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Effet de la fréquence des champs électriques oscillants sur la tension de rupture par avalanche des diodes à semiconducteurs / Moufek, Abderrahmane 

Public ISBD Titre : Effet de la fréquence des champs électriques oscillants sur la tension de rupture par avalanche des diodes à semiconducteurs Type de document : texte imprimé Auteurs : Moufek, Abderrahmane, Auteur ; Mitra, M., Directeur de thèse Editeur : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran Année de publication : 1984 Importance : 127 f. Présentation : ill. Format : 27 cm. Note générale : Mémoire de Magister : Électronique : Oran, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran : 1984 Annexe f. 129 - 141 . Bibliogr. f. 143 - 146 Langues : Français (fre) Mots-clés : Jonctions  p-n  ;  Phénomènes  --  rupture  ;  Effet  --  fréquence  ;  Fréquence  --  champs  électriques  ;  Diodes  --  semiconducteurs  ;  Tension  --  rupture Index. décimale : M001384 Résumé : Ces travaux ont inclus un modèle théorique pour expliquer les variations de la tension de rupture en fonction de la fréquence, modèle qui considère l'effet d'hystérésis diélectrique sur le libre parcours moyen de l'électron soumis à des champs électriques oscillants. Il est à signaler toutefois que le modèle théorique qui a servi de base à l'explication et à l'interprétation des résultats ci-dessus mentionnés a été obtenu dans le cas idéal des diodes PIN pour lesquelles la zone intrinsèque est supposée complètement dépourvue d'impuretés. Ce modèle n'a pu donner une explication satisfaisante des écarts observés entre théorie et expérience, particulièrement aux basses fréquences. En conséquence, l'objet assigné à nos travaux comporte deux volets: - Vérifier la validité des résultats obtenus par la réalisation d'expériences sur un nombre important de diodes à jonctions p-n. - Proposer un modèle théorique qui puisse tenir compte de la présence d'impuretés dans la zone de transition des jonctions p-n, ce qui devrait nous rapprocher un peu plus de la réalité. A cet effet, nous commencerons par rappeler les propriétés essentielles des jonctions p-n (chapitre II). Nous exposerons ensuite l'ensemble des résultats obtenus et connus à ce jour concernant les phénomènes de rupture dans les semiconducteurs (chapitre III). Le chapitre IV, plus spécifique à nos travaux, détaillera le modèle théorique existant qui servira de base aux interprétations des résultats expérimentaux qui seront présentés dans le chapitre VI. Le chapitre V se propose de donner toutes les informations concernant les appareils de mesure, les schémas et la procédure de mesure utilisée ainsi que les spécifications techniques des dispositifs testés. Nous proposerons dans le chapitre VII un modèle théorique qui tient compte de la présence d'impuretés dans la zone de transition, comme mentionné précédemment, dans le cas de jonctions à profil de distribution des impuretés abrupt. Nous conclurons enfin par la comparaison de ce modèle avec les résultats expérimentaux obtenus ainsi qu'avec le modèle présenté dans le chapitre IV. Effet de la fréquence des champs électriques oscillants sur la tension de rupture par avalanche des diodes à semiconducteurs [texte imprimé] / Moufek, Abderrahmane, Auteur ; Mitra, M., Directeur de thèse . - [S.l.] : Université des Sciences et de la Technologie d'Oran, 1984 . - 127 f. : ill. ; 27 cm. Mémoire de Magister : Électronique : Oran, Université des Sciences et de la Technologie d'Oran : 1984 Annexe f. 129 - 141 . Bibliogr. f. 143 - 146 Langues : Français (fre) Mots-clés : Jonctions  p-n  ;  Phénomènes  --  rupture  ;  Effet  --  fréquence  ;  Fréquence  --  champs  électriques  ;  Diodes  --  semiconducteurs  ;  Tension  --  rupture Index. décimale : M001384 Résumé : Ces travaux ont inclus un modèle théorique pour expliquer les variations de la tension de rupture en fonction de la fréquence, modèle qui considère l'effet d'hystérésis diélectrique sur le libre parcours moyen de l'électron soumis à des champs électriques oscillants. Il est à signaler toutefois que le modèle théorique qui a servi de base à l'explication et à l'interprétation des résultats ci-dessus mentionnés a été obtenu dans le cas idéal des diodes PIN pour lesquelles la zone intrinsèque est supposée complètement dépourvue d'impuretés. Ce modèle n'a pu donner une explication satisfaisante des écarts observés entre théorie et expérience, particulièrement aux basses fréquences. En conséquence, l'objet assigné à nos travaux comporte deux volets: - Vérifier la validité des résultats obtenus par la réalisation d'expériences sur un nombre important de diodes à jonctions p-n. - Proposer un modèle théorique qui puisse tenir compte de la présence d'impuretés dans la zone de transition des jonctions p-n, ce qui devrait nous rapprocher un peu plus de la réalité. A cet effet, nous commencerons par rappeler les propriétés essentielles des jonctions p-n (chapitre II). Nous exposerons ensuite l'ensemble des résultats obtenus et connus à ce jour concernant les phénomènes de rupture dans les semiconducteurs (chapitre III). Le chapitre IV, plus spécifique à nos travaux, détaillera le modèle théorique existant qui servira de base aux interprétations des résultats expérimentaux qui seront présentés dans le chapitre VI. Le chapitre V se propose de donner toutes les informations concernant les appareils de mesure, les schémas et la procédure de mesure utilisée ainsi que les spécifications techniques des dispositifs testés. Nous proposerons dans le chapitre VII un modèle théorique qui tient compte de la présence d'impuretés dans la zone de transition, comme mentionné précédemment, dans le cas de jonctions à profil de distribution des impuretés abrupt. Nous conclurons enfin par la comparaison de ce modèle avec les résultats expérimentaux obtenus ainsi qu'avec le modèle présenté dans le chapitre IV.

Exemplaires

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité	Spécialité	Etat_Exemplaire
M001384	M001384	Papier	Bibliothèque centrale	Mémoire de Magister	Disponible

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MOUFEK.Abderrahmane.pdf URL