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Ressources Électroniques
Transistors bipolaires intégrés in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
Transistors bipolaires intégrés [texte imprimé] / Jean de Pontcharra, Auteur . - 2007 . - 20 p.
bibliogr.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 20 p.
Mots-clés : Transistors Circuits intégrés Métrologie Silicium Résumé : La fabrication de circuits intégrés a bénéficié de progrès très importants liés aux investissements en recherche et développement dans le domaine des infrastructures (salles blanches ultra-propres), des matériaux (semi-conducteurs, isolants, conducteurs, résines photosensibles, produits chimiques...), des machines (lithographie, gravure, recuit, implantation ionique, dépôts, métrologie...), de la conception des circuits (logiciels), de la caractérisation électrique et physique, de la simulation technologique et électrique (logiciels). Le diamètre des plaquettes de silicium traitées dans les unités de fabrication dans les années 1990 atteint 200 mm avec des prévisions de passage en 300 mm vers l’an 2000. Les puces actuelles ont des surfaces de quelques centimètres carrés et intègrent des millions de transistors (Pentium d’Intel 1994, 3 millions de transistors ; Pentium II 1997, 5 millions sur 3 cm2 ; processeur K6 d’AMD 1997 8,8 millions sur 1,7 cm2). REFERENCE : E 2 427 Date : Novembre 1998 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]
