Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) / Bouarroudj, Habiba (1984) 

Contribution à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semi-conducteur (N)-semi-conducteur (P) de type SnO2 -SiO2- Si (N)- Si (P) [texte imprimé] / Bouarroudj, Habiba, Auteur ; Kesri, Naziha, Directeur de thèse . - Bab Ezzouar : [s.n.], 1984 . - 128 f. : ill. ; 27 cm.
Mémoire de Magister : Physique : Alger, Université des Sciences et de la Technologie Houari Boumedienne : 1984
Bibliogr. [4] f
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Structure M.I.S.S. Énergie -- solaire Structures Métal-Isolant-Semi-conducteur
Index. décimale :	M004784
Résumé :	Le but de ce travail est de contribuer à l'étude et à la réalisation des structures métal-isolant-semiconducteur-semiconducteur (M.I.S.S.), les éléments essentiels constituant cette structure sont respectivement: la jonction PN au silicium monocristallin, la couche isolante d'oxyde de silicium SiO2 et la couche transparente d'oxyde d'étain SnO2. Nous avons caractérisé ces structures au moyen de la caractéristique courant-tension (I-V) à l'obscurité et sous éclairement. Parallèlement, l'étude théorique de ces hétérostructures à été approfondie notamment au moyen des théories de transport des structures PN, MS et M.I.S. Dans un premier chapitre, nous donnons brièvement les matériaux constitutifs de la structure M.I.S.S.: jonction PN-oxyde de silicium-oxyde d'étain. Dans le deuxième chapitre, nous présenterons la théorie de transport dans la structure M.I.S.S. Dans le troisième chapitre, nous décrivons les techniques de caractérisation de la structure M.I.S.S. et ses principaux domaines d'application, effet photovoltaïque et commutation rapide. Dans le dernier chapitre, nous donnons les procédés de fabrication de ces hétérostructures et leur caractérisation.