 1988 |
| Format : | 100 f. / ill. / 27 cm. |
| Note générale : |
Mémoire de Magister : Physique des matériaux : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1988
Annexe f. 101 - 114 . Bibliogr. f. 115 - 118 |
| Langues : | Français |
| Index. décimale : | M002188 |
| Tags : | Substrat semi-isolant MESFET Arséniure -- gallium |
| Résumé : |
L'étude que nous avons menée sera présentée en quatre parties:
- Dans une première partie nous exposons le problème de "l'effet de substrat" et sa relation avec la présence d'une zone de charge d'espace au niveau de l'interface couche conductrice/substrat semi-isolant. - Dans une deuxième partie seront présentés les échantillons utilisés ainsi que leur caractérisation électrique. - La troisième partie consistera en l'étude expérimentale du phénomène "effet de substrat". - Dans une quatrième partie, nous essayerons d'expliquer les résultats expérimentaux et de donner un modèle expliquant l'origine de cet effet. |
Exemplaires (1)
| Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité | Spécialité | Etat_Exemplaire |
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| M002188 | Papier + ressource électronique | Bibliothèque Annexe | Mémoire de Magister | Disponible | Autre | Consultation sur place/Téléchargeable |
Documents numériques (1)
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REZGUI.Nacera.pdf URL
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