Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / Michel Bon in Techniques de l'ingénieur E, Vol. E4 (Trimestriel)  

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) [texte imprimé] / Michel Bon, Auteur ; Scavennec, André, Auteur . - 2007 . - 19 p.
bibliogr.
Langues : Français (fre)
in Techniques de l'ingénieur E > Vol. E4 (Trimestriel) . - 19 p.

Mots-clés :	Transistors  Diagramme de bandes  Hétérojonctions  Métamorphiques
Résumé :	Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature des interfaces ou jonctions qui en séparent les différentes parties constitutives (métalliques, diélectriques ou semi-conducrices) et par la façon dont les porteurs, électrons ou trous, longent ou traversent ces interfaces. Les jonctions semi-conducteur/semi-conducteur intervenant dans les composants et circuits, à base de transistors à effet de champ ou de transistors bipolaires, qui ont dominé jusqu’à la fin des années 1980 la microélectronique, sont en général des homojonctions séparant deux régions de dopages différents, quoique éventuellement de même type, d’un même semi-conducteur hôte. En pratique, ce dernier est le plus souvent du silicium (filières NMOS, CMOS, bipolaires et BiCMOS) et plus rarement de l’arséniure de gallium (filières MESFET GaAs).
REFERENCE :	E 2450v2
Date :	Novembre 2011
En ligne :	http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/archives-th12/archives-elec [...]