Nos Abonnements
Ressources Électroniques
Transistor MOS et sa technologie de fabrication in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)
Transistor MOS et sa technologie de fabrication [texte imprimé] / Thomas Skotnicki, Auteur . - 2007 . - 37 p.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 37 p.
Mots-clés : Transistor MOS MOSFET CMOS Complementary Field Effect Transistor FET Résumé : Le transistor MOS est, de loin, le dispositif le plus répandu dans la production actuelle de composants semi-conducteurs, car il est le composant de base de la technologie CMOS (Complementary MOS), qui, à elle seule, englobe plus de 70 % de la production mondiale de circuits intégrés.
Plusieurs sigles plus ou moins justifiés sont utilisés dans la littérature pour décrire le transistor MOS (Metal Oxide Semiconductor) : MOSFET (MOS Field Effect Transistor), IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) et MOST (Metal Oxide Semiconductor Transistor).REFERENCE : E 2 430 Date : FEVRIER 2000 En ligne : http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-automatique-th [...]
