Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium / Nadine Belfihadj (2020) 

Étude et simulation d’un émetteur de type p pour les cellules photovoltaïques à hétérojonction en silicium [document électronique] / Nadine Belfihadj, Auteur ; Fateh Hellal, Directeur de thèse ; Faouzi Kezzoula, Directeur de thèse . - [S.l.] : [s.n.], 2020 . - 1 fichier PDF (4.7 Mo) : ill.
Mode d'accès : accès au texte intégral par intranet.
Mémoire de Projet de Fin d’Études : Métallurgie : Alger, École Nationale Polytechnique : 2020
Bibliogr. f. 83 - 88
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Hétérojonction Photovoltaïque Silicium amorphe hydrogéné a-Si:H AFORS-HET
Index. décimale :	PL00420
Résumé :	Les hétéro-jonctions de silicium amorphe hydrogéné et de silicium monocristallin (a-Si:H/c-Si) présentent un grand intérêt technologique pour les cellules solaires à haut rendement. Le gap optique a été calculé à partir d'une couche de a-Si:H dopée p déposée par pulvérisation cathodique. Une simulation avec AFORS-HET d'une cellule solaire de type a-Si:H/c-Si sur un substrat de type n a été réalisée. L'influence et les résultats optimaux de l'épaisseur et du dopage de l'émetteur a-Si:H ainsi que la densité de défauts d'interface ont été discutés. Une couche a-Si:H intrinsèque d'épaisseur variable a été introduite entre la jonction a-Si: H pour passiver les défauts d'interface.